We have performed computer simulation to obtain electro-optic chracteristics of reflective liquid crystal display (LCD) using wide viewing angle LC mode, fringe field switching(FFS). Unlike other reflective LCD modes, in the FFS mode, the LC director in plance so an application to reflective display consisted of polarizer, LC layer and reflector is possible. when an incident light is 550mm, the optimal cell retardation value is 0.1365${\mu}$m and the efficiency of reflectivity is high over 90% with very little wavelength dispersion. Further, we have studied a new reflective display with polarizer, optical compensation film with half plate, LC plus reflector. The display with optimized cell parameters shows high contrast ratio (CR) over 130 with high light efficiency over 90% at normal direction and the CR greater than 5 exists over 60$^{\circ}$ of polar angle in all directions.
We have designed a single gap transflective liquid crystal display (LCD) driven by a fringe electric field, in which the LCs are homogeneously aligned in the initial state. In the reflective and transmissive areas, the degrees of the rotation of the LC director are $22.5^{\circ}$ and $45^{\circ}$, respectively. Utilizing this mechanism and an in-cell retarder with a quarter-wave plate that is used below the LC layer, the transflective LCD using fringe-field switching (FFS) mode is realized.
Randomizing the switching frequency (RSF) to reduce the electromagnetic interference (EMI) of switching power converters is a well-known technique that has been previously discussed. The randomized pulse position (RPP) technique, in which the switching frequency is kept fixed while the pulse position (the delay from the starting of the switching cycle to the turn-on instant within the cycle) is randomized, has been previously addressed in the literature for the same purpose. This paper presents a double-hybrid technique (DHB) for EMI reduction in dc-dc switching regulators. The proposed technique employed both the RSF and the RPP techniques. To effectively spread the conducted-noise frequency spectrum and at the same time attain a satisfactory output voltage quality, two parameters (switching frequency and pulse position) were randomized, and a third parameter (the duty ratio) was controlled by a digital compensator. Implementation was achieved using field programmable gate array (FPGA) technology, which is increasingly being adopted in industrial electronic applications. To evaluate the contribution of the proposed DHB technique, investigations were carried out for each basic PWM, RPP, RSF, and DHB technique. Then a comparison was made of the performances achieved. The experimentally investigated features include the effect of each technique on the common-mode, differential-mode, and total conducted-noise characteristics, and their influence on the converter’s output ripple voltage.
Electro-optical properties of liquid crystal display (LCD) using fringe-field switching (FFS) devices depend on many parameters such as cell retardation, electrode structure, magnitude and sign of dielectric anisotropy, rubbing angle and cell gap. In this paper, the light efficiency of FFS device depending on magnitude of positive dielectric anisotropy with other cell parameters such as rubbing angle and angle and cell gap have been explored compared with FFS device using LC with negative dielectric anisotropy.
The FFS (fringe-field switching) mode was known to exhibit both a wide viewing angle and high transmittance, especially when using a liquid crystal with negative dielectric anisotropy. We have studied cell gap-dependent electrode-optic characteristics of the FFS mode using the LC with negative dielectric anisotropy. In case of a small cell gap of 2 ${\mu}$m, the transmittance at the center of pixel and common electrodes is relatively low because effect of surface anchoring that holds the LC to the initial state is larger than that in a large cell gap of 4 .urn such that the LCs in those regions cannot rotate enough. However, in case of a large cell gap of 4 .urn, the effect of surface anchoring becomes relatively small so that the LCs at the center of pixel and common electrode can be twisted enough by applied voltage, giving rise to high transmittance. Therefore, we can conclude that the light efficiency is dependent on the cell gap.
The influence of photoexcited nonequilibrium carriers on domain switching and photovoltaic current was investigated in two kinds of poled La-modified PbTiO$_3$ferroelectric ceramics, (Pb$_{0.85}$La$_{0.15}$)TiO$_3$and (Pb$_{0.76}$La$_{0.24}$)TiO$_3$, under illumination in the absence of external electric field. Both photovoltaic current and cumulative AE event counts increased with illumination time. The observed nonsteady-state photovoltaic current could be explained on the basis of the cycles of a series of physical events consisting the establishment of space charge field by photoexcited carriers trapped at the grain boundaries, the photoinduced domain switching, and the increase in the remanent polarization. An analysis of energy distribution of the observed AE signals also revealed that the space charge field in (Pb$_{0.85}$La$_{0.15}$)TiO$_3$allowed both 18$0^{\circ}C$ and 90$^{\circ}$domains to be switched during illumination.
The switching characteristics and the magnetization-flop behavior in magnetic tunnel junctions exchange biased by synthetic antiferromagnets (SyAFs) are investigated by using a computer simulations based on a single-domain multilayer model. The bias field acting on the free layer is found to be sensitive to the thickness of neighboring layers, and the thickness dependence of the bias field is greater at smaller cell dimensions due to larger magnetostatic interactions. The resistance to magnetization flop increases with decreasing cell size due to increased shape anisotropy. When the cell dimensions are small and the synthetic antiferromagnet is weakly, or not pinned, the magnetization directions of the two layers sandwiching the insulating layer are aligned antiparallel due to a strong magnetostatic interaction, resulting in an abnormal magneto resistance (MR) change from the high-MR state to zero, irrespective of the direction of the free-layer switching. The threshold field for magnetization-flop is found to increase linearly with increasing antiferromagnetic exchange coupling in the synthetic antiferromagnet. Irrespective of the magnetic parameters and cell sizes, magnetization flop does not exist near zero applied field, indicating that magnetization flop is driven by the Zeeman energy.
There are two types of protection switching : a) automatic switching and b) forced switching. The switching mechanism is generally realised by OAM functions, therefore, the required OAM information field should be reserved in the PLOAM cells. This paper proposes an unidirectional and a bidirectional protection switching method and potential advantages. The unidirectional protection switching method can be faster than the bidirectional method because the unidirectional method does not require an APS protocol for protection switching. The bidirectional protection switching method uses APS K1 byte and K2 byte, which is included in octets of a PST message through downstream or upstream PLOAM cells, for protection switching. As making comparisons between the unidirectional and the bidirectional protection. switching method, this paper proposes an effective constructing method for ATM-PON network.
Direct torque control (DTC) scheme provides a very quick torque response without the complex field-orientation block and inner current regulation loop. DTC is known as an appropriate scheme for high power induction motet drives because it can be used at lower switching frequency. There are two major drawbacks with the application of DTC schemes : one is large current harmonics due to flux drooping in a low speed range, the other is that the inverter switching frequency is varying according to motor parameters and operating speed. Switching devices in the power electronics drives should be supported for relatively high switching frequency. In this paper, a P-type fuzzy controller to realize the variable switching sector scheme and a PID-type fuzzy switching frequency regulator are adopted. A meaningful contribution of this paper is to propose a simple realization scheme of the fuzzy switching frequency regulator. Simulation results show the effectiveness of those propositions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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