To apply the CVD diamond film to coated tools, it is necessary to make adhesion strength between diamond film and substrate stronger. So adhesion strength of diamond coated WC-Co tools using Microwave Plasma CVD and cutting test of Al-18mass%Si alloy using diamond cutting tools were studied. Diamond coating was carried out using Microwave Plasma CVD apparatus. Reaction gas was used mixture of methane and hydrogen. Substrate temperature were varied from 673K to 1173K by control of microwave output power and reaction pressure. By observation of SEM, grain size became larger and larger as substrate temperature became higher and higher. Also all deposits were covered with clear diamond crystals. XRD results, the deposits were identified to cubic diamond. An analysis using Raman spectroscopy, the deposit synthesized at lower substrate temperature (673K) showed higher quality than deposit synthesized at higher substrate temperature (1173K). As a result of scratch adhesion strength test, from 873K to 1173K adhesion strength decreased by rising of substrate temperature. The deposit synthesized at 873K showed best adhesion strength. In the cutting test of Al-18mass%Si alloy using diamond coated tools and the surface machinability of Al-Si works turned with diamond coating tools which synthesized at 873K presented uniform roughness. Cutting performance of Al-18mass%Si alloys using diamond coated WC-Co tools related to the adhesion strength.
Hot embossing techniques are used to engrave patterns on plastic substrates. Roll based hot embossing uses a heated roll for a continuous process. A heated roll with relief patterns is impressed on a preheated plastic substrate. Then, the substrate is cooled down quickly to prevent thermal shrinkage. The roll speed is normally very slow to ensure substrate temperature increase up to the glass transition temperature. In this paper, we propose a noncontact preheating technique using focused infrared light. The infrared light is focused as a line beam on a plastic substrate using an elliptical mirror just before entering the hot embossing roll. The mid range infrared light efficiently raises the substrate temperature. For preliminary tests, substrate deformation and temperature changes were monitored according to substrate speed. The experiments show that the proposed technique is a good possibility for high speed hot embossing.
Co-22 %Cr alloy films are promising for high-density perpendicular magnetic recording media with their perpendicular anisotropy and large coercivity of 3000 Oe. We observed that a self organized nano structure (SONS) of fine ferromagnetic Co-enriched phase and paramagnetic Cr-enriched phase appears inside the grain of Co-Cr magnetic alloy thin films at the elevated substrate temperature after do-sputtering. The periodic fine Co-enriched phase and Cr-enriched phase is the plate shape of 80 (equation omitted)-wide and 1000 (equation omitted)-long. Cr-enriched phases are located at the center of grains. We prepared 5000 (equation omitted) -thick Co-22 %Cr films on polyimide substrate with varying substrate temperature of $ 30^{\circ}C$, $ 150^{\circ}C$ ,200 $^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, and $400^{\circ}C$, respectively. A transmission electron microscope equipped with energy dispersive X-ray analyzer is employed to observe the microstructure of each samples after Co-enri-ched phase are etched selectively. The self organized nano structure of Co-enriched and Cr-enriched lamellar is observed above the substrate temperture of $150^{\circ}C$. No compositional change is observed with substrate temperature. The compositional phase separation in self organized structure becomes clear as the substrate temperature increases. Our results implies that the self organized nano structure in Co-22 %Cr film is ideal for ultra high density recording media by recording selectively on Co-enri-ohed phase.
For the c-axis oriented epitaxial YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$ thin film on r-cut sapphire substrate it is necessary to deposit buffer layers. The CeO$_2$buffer layer was deposited on sapphire substrate using RF magnetron sputtering system. We investigated XRD pattern of CeO$_2$thin films at various sputtering conditions such as sputtering gas ratio, sputtering power, target to substrate distance, sputtering pressure and substrate temperature. The optimum condition was 15 mTorr with deposition pressure, 1:1.2 with $O_2$and Ar ratio and 9cm with target to substrate distance. The CeO$_2$(200) peak was notable for a deposition temperature above 75$0^{\circ}C$. The YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$ was deposited on CeO$_2$buffered r-cut sapphire substrate using pulsed laser ablation. The YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$CeO$_2$(200)/A1$_2$O$_3$thin film was exhibited a critical temperature of 89K.xhibited a critical temperature of 89K.
