• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제10권2호
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• pp.53-57
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• 2009

In this paper we develop a method to observe faults in semiconductor devices and transmission lines by calculating the variation of the reflection function in a dielectric microstrip line that has an open-ended termination containing an optically induced plasma region. It is analyzed with the assumption that the plasma is distributed homogeneously in laser illumination. With the non linear material of degradation, the concentration of the carrier in the part of the material has changed. Since the input wave has produced the phenomenon of reflection, the input signal to the open-ended microstrip lines can be observed on reflection to identify the location of the fault. The characteristic impedances resulting from the presence of plasma are evaluated by the transmission line model. The variation of the reflection wave in the microwave system has been calculated by using an equivalent circuit model. The transient response has been also evaluated theoretically for changing the phase of the variation in the reflection. The variation of characteristic response in differentially localized has been also evaluated analytically.

• 한국정보처리학회논문지
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• 제4권4호
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• pp.895-907
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• 1997

연관규칙(asscociation rule) 탐사(mining)는 대용량 데이타베이스로부터 사건간의 동시 발생 경향을 발견하는 작업이다. 기존의 연관규칙은 전체 트랜잭션에 대하여 성립하는 사건 간의 연관 관계만을 고려하고 있다. 그러나 어떤 연관규칙은 비록 전체 시간구간에 대해서는 신뢰도가 그리 높지 않더라도 특징 기간에서 특별히 강한 신뢰도로 성립할 수 있고, 이러한 정보를 알 수 있다면 의사 결정에 매우 유용하리라고 생각한다. 본 논문 에서는 임의의 부분 시간구간에서 특별히 높은 신뢰도를 갖는 연관성을 한시적 연관규칙(transient assosiation rule)이라 정의하고, 대용량의 데이타베이스로부터 한시적 연관규칙이 성립하는 시간구간을 탐사하는 효율적인 알고리즘을 제안한다. 제안된 알고리즘은 불필요한 구간 검색을 배제할 수 있는 데이타 주도(data-driven) 검색 기법을 제시하고, 한 번의 데이타베이스 스캐닝(scaning)으로 다음 단계의 검색에 필요한 정보를 획득하여 주기억장치 상에 관리할 수 있도록 하는 효과적인 자료구조를 설계한다. 아울러 실험을 통해, 제안 알고리즘이 현장에 적용할 만한 시간 비용으로 수행됨을 보인다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권8호
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• pp.285-291
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• 2013

본 논문은 금속 산화물 반도체의 산화막 두께, 채널 폭과 길이에 따른 실리콘 산화막의 신뢰성 특성을 연구하였다. 스트레스전류와 전이전류는 스트레스 전압에 의하여 발생된다. 스트레스 유기 누설전류는 스트레스 전압 인가 동안과 인가 후의 실리콘 산화막에 나타난다. 이때 저레벨 스트레스 전압에 의한 저레벨 누설전류는 저전압 인가 동안과 인가 후의 얇은 실리콘 산화막에서 발생한다. 저레벨 누설전류는 각각 스트레스 바이어스 조건에 따라 스트레스전류와 전이전류를 측정하였다. 스트레스 채널전류는 일정한 게이트 전압이 인가동안 측정하였고 전이 채널전류는 일정한 게이트 전압을 인가한 후에 측정하였다. 본 연구는 소자의 구동 동작 신뢰성을 위하여 저레벨 스트레스 바이어스 전압에 의한 스트레스 전류와 전이전류가 발생되어 이러한 저레벨 누설전류를 조사하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권4호
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• pp.1-12
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• 2003

본 논문에서는 과도상태 회로 시뮬레이션에서 각각의 단일전자 트랜지스터 (Single electron transistor: SET)가 독립적으로 다루어질 수 있는 영역을 체계적으로 조사했다. Interconnection 정전용량이 충분히 큰 회로의 과도상태 시뮬레이션에서도 정상상태 경우와 마찬가지로 각각의 SET가 독립적으로 다뤄질 수 있음을 찾았다. 그러나, 각각의 SET들이 서로 독립적으로 다뤄질 수 있는 interconnection의 부하정전용량은 정상상태보다 약 10배 정도 크다. 이런 조건에서 SPICE에 적용 가능한 단일전자 트랜지스터 (Single electron transistor: SET)의 과도상태 compact 모델을 제시한다. 이 모델은 SPICE main routine의 admittance 행렬과 전류 행렬 구성 요소를 효율적으로 만들기 위해 새롭게 개발된 등가회로 접근방식에 기초한다. 과도상태 모델은 전자우물 안의 전자 개수를 정확히 계산하기 위해서 시변 master 방정식 solver를 각각 포함한다. 이 모델을 이용해서 단일전자 회로 및 단일전자 소자/회로와 CMOS 회로가 결합한 SET/CMOS hybrid 회로를 성공적으로 계산했다. SPICE에 적용된 기존의 시뮬레이터의 결과와 비교해서 상당히 일치하며 CPU 계산 시간도 더 짧아짐을 보인다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.326-329
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• 2000

In this paper, a complete methodology of incorporating the displacement current for the calculation of a single electron inverter characteristics has been devised. It has been implemented for the calculation of the low frequency noise spectrum in a single electron inverter in the framework of Monte-Carlo method. Our new methodology opens up a systematic way of analyzing transient behaviors of single electron circuits.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.1145-1148
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• 1998

New capacitance modeling and transient analysis for multi-layer interconnects with shielding effect are presented. The upper layer capacitances with under-layer shielding lines are represented by introducing a filling factor η which can be defined as the ratio of upper-layer line length to the total under-layer line width. The upper-layer effective self capacitances considering two extreme cases which the underlayer metals are assumed as a ground or as a Vdd are modeled. The signal transient analysis with shielding effect model is performed.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권1호
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• pp.66-71
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• 1998

Discretization method and numerical calculations of wigner function to introduce the influence of spatially varying effective mass as well as to reduce the error involved in the conventional discretization model are presented. Using this new discrete model, the transient responses of resonant-tunneling-diode are analyzed.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 1992년도 추계학술발표회논문집
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• pp.32-36
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• 1992

This paper develops the dynamic equivalents program combined with graphic user interface(GUI), to solve the stability of large power system. The p개posed method is coherency-based dynamic equivalents for transient stability studies. The program also provides with pull-down menu and Hangout help information for users. The developed dynamic equivalents program is suitable for the transient stability studies of a large power system with lots of data. The dynamic equivalents demonstrated over the New England system with 39 buses and 10 generators.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권11호
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• pp.122-131
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• 1993

In this paper, we have developed a submicron Si MOSFET simulator, which is physically based on the hydrodynamic energy transport mode. The simulator was used to investigate the nonstationary transport effects and the transient phenomena in submicron Si MOSFET's. It is found that the velocity overshoot and the carrier heating are dominant transport mechanism near the drain end of the channel and the transient phenomena is more retained in a long channel MOSFET.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.90-91
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• 2009

We study of the variation on non-uniform plasma in different layer of the semiconductor. The transient response in different plasma layer has been evaluated theoretically. The reflection function of dielectric microstrip lines resulting from the presence of plasma are evaluated by the transmission line model. The diffusion length is small compared to the absorption depth. The variation of characteristic response in plasma layer with microwave pulses which has in localized has been evaluated.