This paper describes the micro cutting of wear resistant tungsten carbides using PCD (Poly-Crystalline Diamond) cutting tools in performance with SEM (Scanning Electron Microscope) direct observation method. Turning experiments were also carried out on this alloy (V50) using a PCD cutting tool. One of the purposes of this study is to describe clearly the cutting mechanism of tungsten carbides and the behavior of WC particles in the deformation zone in orthogonal micro cutting. Other purposes are to achieve a systematic understanding of machining characteristics and the effects of machining parameters on cutting force, machined surface and tool wear rates by the outer turning of this alloy carried out using the PCD cutting tool during these various cutting conditions. A summary of the results are as follows: (1) From the SEM direct observation in cutting the tungsten carbide, WC particles are broken and come into contact with the tool edge directly. This causes tool wear in which portions scrape the tool in a strong manner. (2) There are two chip formation types. One is where the shear angle is comparatively small and the crack of the shear plane becomes wide. The other is a type where the shear angle is above 45 degrees and the crack of the shear plane does not widen. These differences are caused by the stress condition which gives rise to the friction at the shear plane. (3) The thrust cutting forces tend to increase more rapidly than the principal forces, as the depth of cut and the cutting speed are increased preferably in the orthogonal micro cutting. (4) The tool wear on the flank face was larger than that on the rake face in the orthogonal micro cutting. (5) Three components of cutting force in the conventional turning experiments were different in balance from ordinary cutting such as the cutting of steel or cast iron. Those expressed a large value of thrust force, principal force, and feed force. (6) From the viewpoint of high efficient cutting found within this research, a proper cutting speed was 15 m/min and a proper feed rate was 0.1 mm/rev. In this case, it was found that the tool life of a PCD tool was limited to a distance of approximately 230 m. (7) When the depth of cut was 0.1 mm, there was no influence of the feed rate on the feed force. The feed force tended to decrease, as the cutting distance was long, because the tool was worn and the tool edge retreated. (8) The main tool wear of a PCD tool in this research was due to the flank wear within the maximum value of $V_{max}$ being about 260 $\mu\textrm{m}$.
manganese oxides have been prepared by Chimie Douce redox reaction between permanganate and chalcogen element fine powder under acidic condition (pH = 1). According to powder X-ray diffraction analyses, the S- and Se-doped manganese oxides are crystallized with layered birnessite and tunnel-type -MnO2 structures, respectively. On the contrary, Te-doped compound was found to be X-ray amorphous. According to EDS analyses, these compounds contain chalcogen dopants with the ratio of chalcogen/manganese = 4-7%. We have investigated the chemical bonding character of these materials with X-ray absorption spectroscopic (XAS) analysis. Mn K-edge XAS results clearly demonstrated that the manganese ions are stabilized in octahedral symmetry with the mixed oxidation states of +3/+4. On the other hand, according to Se K- and Te L1-edge XAS results, selenium and tellurium elements have the high oxidation states of +6, which is surely due to the oxidation of neutral chalcogen element by the strong oxidant permanganate ion. Taking into account their crystal structures and Mn oxidation states, the obtained manganese oxides are expected to be applicable as electrode materials for lithium secondary batteries.
Kim, Sam-Dong;Lee, Seong-Dae;Lee, Jin-Gu;Hwang, In-Seok;Park, Dae-Gyu
Korean Journal of Materials Research
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v.10
no.12
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pp.812-818
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2000
We studied the effects of Ge preamorphization (PAM) on 0.25$\mu\textrm{m}$ Ti-salicide junctions using comparative study with As PAM. For each PAM schemes, ion implantations are performed at a dose of 2E14 ion/$\textrm{cm}^2$ and at 20keV energy using $^{75}$ /As+and GeF4 ion sources. Ge PAM showed better sheet resistance and within- wafer uniformity than those of As PAM at 0.257m line width of n +/p-well junctions. This attributes to enhanced C54-silicidation reaction and strong (040) preferred orientation of the C54-silicide due to minimized As presence at n+ junctions. At p+ junctions, comparable performance was obtained in Rs reduction at fine lines from both As and Ge PAM schemes. Junction leakage current (JLC) revels are below ~1E-14 A/$\mu\textrm{m}^{2}$ at area patterns for all process conditions, whereas no degradation in JLC is shown under Ge PAM condition even at edge- intensive patterns. Smooth $TiSi_2$ interface is observed by cross- section TEM (X- TEM), which supports minimized silicide agglomeration due to Ge PAM and low level of JLC. Both junction break- down voltage (JBV) and contact resistances are satisfactory at all process conditions.