Ga-doped ZnO (GZO) films were deposited by an RF magnetron sputtering method on glass substrates using ZnO as a target containing 5 wt% $Ga_2O_3$ powder (for Ga doping). The structural, electrical, and optical properties of the GZO thin films were investigated as a function of the substrate temperatures. The deposition rate decreased with increasing substrate temperatures from room temperature to $350^{\circ}C$. The films showed typical orientation with the c-axis vertical to the glass substrates and the grain size increased up to a substrate temperature of $300^{\circ}C$ but decreased beyond $350^{\circ}C$. The resistivity of GZO thin films deposited at the substrate temperature of $300^{\circ}C$ was $7{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, and it showed a dependence on the carrier concentration and mobility. The optical transmittances of the films with thickness of $3,000{\AA}$ were above 80% in the visible region, regardless of the substrate temperatures.
Antimony-doped tin oxide (ATO) thin films, one type of transparent conductive oxide (TCO) films, were prepared on a SiO2-coated glass substrate with different substrate temperatures by a radio-frequency magnetron sputtering system. Structural, optical, and electrical characteristics of the deposited ATO films were analyzed using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, alpha-step, ultraviolet-visible spectrometer, and Hall effect measurement. The substrate temperature during deposition did not affect the basic crystal structure of the films but changed the grain size and film thickness. The optical transmittance of the ATO films deposited at different substrate temperatures was over 70%. The lowest sheet resistance and resistivity were 8.43 × 102 Ω/sq, and 0.3991 × 10-2 Ω·cm, respectively, and the highest carrier concentration and mobility were 2.36 × 1021 cm-3 and 6.627 × 10-2 cm2V-1s-1, respectively, at a substrate temperature of 400 ℃.
We demonstrate a new fabrication method for adjusting the temperature dependence of a polymeric arrayed-waveguide grating (AWG) on a Si substrate. A temperature-dependent wavelength shift of-0.1nm/$^{\circ}C$ in a polymeric AWG on a Si substrate is reduced of+0.1nm/$^{\circ}C$ by detaching part of the polymer film, including the grating channel region of the AWG, from the Si substrate while the other parts remain fixed on the substrate.
In this paper, we reported fabrication of sealing the glass substrate using laser treatment at low temperature for electrochemical luminescence (ECL) cell. The laser treatment at temperature is using laser diode. The glass substrate sealing by laser treatment tested at 1-5 W, 1-5 mm/s for builted and tested. The sealing laser treatment method will allow associate coordination between the two glass substrate was enclosed. The effect of laser treatment to sealing the glass substrate was found to have cracks and air gap at best thickness of about $845-780{\mu}m$ for condition 5 W, 1-5 mm/s. The surface of sealing was roughness which was not influent to electrodes So, it is more effective viscosity between two glasses substrate.
Solid state electrochemical and chemo-resistive gas sensors have been used widely but can operate only under high temperature. For reducing the power consumption and optimizing the structure of the substrate of these sensors, we conducted device and circuit simulations using the COMSOL Multiphysics simulator. For assessing the effective types of substrate and heat isolation, we conducted three-dimensional thermal simulations in two separate parts; (a) by changing the shape of the contacting holes and (b) punching additional holes on the substrate. Thus, it was possible to achieve high temperature in the sensor end of the substrate while maintaining low power consumption, and temperature in the circuit.
This study investigates the evaporation characteristics of paired sessile droplets on a heated substrate. In particular, the evaporation time and contact line behaviors were analyzed based on the droplet-to-droplet distance and substrate temperature. The contact line behavior and volume variations were visualized using the shadowgraph method. It was observed that the contact diameter and contact angle exhibited similar behavior for both single and paired droplets regardless of the droplet-to-droplet distance and substrate temperature. The paired droplets demonstrated a longer evaporation time than the single droplet due to the vapor accumulation between the droplets. Furthermore, the scaled lifetime, defined as the ratio of evaporation time between paired and single droplets, increased as the droplet-to-droplet distance decreased and decreased as the substrate temperature increased, attributed natural convection.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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