측면이 코어 가까이 연마된 단일모드 광섬유와 평면도파로의 소산장 결합을 이용한 광필터의 동작특성을 측정할 수 있는 간단한 방법이 제안되었다. 측면이 연마된 하나의 광섬유 블록(block)과 실리콘 산호막위에 평면도파로를 독립적으로 제작한 후 특성을 측정하기 위하여 물리적 압력으로 광결합을 시켰다. 굴절률이 다른 몇 가지 폴리머를 평면도파로의 코어층으로 이용하였다. 이 측정방법으로 소자제작 과정에서 광 결합기의 중심파장, 대역폭, 소멸비, 그리고 편광 의존성들이 간단하게 측정될 수 있다. 광도파로 물질의 굴절률이 높을수록 파장선택성이 높아졌다. 평면도파로의 대칭적 도파로 구조와 도파 물질의 등방성 때문에 편광의존성이 작게 나타났다. 삽입 손실을 0.5dB이하였다. 본 연구에서 제안한 측정방법은 광섬유와 평면도파로 결합기를 이용한 광변조기와 광필터 등 다양한 소자개발에 도움이 될 수 있을 것으로 기대된다.
Turquoise blue pigment of Vanadium-zircon blue (DCMA number 14-42-2), which was already commercialized, was stable to be reproduced but insufficient to give strong blue. However, it possible to obtain more intense blue by partially substituting cobalt ions into the willemite($Zn_2SiO_4$) lattice classified into DCMA number 7-10-2 for blue ceramic pigment. By the composition of willemite $Co_xZn_{2-x}SiO_4$(X=0.01, 0.03, 0.05, 0.07, 0.09 mole), this study used reagent grade zinc oxide, cobalt oxide and silicon dioxide as starting materials, carrying out the synthesis with solid reaction method by adding $H_3BO_3$ as a mineralizer. The firing temperature was between $1200^{\circ}C$ and $1400^{\circ}C$. The characteristics of synthesized pigment were analyzed by X-ray diffraction, Raman spectroscopy and SEM and the characteristics of color tones were analyzed by UV-Vis spectroscopy and CIE-$L^*a^*b^*$ measurement. As a result, the optimal composition was $Zn_{1.95}Co_{0.05}$ with 1wt% of $H_3BO_3$ as a mineralizer and firing condition was $1350^{\circ}C$/3 h. $L^*a^*b^*$ value was 29.25, 41.03, -59.93 for on glaze pigment and 37.03, 36.41, -60.03 for under glaze pigment.
Kim, Eun-Kyu;Lee, Dong-Uk;Kim, Seon-Pil;Lee, Tae-Hee;Koo, Hyun-Mo;Shin, Jin-Wook;Cho, Won-Ju;Kim, Young-Ho
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제8권1호
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pp.21-26
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2008
We fabricated nano-particles of ZnO, $In_2O_3$ and $SnO_2$ by using the chemical reaction between metal thin films and polyamic acid. The average size and density of these ZnO, $In_2O_3$ and $SnO_2$ nano-particles was approximately 10, 7, and 15 nm, and $2{\times}10^{11},\;6{\times}10^{11},\;2.4{\times}10^{11}cm^{-2}$, respectively. Then, we fabricated nano-floating gate memory (NFGM) devices with ZnO and $In_2O_3$ nano-particles embedded in the devices' polyimide dielectrics and silicon dioxide layers as control and tunnel oxides, respectively. We measured the current-voltage characteristics, endurance properties and retention times of the memory devices using a semiconductor parameter analyzer. In the $In_2O_3$ NFGM, the threshold voltage shift (${\Delta}V_T$) was approximately 5 V at the initial state of programming and erasing operations. However, the memory window rapidly decreased after 1000 s from 5 to 1.5 V. The ${\Delta}V_T$ of the NFGM containing ZnO was approximately 2 V at the initial state, but the memory window decreased after 1000 s from 2 to 0.4 V. These results mean that metal-oxide nano-particles have feasibility to apply NFGM devices.
