• 제목/요약/키워드: single crystal growth

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수직 Bridgman 법에 의한 CdTe 단결정 성장에 관한 연구 (A Study on the CdTe Single Crystal Growth by Vertical Bridgman Method)

  • 이종기;김욱;백홍구
    • 한국주조공학회지
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    • 제10권4호
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    • pp.324-331
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    • 1990
  • The single crystal of CdTe was grown by modified 6 zone Bridgman method under the conditions of excess Te and excess Cd. To prevent the constitutional supercooling, the crystal growth was done under the temperature gradient of $17^{\circ}C/cm$ in front of the solid /liquid interface and the growth rate was 3mm/hr. The grain morphologies and the growth mechanism were investigated in excess Te and excess Cd conditions. The grain size of excess Te crystal was increased with an increase of the distance from the tip but, in the case of excess Cd crystal, single crystal was not obtained because of the cavities due to the excess Cd vapors so that the grain size was not increased with an increase of the distance from the tip. In addition, the growth of single crystal of CdTe was done with repeated necking ampoule. It was found that the necking had no effects on the grain selection because the cavities trapped in the necking portion acted as heterogeneous nucleation sites.

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Traveling solvent Floating Zone법에 의한 $Y_3Fe_5O_{12}$단결정 육성 (Single Crystal Growth of $Y_3Fe_5O_{12}$ by the Traveling solvent Floating Zone(TSFZ) Method)

  • 이동주;신건철
    • 한국결정성장학회지
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    • 제1권1호
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    • pp.39-50
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    • 1991
  • 적외선 집중가열 방식의 FZ장치를 이용하여 floation zone 결정 성장기술을 변형한 traveling solvent floating zone(TSFZ)기술로 yttrium iron garnet(YIG: Y3Fe5O12) 단결정을 성장하였다. 또한 TSFZ기술을 확립하기 위하여 단결정 성장시 미치는 여러 가지 영향을 조사하였다. 성장된 YIG결정은 직경이 5~6mm, 길이가 15~36mm이었으며, 이때 성장조건은 성장속도 1mm/h, 회전속도 30rpm, gas flow rate 0.2 1/min, zone aspect ratio 0.9~1, convexity 0.29이었다.

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Hydride vapor phase epitaxy에 의한 후막 AlN 단결정의 성장 거동에 관한 연구 (A study on the growth behavior of AlN single crystal growth by hydride vapor phase epitaxy)

  • 강승민
    • 한국결정성장학회지
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    • 제34권4호
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    • pp.139-142
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    • 2024
  • SiC와 GaN 등의 광에너지갭 소재들의 전력반도체에 대한 활용과 소자의 개발 추세와 함께 더 높은 에너지갭을 갖는 AlN 단결정에 대한 연구도 2인치 단결정 웨이퍼의 개발 성공 등 많은 연구 결과가 보고되고 있다. 그러나, 화학기상증착공법을 적용하여 성장된 AlN 단결정은 수 마이크로미터의 두께 이하의 박막은 개발되었으나, 그 이상의 두께를 갖은 결과는 거의 없다. 따라서, 본 연구에서는 화학기상증착공법중 하나인 HVPE(Hydride vapor phase epitaxy) 법을 적용하여 성장하고자 하였다. 성장된 AlN 단결정은 자체 제작된 설비를 이용하여 제작하였으며, 사파이어 기판을 사용하여, AlN 단 결정을 제조하기 위한 조건을 확립하고자 하였고, 그 결과를 광학현미경 관찰을 통하여 성장거동을 고찰하고자 하였다.

FZ법에 의한 $YbFeCoO_4$ 단결성 성장 ($YbFeCoO_4$ single crystal growth by FZ method)

  • 강승민;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제4권1호
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    • pp.57-62
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    • 1994
  • FZ법을 이용하여 $YbFeCoO_4$ 단결정을 성장하였다. 결정 성장은 공기분위기 중에서 이루어졌으며, 성장 속도는 1~2mm/hr로 조절하였으며, 성장 초기는 $YbReO_3$와 CoO로 분해 되었으나 용융 후 액상의 조성이 변화됨에 따라 $YbFeCoO_4$ 단일사의 단결정이 육성되었다.결정의 성장 방향은 c축에 수직으로 성장하였으며 다결정의 종자 결정을 이용하여 용이성장축으로 성장된 결정의 성장 방향은[110]방향이었다.

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EFG법에 의한 ${alpha}-Al_2O_3$ rod 형상단결정 성장에 관한 연구 (${alpha}-Al_2O_3$ rod shape single crystal growth by EFG method)

  • J.W. Han;J.T. Choi;Keun Ho Orr
    • 한국결정성장학회지
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    • 제4권2호
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    • pp.190-198
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    • 1994
  • 자체 제작한 EFG 장치를 이용하여 ${alpha}-Al_2O_3$ rod 형태의 단결정을 육성하였다. EFG법의 원리를 연구하여 성장 조건을 수립하였고 성장한 단결정의 결함 voids, striation, 균열, 과 냉각 현상을 광학현미경으로 분석하였다.

