As a preceeding work for the study on dielectric characterstics of a kind of low density polyethylene introduced morphological change by mechanical method, glass transition temperature which is regarded as a macroscopic aspect for relaxation of molecular chain segments has been observed by means of temperature dependent dilatometric measurement. The origina specimen clearly shows two knees which correspond to two peaks (.gamma. and .betha. peak) in the intenal friction measurement, suggesting the existence of separated glass transition temperatures at 150.deg.k and 260.deg.k respectively. On the specimen irradiated to 100 Mrad both glass transition temperatures tend to shift towards high temperature sides because of crosslinking by irradiation. furthemore an evidence can be seen that radiation effect, even in amorphous phase, is also slelctive depending on slight morphological differences. The specimen extended to four times in length shows a peculiar nature such as negative linear thermal expansion coefficient increasing with temperature between 220.deg.k and ambient temperature and that this fact is interpreted by considering that c axis of the lattice aligns along the extended direction by drawing, further c axis inherently possesses the characteristics of negative linear thermal expansion coefficient. For the observations that the relatively small positive linear expansion on the specimen extended to ca. two times as well as the part below 220.deg.k of the specimen extended to four times, it is considered for the reason of the facts that the incompletely oriented region indicated as the middle part of Peterlin's model tends to restore partially to orginal arrangement-a kind of phase transition-as increasing with temperature.
This paper is concerned with the thermo-mechanical behavior and temperature dependent strain rate sensitivity of steel sheet for an auto-body. In order to Identify the temperature dependent strain rate sensitivity of SPRC35R and SPRC45E, uniaxial tension tests are performed with the variation of the strain rates from 0.001/sec to 200/sec, and the variation of environmental temperatures from $-40^{\circ}C\;to\;200^{\circ}C$. The thermo-mechanical response at the quasi-static state is obtained with the static tensile test and at the intermediate strain rate is from the high speed tensile test. The experimental results show that the strain rate sensitivity increases at low temperature and it decreases at high temperature. It means that as the strain rate getting increasing, the variation of flow stress is more sensitive on the temperature. The results also indicates that the material properties of SPRC35R is more depend on the changes of strain rates and temperature than those of SPRC45E.
한국농업기계학회 2000년도 THE THIRD INTERNATIONAL CONFERENCE ON AGRICULTURAL MACHINERY ENGINEERING. V.II
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pp.246-253
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2000
The optimal equations to predict the soil tempratures of twelve cities in the region of the southern part of the Korea such as Changhung, Cheju, Chinju, Kwangju, Masan, Miryang, Mokpo, Muan, Pusan, Sogwipo, Ulsan, Yoosu, were suggested as function of time and soil depth and the time dependent variation and soil depth dependent distribution of temperature were analyzed for the back data of the geothermal energy utilization system design and agricultural usages. The equation form is $T(x,\;t)\;=\;T_{m}\;-\;T_{so}{\cdot}Exp(-\xi){\cdot}cos{\omega}(t\;-\;t_{o}\;-\;x\;/\sqrt{2{\alpha}{\omega}}$) and it can predict the soil temperatures well with the correlation factor of 0.98 or upwards for most data. The range of mean soil temperature was $14.99~18.53^{\circ}C$ and soil surface temperature swing, 11.65~14.54 days, soil thermal diffusivity, $0.025~0.069\;m^2/day$ except Mokpo of $0.100\;m^2/day$, and phase shift, 19.66~27.81 days. During about thirty years from 1960s to 1990s, the mean soil temperature was increased by $0.04~1.25^{\circ}C$. The temperature difference depending on soil depth was not significant.
임팩트이온화현상은 소자의 크기가 점점 작아지면서, 높은 에너지에 있는 hot carrier 전송 을 해석하기 위해 매우 중요하므로 소자의 시뮬레이션에 정확한 임팩트이온화모델이 필수적이다. 털 연구에서는 의사포텐셜방법을 사용하여 풀밴드모델을 구하고, 임팩트이온화율은 수정된 Keldysh 공식을 이용하여 유도하였다. 본 연구에서는 Gahs 임팩트이은화의 온도의존특성을 조사하기 위하여 Monte Carlo 시뮬레이터를 제작하여 임팩트이온화계수를 구하였다. 결과적으로, 임팩트이온화계수는 300K에서 실험값과 잘 일치하였다. 또한 에너지는 전계가 증가할수록 증가하고, 높은 온도에서는 포논 산란의 emission mode가 높기 때문에 에너지가 감소함을 알 수 있었다. 임팩트이온화의 대수 fitting 함수 식은 온도와 전계에 대해 2차식으로 표현하였다. 대수 fitting 함수의 오차는 대부분 5%이내에 머물렀다. 그러므로 대수식으로 표현된 임팩트 이온화계수는 온도에 의존함을 알았고, 임팩트이온화계수를 구하는데 시간을 절약할 수 있다.