The purpose of this study is to investigate the loess dyeability of soybean fabric using loess as colorants. Recent days, various textile products such as inner wears, sheets and interior goods are manufactured using materials dyed with loess emphasizing its improved metabolism, anti-bacterial, deodorizing properties, and far infrared ray emissions. Soybean fabric was dyed with loess solution according to concentration of loess, dyeing temperature and dyeing time. To improve washing fastness, soybean fabric and dyed soybean fabric with loess were mordanted by mordanting agents such as sodium chloride(NaCl), Acetic acid(CH3COOH) and Aluminium Potassium Sulfate(AlK(SO4)2·12H2O). Dyeability and color characteristics of dyed soybean fabric were obtained by CCM observation. Particle size distribution of loess, the dyeability(K/S) of soybean fabric, morphology and washing durability of loess dyed soybean fabric were investigated. The results obtained were as follows; Mean average diameter of loess was 1.08µm. The main components of loess used in this study were silicon dioxide(SiO2), aluminium oxide(Al2O3), and iron oxide(Fe2O3). The content of these three component was above 75 weight %. The dyeability of soybean fabric was increased gradually with increasing concentration of loess. The optimum dyeing temperature and dyeing time were 90℃ and 60minutes expectively. The fastness to washing according to concentration of loess and mordanting method indicated good grade result as more than 4 degree in all conditions.
알칼리 활성슬래그(AAS)는 $CO_2$ 배출 부하가 큰 보통포틀랜드시멘트(OPC)의 가장 확실한 대체 재료로써 구조재로 이용하기 위해서는 내구성 평가 및 검증이 필요하다. 내구성 평가지표의 큰 비중을 차지하고 있는 것이 탄산화저항성인데, 알칼리 활성슬래그는 낮은 칼슘 함유량 때문에 OPC보다 탄산화 저항성이 약한 것으로 알려져 있다. 이 연구에서는 알칼리 활성슬래그의 모재료인 고로슬래그의 염기도(CaO/$SiO_2$)를 메카노-케미컬 합성법에 의해 조정하고, 조정된 염기도에 따라 수화생성물의 구성변화와 탄산화 전 후의 물리적 특성이 어떻게 변하는지 살펴보았다. 실험 결과 염기도가 높을수록 강도 증가와 탄산화 저항성이 향상되고, 탄산화 후 강도 저하가 개선되었다.
신경망은 선형 시스템뿐만 아니라 비선형 시스템에 있어서도 탁월한 모델링 및 예측 성능을 갖고 있다. 하지만 좋은 성능을 갖는 신경망을 구현하기 위해서는 최적화 해야할 파라미터들이 있다. 은닉층의 뉴런의 수, 학습율, 모멘텀, 학습오차 등이 그것인데 이러한 파라미터들은 경험에 의해서, 또는 문헌들에서 제시하는 값들을 선택하여 사용하는 것이 일반적인 경향이다. 하지만 신경망의 전체적인 성능은 이러한 파라미터들의 값에 의해서 결정되기 때문에 이 값들의 선택은 보다 체계적인 방법을 사용하여 구하여야 한다. 본 논문은 유전 알고리즘을 이용하여 이러한 신경망 파라미터들의 최적 값을 찾는데 목적이 있다. 유전 알고리즘을 이용하여 찾은 파라미터들을 사용하여 학습된 신경망의 학습오차와 예측오차들을 심플렉스 알고리즘을 이용하여 찾는 파라미터들을 사용하여 학습된 신경망의 오차들과 비교하여 본 결과 유전 알고리즘을 이용하여 찾을 파라미터들을 이용했을 때의 신경망의 성능이 더욱 우수함을 알 수 있다.