Shinde, N.M.;Nam, Min Sik;Patil, U.M.;Jun, Seong Chan
KEPCO Journal on Electric Power and Energy
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v.2
no.1
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pp.97-101
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2016
ZnO has nanostructured material because of unique properties suitable for various applications. Amongst all chemical and physics methods of synthesis of ZnO nanostructure, the hydrothermal method is attractive for its simplicity and environment friendly condition. Nanostructure ZnO thin films have been successfully synthesized on fluorine doped tin oxide (FTO) substrate using hydrothermal method. A possible growth mechanism of the various nanostructures ZnO is discussed in schematics. The prepared materials were characterized by standard analytical techniques, i.e., X-ray diffraction (XRD) and Field-emission scanning electron microscopy (SEM). The XRD study showed that the obtained ZnO nanostructure thin films are in crystalline nature with hexagonal wurtzite phase. The SEM image shows substrate surface covered with nanostructure ZnO nanrod. The UV-vis absorption spectrum of the synthesized nanostructure ZnO shows a strong excitonic absorption band at 365 nm which indicate formation nanostructure ZnO thin film. Photoluminescence spectra illustrated two emission peaks, with the first one at 424 nm due to the band edge emission of ZnO and the second broad peak centered around 500 nm possibly due to oxygen vacancies in nanostructure ZnO. The Raman measurements peaks observed at $325cm^{-1}$, $418cm^{-1}$, $518cm^{-1}$ and $584cm^{-1}$ indicated that nanostrusture ZnO thin film is high crystalline quality. We trust that nanostructure ZnO material can be effectively will be used as a highly active and stable phtocatalysis application.
Journal of the Korean Institute of Traditional Landscape Architecture
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v.28
no.1
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pp.102-112
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2010
By understanding physiological characters of plants and the environment, plant design should decide the relationship with other plants from the designer's curiosity of the plant's color, texture, form and other aspects. There are a traditional tendency that many designers put the plant's color ahead of other aspects. This study explores 4 gardens of Gertrude Jekyll's Munstead Wood, Vita Sackvill-West's Sissinghurst, Christopher Lloyd's Grest Dixter and Lawrence Johnston's Hidcote Manner. The flower border of Munstead is started with light grey and blue at the edge and it gets stronger colors like red and orange as the line comes to the middle. It is noticeable that white an blue colors were used unlike before. Sissinghurst made use of purple color which was very seldom used before and Dixter added orange to magenta color that was already there, giving a strong visual effect and through juxtaposition it could realize the wanted effect. A strong red border line was created in Hidcote Manner. Above mentioned designers arranged various colors so that visitors can experience different spacial senses according to observer's direction. In the cognitive space the main color and the secondary color arranged leading to the fact that the observer recognizes it as a whole. In plant design time means seasonal performance which influences the main color arrangement like gradation or contrast. Moreover, space determines the color's zone when it comes to plant design.
