Seo, Hun-Chul;Jang, Won-Hyeok;Kim, Chul-Hwan;Chung, Young-Hwan;Lee, Dong-Su;Rhee, Sang-Bong
Journal of Electrical Engineering and Technology
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제8권1호
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pp.11-19
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2013
Very Fast Transients (VFT) originate mainly from disconnector switching operations in Gas Insulated Substations (GIS). In order to determine the rate-of-rise of Very Fast Transient Overvoltage (VFTO) in a 550 kV GIS, simulations are carried out using EMTP-RV. Each component of the GIS is modeled by distributed line model and lumped model based on equivalent circuits. The various switching conditions according to closing point-on-wave and trapped charge are simulated, and the results are analyzed. Also, the analysis of travelling wave using a lattice diagram is conducted to verify the simulation results.
In this present the transient control of SBS chaos induced instability in Brillouin-active fiber systems is described. The inherent optical feedback by the backscattered Stokes wave in optical fiber systems leads to instabilities in the form of optical chaos. At weak power, the nature of the Brillouin instability can occur at before threshold. At strong power, the temporal evolution above threshold is periodic and at higher intensity can become chaotic. Multistable periodic states, makes transition to logic 'on' or 'off'. It can make theoretically potential large memory capacity.
본 논문에서는 표면이 닫혀진 삼차원 도체 구조의 전자파 지연 산란 응답을 얻기 위하여 임의 구조의 모델링에 적합한 삼각형 전개함수를 이용하여 시간영역 자장 적분방정식(Time-Domain Magnetic Field Integral Equation, TD-MFIE)의 해석 과정을 제안하였다. 이를 통하여 산란 도체로부터 정확하구 시간영역 전장 적분방정식(Time-Domain Electric Field Integral Equation, TD-EFIE)과 비교하여 상대적으로 안정된 지연 응답의 해를 구할 수 있었다. 자세한 공식화의 전개 과정과 육면체 및 구와 원통형 도체에 대한 수치 예를 보였으며, TD-EFIE로부터 계산된 해 및 주파수 영역에서 동일한 전개함수를 이용하여 EFIE 및 MFIE로부터 얻어진 결과를 시간영역으로 변환한 해와도 비교하였다.
본 논문에서는 GaAs 풀밴드 E-k관계를 이용하여 전계방향에 따라 임팩트이온화가 전자전송에 미치는 영향을 분석하였다. E-k관계를 구하기 위하여 페르미황금법칙과 local form factor를 이용하는 의사포텐셜방법을 사용하였으며 임팩트이온화율을 구하기 위하여 브릴로우인영역을 사면체로 분할하여 각 사면체마다 적분하는 사면체방법을 이용하였다. 임팩트이온화의 이방성분석을 위하여 Monte Carlo시뮬레이션을 수행하였다. 특히 임팩트이온화의 과도상태분석을 수행한 결과, 이방성은 과도상태에서만 발생하는 것으로 나타났으며 정상상태에서는 등방성 특성을 보이는 것으로 나타났다. 본 연구에서 제시한 GaAs 임팩트이온화의 이방성특성은 GaAs 소자의 과도응답특성분석에 사용될 수 있으리라 사료된다.
WDM(Wavelength Division Multiplexing) 광통신망의 노드에서 신호채널들이 분기 결합될 때 잔류채널들의 이득을 일정하게 제어해 주기 위해 고정이득 EDFA를 사용한다. 본 논문에서는 양방향 펌프에 의해 고이득을 가지는 L-band EDFA에서 발진광에 의해 입력변화를 보상해주는 방식으로 고정이득 EDFA를 구현하였다. 여기서 발진방향 및 파장에 따른 잔류채널의 과도응답 특성에 있어서 단파장 후방발진의 경우가 최적임을 확인할 수 있었다.
수중 천이 신호를 탐지하기 위한 기존의 기법은 에너지 변화와 스펙트럼 변이를 이용한 것으로 백색잡음 환경에서 탐지가 잘 되지만 유색잡은 환경에서는 탐지가 잘 되지 않는다. 본 논문에서는 백색잡은 환경과 유색잡음 환경에서 수중 천이 신호의 탐지성능을 높이기 위해 Double-Density 이산 웨이블렛 변환과 CFAR Power-Law기법을 이용한다.
본 연구에서는 초기 핵 방사선 조건에서 반도체소자의 과도응답특성을 분석하기 위한 선행연구의 일환으로 반도체 소자의 과도방사선에 의한 영향에 대한 주요원인과 반도체의 물성, 설계구조, 공정방식의 조건에 따라 소자내부에 생성되는 광전류 거동특성에 대한 정략적인 분석을 위한 시뮬레이션 분석을 수행하였으며 결과적으로 반도체소자의 설계조건과 입력되는 과도방사선의 선량율에 따른 비선형 특성을 확인하였다.
In this paper, we present a time domain combined field integral equation formulation (TD-CFIE) to analyze the transient electromagnetic response from dielectric objects. The solution method is based on the method of moments which involves separate spatial and temporal testing procedures. A set of the RWG functions is used for spatial expansion of the equivalent electric and magnetic current densities, and a combination of RWG and its orthogonal component is used for spatial testing. The time domain unknowns are approximated by a set of orthonormal basis functions derived from the Laguerre polynomials. These basis functions are also used for temporal testing. Use of this temporal expansion function characterizing the time variable makes it possible to handle the time derivative terms in the integral equation and decouples the space-time continuum in an analytic fashion. Numerical results computed by the proposed formulation are compared with the solutions of the frequency domain combined field integral equation.
본 논문에서는 고효율 증폭 기능을 가지는 이중경로증폭 구조의 고정이득 L-band EDFA를 구현하였다. 선형공진기로부터 생성된 발진광에 의해 신호채널들이 분기결합 되더라도 잔류채널의 요동을 줄일 수 있다. 잔류채널의 과도응답 특성에 대해 발진출력광 변화율이라는 정량적인 척도를 제시하였고 이를 이용해 발진파장 및 발진방향에 따른 과도응답 특성을 측정하였다. 결과적으로 단파장 및 펌프광의 반대 방향으로 전파하는 후방 발진광이 가장 양호한 것으로 판명되었다.
본 논문은 광대역 CMOS 연상증폭기를 위한 새로운 전류 전이 검사 기술을 제안한다. 본 검사 방법에서는 결함이 있는 연산증폭기와 결함이 없는 연산 증폭기를 자동적으로 구별해 내기 위해 증폭기의 공급 전원으로부터 순간적으로 변하는 전류와 출력응답을 측정한다. 광대역 CMOS 연산증폭기는 0.25${\mu}$m CMOS 공정을 이용하여 설계되었다. 이 검사 기술은 CMOS 연산증폭기내에서 발생한 거폭결함 (catastrophic faults)을 검출하고 분석할 수 있으며, 검사비용이 저렴하고 측정방법이 간단하다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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