The rapid thermal response (RTR) molding is a novel process developed to raise the temperature of mold surface rapidly to the polymer melt temperature prior to the injection stage and then cool rapidly to the ejection temperature. The resulting filling process is achieved inside a hot mold cavity by prohibiting formation of frozen layer so as to enable thin wall injection molding without filing difficulty. The present work covers flow simulation of thin wall injection molding using the RTR molding process. In order to take into account the effects of thermal boundary conditions of the RTR mold, coupled analysis with transient heat transfer simulation is suggested and compared with conventional isothermal analysis. The proposed coupled simulation approach based on solid elements provides reliable thin wall flow estimation fur both the conventional molding and the RTR molding processes
In order to increase the cost effectiveness of solar cells, module production should be treated more comprehensively. Back contact cells offer distinct advantage in the interconnection of cells to modules. Thereby Mo thin film were prepared in order to clarify optimum conditions for growth of the thin film depending upon process, and then by changing a number of deposition conditions and substrate temperature conditions variously, structural and electrical characteristics were measured. For the manufacture of the Mo were vapor-deposited in the named order. Among them, Mo were vapor-deposited by using the sputtering method in consideration of their adhesive force to the substrate, and the DC power was controlled so that the composition of Mo, while the surface temperature having an effect on the quality of the thin film was changed from R.T$[^{\circ}C]$ to $200[^{\circ}C]$ at intervals of $50[^{\circ}C]$. Micro-structural studies were carried out by XRD (D/MAX-1200, Rigaku Co.) and SEM (JSM-5400, Jeol Co.). Electrical properties were measured by CMT-SR3000 Measurement System.
An anode-supported SOFC single cell having $5{\mu}m$ thin electrolyte was fabricated cost-effectively by tape casting, laminating, and co-filing of anode (NiO-YSZ), cathode (LSM-YSZ), and electrolyte (YSZ) components. The optimal slurry compositions of the green tapes for SOFC components were determined by an analysis of the mean diameter, the slurry viscosity, the tensile strength/strain of the green tapes, and their green microstructures. The single cells with a dense electrolyte and porous electrodes could be co-fired successfully at $1325\sim1350^{\circ}C$ by controlling the contents of pore former and the ratio of coarse YSZ and fine YSZ in the anode and the cathode. The single cell co-fired at $1350^{\circ}C$ showed $100.2mWcm^{-2}$ of maximum power density at $800^{\circ}C$ but it was impossible to apply it to operate at low temperature because of low performance and high ASR, which were attributed to formation of the secondary phases in the cathode and the interface between the electrolyte and the cathode.
This case report describes a unique C-shaped mandibular second premolar with four canals and three apical foramina and its endodontic management with the aid of cone-beam computer tomography (CBCT). C-shaped root canal morphology with four canals was identified under a dental operating microscope. A CBCT scan was taken to evaluate the aberrant root canal anatomy and devise a better instrumentation strategy based on the anatomy. All canals were instrumented to have a 0.05 taper using 1.0 mm step-back filing with appropriate apical sizes determined from the CBCT scan images and filled using a warm vertical compaction technique. A C-shaped mandibular second premolar with multiple canals is an anatomically rare case for clinicians, yet its endodontic treatment may require a careful instrumentation strategy due to the difficulty in disinfecting the canals in the thin root area without compromising the root structure.
Preform design techniques have been investigated in efforts to reduce die wear and forming load and to improve material flow, filing ratio, etc. In hot forging processes, a thin deformed part of a workpiece, known as a flash, is formed in the narrow gap between the upper and lower tools. Although designers make tools that generate a flash intentionally in order to improve flow properties, excessive flash increases die wear and forming load. Therefore, it is necessary to make a preform shape that can reduce the excessive flash without changing flow properties. In this paper, a new preform design technique is proposed to reduce the excessive flash in a metal forging process. After a finite element simulation of the process is carried out with an initial billet, the flow of material in the flash region is traced from the final shape to the initial billet. The region belonging to the flash is then easily found in the initial billet. The finite element simulation is then carried out again with the modified billet from which the selected region has been removed. In several iterations of this technique, the optimal preform shape that minimizes the amount of flash without changing the forgeability can be obtained.
Background: This study aimed to assess the possibility of benzene exposure in workers of a Korean semiconductor manufacturing company by reviewing the issued patents. Methods: A systematic patent search was conducted with the Google "Advanced Patent Search" engine using the keywords "semiconductor" and "benzene" combined with all of the words accessed on January 24, 2016. Results: As a result of the search, we reviewed 75 patent documents filed by a Korean semiconductor manufacturing company from 1994 to 2010. From 22 patents, we found that benzene could have been used as one of the carbon sources in chemical vapor deposition for capacitor; as diamond-like carbon for solar cell, graphene formation, or etching for transition metal thin film; and as a solvent for dielectric film, silicon oxide layer, nanomaterials, photoresist, rise for immersion lithography, electrophotography, and quantum dot ink. Conclusion: Considering the date of patent filing, it is possible that workers in the chemical vapor deposition, immersion lithography, and graphene formation processes could be exposed to benzene from 1996 to 2010.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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