Painterly animation is a method that expresses painterly images with a hand-painted appearance from a video, and the most crucial element for it is the temporal coherence of brush strokes between frames. A motion map is proposed in this paper as a solution to the issue of maintaining the temporal coherence in the brush strokes between the frames. A motion map is the region that frame-to-frame motions have occurred. Namely, this map refers to the region frame-to-frame edges move by the motion information with the motion occurred edges as a starting point. In this paper, we employ the optical flow method and block-based method to estimate the motion information. The method that yielded the biggest PSNR using the motion information (the directions and magnitudes) acquired by various methods of motion estimation has been chosen as the final motion information to form a motion map. The created motion map determine the part of the frame that should be re-painted. In order to express painterly images with a hand- painted appearance and maintain the temporal coherence of brush strokes, the motion information was applied to only the strong edges that determine the directions of the brush strokes. Also, this paper seek to reduce the flickering phenomenon between the frames by using the multiple exposure method and the difference map created by the difference between images of the source and the canvas. Maintenance of the coherence in the direction of the brush strokes was also attempted by a local gradient interpolation to maintain the structural coherence.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.49
no.6
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pp.27-38
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2012
In this paper, we introduce CoMP in 3GPP LTE-Advanced Release 11 to take care of shadowing effects appearing in cell-edge areas to meet rapidly increasing demand for high speed transmission and multi-media data. In order to mitigate interference, orthogonalizing is ideal but it is slightly difficult to be applied to real systems. Therefore, interference alignment and avoidance are used in practical applications. Interference alignment is a scheme enabling us to consider interference our friend not enemy. We show lattice codes in Gaussian channel achieve Shannon capacity where strong interference exists. In addition, we show the relationship between channel parameter a and DoF(Degree of Freedom) applying lattice codes to interference alignment for interference channel with three users.
This article was intended as fundamental materials to recognize the current status of furniture hard ware in Korean market and to fix the identity of Korean furniture, by investigating and comparing the furniture hard ware used in the Joseon era and in modern times by type, function, shape and material. The analysis of furniture hard ware of the Joseon era and modern times from the view of functional aspects was oriented to the hard ware necessary to open and close the door & drawer on one side, and to that being attached to the main body of furniture not to scratch the wood by another wood on the other side, and from this the following conclusion was drawn. First of all, "Gwangdoojung" - a kind of spike- and metal decoration on the edge of the furniture disappeared, while the function-oriented hard wares have been diversified in modern times, from the perspective of the change of kinds. Second, the functional aspect of the furniture hard ware was emphasized in modern times than the Joseon era. In other words, the hard wares of the Joseon era came into view due to their strong appeal to decoration, whereas those of modern times were mostly hidden or moderated, keeping the function substantially. Third, the hard wares from the Joseon era were shown in concrete and detailed shape motivated by natural objects and furthermore even gloriously, but the modern hard wares are simple & basic geometry, from a formative point of view. Fourth, the material aspects present that the Joseon era's hard ware was mainly cast iron, whereas that of modern times shows the diversification from metal to even plastic. Finally, the recent trend in naming of the hard wares is the words of foreign origin. This resulted from that the foreign names of hard wares are valid also after import process in Korean market, so the domestic development of hard ware as the essential factor for the furniture design is urgently necessary to establish the identity of Korean modern furniture.
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.30
no.3
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pp.37-45
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2002
The vortex flow and aerodynamic load characteristics of a $65^{\circ}$ sweep delta wing with the leading edge extension in sideslip condition is investigated experimentally. The freestream velocity is 40 m/sec, which corresponds to a Reynolds number per meter of $1.76{\times}10^6$ based on the wing root chord. The angles of attack range from $12^{\circ}$ to $28^{\circ}$, and the sideslip angles treated are $0^{\circ}$ , $-10^{\circ}$, $-20^{\circ}$. The LEX vortex of the leeward side. The LEX and wing vortics coalesce to to become a concentrated strong vortex or to break down at down at downstream position. Due to the interation of the LEX and wing vortices, a high suction pressure is maintained on the windward wing surface, and a low suction pressure is formed on the leeward wing surface
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.14
no.6
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pp.648-654
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2003
Diamond MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) diodes and MISFETs(Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistors) were fabricated by employing various fluorides as gate insulator, and their electrical properties were closely investigated by means of C-V measurements. The A1/BaF$_2$/diamond MIS structure exhibited outstanding electrical properties. The MIS diode showed a very low surface state density of ∼10$\^$10//$\textrm{cm}^2$ eV near the valence band edge, and the observed effective mobility(${\mu}$$\_$eff/) of the MISFET was 400 $\textrm{cm}^2$/Vs, which is the highest value obtained until now in the diamond FET. From the chemiphysical point of view, the above result might be explained by the reduction of adsorbed-oxygen on the diamond surface via strong chemical reaction by the constituent Ba atom in the insulator during the film deposition(Oxygen-Gettering Effect).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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