임팩트이온화현상은 소자의 크기가 점점 작아지면서, 높은 에너지에 있는 hot carrier 전송을 해석하기 위해 매우 중요하므로 소자의 시뮬레이션에 정확한 임팩트이온화모델이 필수적이다. 본 연구에서는 의사포텐셜방법을 사용하여 full 밴드모델을 구하고, 임팩트이온화율은 수정된 Keldysh 공식을 이용하여 유도하였다. 본 연구에서는 GaAs 임팩트이온화의 온도와 전계에 대한 의존특성을 조사하기 위하여 Monte Carlo 시뮬레이터를 제작하여 임팩트이온화계수를 구하였다. 결과적으로, 임팩트이온화계수는 300K에서 실험 값과 잘 일치하였다. 또한 에너지는 전계가 증가할수륵 증가하고, 높은 온도에서는 포논산란의 emission mode가 높기 때문에 에너지가 감소함을 알 수 있었다. 임팩트 이온화의 대수 fitting 함수 식은 온도와 전계에 대해 2차 식으로 표현하였다. 대수 fitting 함수의 오차는 대부분 5%이내에 머물렀다. 그러므로 대수 식으로 표현된 임팩트이온화계수는 온도와 전계에 의존함을 알았고, 온도와 전계에 의존하는 임팩트이온화계수를 구하는데 시간을 절약할 수 있다
Park, Il-Jin;Park, Chu-Sik;Kang, Kyoung-Soo;Kim, Chul-Sung
Journal of Magnetics
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제13권3호
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pp.110-113
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2008
In this study, heavy rare earth garnet $Tb_2Bi_1Ga_1Fe_4O_{12}$ powders were fabricated by a sol-gel and vacuum annealing process. The crystal structure was found to be single-phase garnet with a space group of Ia3d. The lattice constant $a_0$ was determined to be 12.465 ${\AA}$. From the analysis of the vibrating sample magnetometer (VSM) hysteresis loop at room temperature, the saturation magnetization and coercivity of the sample are 7.64 emu/g and 229 Oe, respectively. The N$\acute{e}$el temperature($T_N$) was determined to be 525 K. The M$\ddot{o}$ssbauer spectrum of $Tb_2Bi_1Ga_1Fe_4O_{12}$ at room temperature consists of 2 sets of 6 Lorentzians, which is the pattern of single-phase garnet. From the results of the M$\ddot{o}$ssbauer spectrum at room temperature, the absorption area ratios of Fe ions on 24d and 16a sites are 74.7% and 25.3%(approximately 3:1), respectively. These results show that all of the non-magnetic Ga atoms occupy the 16a site by a vacuum annealing process. Absorption area ratios of Fe ions are dependent not only on a sintering condition but also on the temperature of the sample. It can then be interpreted that the Ga ion distribution is dependent on the temperature of the sample. The M$\ddot{o}$ssbauer measurement was carried out in order to investigate the atomic migration in $Tb_2Bi_1Ga_1Fe_4O_{12}$.
This study developed SiC/Al composites for electronic packaging to which reinforcements were added with the volume fractions of 49%, 56% and 63% by the squeeze casting method. 0.8 wt.% of the inorganic binder as well as the $Al_2O_3$ fiber and SiC particles with the volume fraction of 1:10 were added to the SiC/Al composites For the produced SiC/Al composites, the CTEs (coefficients of thermal expansion) were measured from 30 to $300^{\circ}C$ and compared with the FEM numerical simulation to analyze the temperature dependent properties. The experiment showed the CTEs of SiC/Al composites that were intermediate values of those of Rule of Mixture and Turner's Model. The CTEs were close to Turner's Model in the room temperature and approached the Rule of Mixture as the temperature increases. These properties analyzed from the difference of the average stress acting between the matrix and the reinforcements proposed in this study
Microwave extraction system equipped with closed vessels, which is known to rapidly extract target compounds from natural products, was applied to monitor the changes in phenolic compounds, browning color intensity and electron donating ability by using response surface methodology(RSM). Maximum content of phenolic compound was 21.65mg/100ml in 67.88% of ethanol concentration, 145oC of extraction temperature, and 6.24min of extraction time. The phenolic compounds in extracts are dependent on the increase of the extraction temperature and the ethanol concentration. Browning color intensity, which was maximized in 67.21%, 147oC, and 6.02min, was proportional to the increase of the extraction temperature. Maximum value of electron donating ability was 24.50units in 54.33%, 147oC, and 6.11 min. The electron donating ability of extracts was dependent on the increase of extraction temperature and maximized in the range from 50 to 65% of ethanol concentration.
We fabricated high voltage hydrogenerated amorphous silicon thin film transistors (a Si:H HVTFT) and investigated its temperature dependent characteristics of from 303 K to 363 K. The results show that the drain current was decreased at low gate voltage and increased at high gate voltage exponentially. According to the increasing the thickness of a Si layer, drain current increased. Difference of drain current at 363 K was increasd at the lower gate voltage and decreased at the higher gate voltage. When the drain and gate voltage of 100 V applied, the drain current increased linearly with rise temperature.
Bias and frequency-dependent impedance is a technique for the investigation of complex conductivity. At low frequency, complex impedance is dominated by resistive component, and at high frequency by capacitive component. We are going to present the results of the bias and frequency-dependent complex impedance in the device structure of $ITO/Alq_3/Al$ in the temperature range between 10K and 300k. And we will show to change radius of Cole-Cole plot. It will be decrease resistance by temperature. Also equivalent electrical circuit and dielectric relaxation can be accomplished by using the complex impedance analysis.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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