Serious environmental problems have been caused by the greenhouse effect due to carbon dioxide($CO_2$) or nitrogen oxides($NO_x$) generated by the use of fossil fuels, including oil and liquefied natural gas. Many countries, including our own, the United States, those of the European Union and other developed countries around the world; have shown growing interest in clean energy, and have been concentrating on the development of new energy-saving materials and devices. Typical non-fossil-fuel sources include solar cells, wind power, tidal power, nuclear power, and fuel cells. In particular, organic solar cells(OSCs) have relatively low power-conversion efficiency(PCE) in comparison with inorganic(silicon) based solar cells, compound semiconductor solar cells and the CIGS [$Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$] thin film solar cells. Recently, organic cell efficiencies greater than 10 % have been obtained by means of the development of new organic semiconducting materials, which feature improvements in crystalline properties, as well as in the quantum-dot nano-structure of the active layers. In this paper, a brief overview of solar cells in general is presented. In particular, the current development status of the next-generation OSCs including their operation principle, device-manufacturing processes, and improvements in the PCE are described.
Cu CMP (Chemical Mechanical Planarization) has been used to remove copper film and obtain a planar surface which is essential for the semiconductor devices. Generally, it is known that chemical reaction is a dominant factor in Cu CMP comparing to Silicon dioxide CMP. Therefore, Cu CMP slurry has been regarded as an important factor in the entire process. This investigation focused on understanding the effect of corrosion inhibitor on copper surface and CMP results. Benzotriazole (BTA) was used as a corrosion inhibitor in this experiment. For the surface analysis, electrochemical characteristics of Cu was measured by a potentiostat and surface modification was investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). As a result, corrosion potential (Ecorr) increased and nitrogen concentration ratio on the copper surface also increased with BTA concentration. These results indicate that BTA prevents Cu surface from corrosion and forms Cu-BTA layer on Cu surface. CMP results are also well matched with these results. Material removal rate (MRR) decreased with BTA concentration and static etch rate also showed same trend. Consequently, adjustment of BTA concentration can give us control of step height variation and furthermore, this can be applicable for Cu pattern CMP.
본 논문에서는, ULSI에서 기존의 실리콘 절연막을 대체할 것으로 여겨지는 질화 산화막(NO)과 재산화 질화 산화막(ONO)의 전기적 특성을 조사하였다. 특히, 질화 및 재산화 시간에 따른 NO와 ONO막의 전류전압 특성, 게이트 전압이동, 시간종속 절연항복 특성(TDDB) 변화를 측정하였고, 외부 온도 변화에 따른 최적화 된NO와 ONO막의 누설 전류와 절연체가 항복에 이르게 하는 전하량(Q$\_bd$)변화를 측정하였다. 그런 다음 기존의SIO$\_2$와 비교하였다. 측정 결과로부터, NO와 ONO막은 공정시간에 상당히 의존적이었으며, 최적화된 ONO막은 같은 전계를 유지하는 동안 절연 특성 및 Q$\_bd$특성에서 NO막과 SIO$\_2$에 비하여 우수한 성능을 보였다.
We have proposed an optical thin film and micro lens to improve the luminance of organic light emitting device. The first method, optical thin film was calculated refractive index of dielectric layer material that was modulated refractive index of organic material, ITO (indium tin oxide)and glass. The second method, microlens was applied with lenses on the organic device. Optical thin films were designed with Macleod Simulator and Micro Lenses were calculated by FDTD (finite-difference time-domain) solution. The structure of thin film was designed in organic material/ITO/dielectric layer/glass. The lenses size, height and distance were 5 ${\mu}m$, 1 ${\mu}m$, 1 ${\mu}m$, respectively. The material of micro lenses used silicon dioxide. Result, The highest luminance of OLED which applied with microlens was 11,185 $cd/m^2$, when approval voltage was 14.5 V, applied thin film was 5,857 $cd/m^2$. The device efficiency applying microlens increased 3 times than the device which does not apply microlens.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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