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Growth and upconversion properties of erbium doped $LiNbO_{3}$ single crystal fibers

  • Yang, Woo-Seok;Suh, Su-Jeong;Lee, Jong-Ho;Fukuda, Tsuguo;Yoon, Dae-Ho
    • 한국결정성장학회지
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    • 제9권4호
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    • pp.377-380
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    • 1999
  • Erbium (Er) doped $LiNbO_{3}(Er:LiNbO_{3})$ single crystal fibers were grown free of creacks along the c-axis by micro-pulling down method. The $Er^{3+}$ concentration was distributed homogeneously along the growth axis. The samples for optical characterization were cut from as-grown single crystal fibers and polished. When the 980nm light was incident on the sample, upconversion phenomena were observed at the green range of wavelength 510~570nm. In addition, the intensity of upconversion was remarkably increased by increasing the concentration of $Er_{2}O_{3}$ dopant in as-grown $Er:LiNbO_{3}$ crystals.

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스컬(Skull)법에 의한 Y-Ba-Cu-O계 단결정 성장 (Y-Ba-Cu-O Single Crystals Growth by Skull Method)

  • 정대식;오근호
    • 한국세라믹학회지
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    • 제27권1호
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    • pp.43-47
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    • 1990
  • An attempt was made to grow Y-Ba-Cu-O single crystals by skull method(cold crucible process). Grown YBa2Cu3O7-x(YBC) single crystals were obtained from the upper part of the YBC solid mixture. There were plate-like YBC single crystals aligned with solidified flux along the crystal growth direction. Single crystal size was (5$\times$2$\times$0.2㎣) and was grown to a-b plane of YBC crystal structure which can flow super currents. Optical microscope and X-ray diffraction were employed characterize these microstructure and YBC single crystals.

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Crystal growth of yttrium vanadate by the EFG technique

  • Kochurikhin, V.V.;Ivanov, M.A.;Suh, S.J.;Yoon, D.H.
    • 한국결정성장학회지
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    • 제11권5호
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    • pp.203-206
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    • 2001
  • The applicability of shaped growth of yttrium orthovanadate was approved by successful growth of rod-like single crystals with the rectangular shape. Nd-doped single crystals with content of $Nd^{3+}$ ions of 1,2,3,5 atomic % in the starting melt were grown by the EFG technique with the size up to $10^{*}10mm$ in section and up to 85 mm in length. For the testing of the multiple growth of the orthovanadates, two and three Nd-and Yb-doped $YVO_{4}$ single crystals were grown by the EFG technique simultaneously up to 110 mm in length.

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Growth parameters and formation of slip plane in ZnWO4 single crystals by the Czochralski method

  • Lim, Chang-Sung
    • 한국결정성장학회지
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    • 제20권5호
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    • pp.202-206
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    • 2010
  • Single crystals of $ZnWO_4$ were grown successfully in the [100], [010] and [001] directions using the Czochralski method. The growth parameters and the formation of slip plane in $ZnWO_4$ crystals were studied. $ZnWO_4$ crystals had a cleavage plane of (010). The dislocation density on the (010) plane at the center of the crystal was lower than that of the edge region. It was inferred that the high density at the edge of the crystals was caused by the thermal gradient during crystal growth. The etch pit arrangement revealed the (100) slip plane to be most active during crystal growth.

Halogen floating zone 법에 의한 $LiTaO_3$ 단결정 성장$I.LiTaO_3$단결정 성장특성 ($LiTaO_3$ single crystal growth by the halogen floating zone method I. Growth characteristics of LT single crystals)

  • 류정호;임창성;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.528-535
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    • 1997
  • Halogen type floating zone system을 이용하여 직경 6 mm, 길이가 20 mm인 조화용융조성(congruently melting composition)의 $LiTaO_3$(LT) 단결정을 성장시켰다. 최적의 분말합성조건, 원료봉의 소결조건, 결정 성장조건을 확립하였다. 공기나 질소분위기에서는 결정성장이 불가능하였으나 아르곤 분위기에서는 안정한 형태의 용융대를 형성 및 유지할 수 있어서 결정성장이 용이하게 진행될 수 있었다. 성장된 결정으로 Laue back reflection pattern, 전이온도, 굴절율분포, 투과율을 측정하여 성장된 결정의 물성을 평가하였다. 성장된 결정의 부분별(top, body, tail) 전이온도 차가 $1^{\circ}C$로 측정되어 floating zone(FZ)법으로 성장된 LT결정이 조성적으로 균일함을 확인할 수 있었다.

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