아크릴 공중합체의 구조와 다관능성 단량체의 관능성 및 함량을 조절하여 반도체 제조공정에 적합한 자외선 경화형 점착제를 제조하였다. 아크릴 공중합체는 점착력을 부여하는 기본수지로 사용되었고 다관능성 단량체는 광가교 특성으로 인하여 3차원 가교구조와 가교밀도를 변화시키기 위해 사용하였다. 아크릴 공중합체는 단량체 조성에서 2-ethylhexyl acrylate의 함량이 감소할수록 자외선 조사 후의 박리 점착력이 감소하였다. 광경화 특성을 갖는 다관능성 단량체의 탄소 이중결합 관능성이 증가할수록 자외선 조사 후 가교밀도가 증가하여 박리 점착력이 감소하였고 박리 후 웨이퍼 표면에 남게 되는 점착제 잔사물도 크게 감소하였다. 6관능성 단량체를 20 phr 포함하는 광가교형 감압점착제가 자외선 조사 전 점착력이 높고, 자외선 조사 후 박리 점착력이 낮고, 박리 후 웨이퍼 표면에 남게 되는 점착제 잔사물이 가장 적었다.
$SF_6$는 지구온난화지수가 가장 높은 중요한 온실가스이다. 본 연구에서는 마이크로파 조사에 따른 산화알루미늄이 혼합된 실리콘카바이드의 SF6 제거실험을 실시하였다. DRE (Decomposition and Removal Efficiencies)실험은 3,000 ppm의 $SF_6$를 사용하여 GC-TCD를 통하여 분석하였다. 산화알루미늄의 함량이 10~30 wt%까지 $SF_6$의 제거효율은 증가하였으나 산화알루미늄의 함량이 40~50 wt%에서 제거효율이 감소하였다. 특히 $900^{\circ}C$ 이상 에서 SiC-$Al_2O_3$ (20 wt%)와 SiC-$Al_2O_3$ (30 wt%)는 99.99%의 $SF_6$ 제거효율을 보여주었으며 SiC-$Al_2O_3$ (30 wt%)가 $700^{\circ}C$에서 96.72%의 제거효율을 보여주었다. 마이크로파 조사량과 산화알루미늄의 함량을 고려시 SiC-$Al_2O_3$ (30 wt%)가 $SF_6$ 제거에 가장 적절하였다. 본 연구의 결과로 마이크로파에 의한 $SF_6$ 제거시 SiC에 $Al_2O_3$의 함량 조절이 중요할 것으로 사료되어진다.
[ $Si_3N_4$ ] composites have been extensively studied for engineering ceramics, because it has excellent room and high temperature strength, wear resistance properties, good resistance to oxidation, and good thermal and chemical stability. In the present work, carbon short fiber reinforced $Si_3N_4$ ceramics were fabricated by hot press method in $N_2$ atmosphere at $1800^{\circ}C$ using $Al_2O_3\;and\;Y_2O_3$ as sintering additives. Content of carbon short fiber was $0\%,\;0.1\%\;and\;0.3\%$. The composites were evaluated in terms of density, flexural strength and elastic modulus through the 3-point bending test at room temperature. Also, The wear behavior was determined by the pin on disk wear tester using silicon nitride ball. Experimental density and flexural strength decreased with increasing content of carbon fiber. But specific modulus increased with increasing content of carbon fiber. In addition, friction coefficient and specific wear loss decreased with increasing content of carbon short fiber by reason of interfacial defects between matrix and fiber.
Fluorine-doped $SnO_2\;(SnO_2:F)$ films were prepared in ordinary atmosphere on borosilicate glass substrates using pyrosol deposition method starting from the solutions composed of $SnCl_4-5H_2O-NH_4F-CH_3OH-H_2O-HCl$ in an attempt to develop transparent conductors for use in amorphous silicon (a-Si) solar cello. The deposition rate of films increased with the increase in the content of $H_2O$, whereas it decreased with increasing the content of $CH_3OH$. When air was used as the carrier gas, the lowest electrical resistivity was obtained from a solution having $CH_3OH/H_2O$ mol ratio of about $2{\sim}3$ in the solution. The use of $N_2$ of the same flow rate as the carrier gab resulted always in the high resistive films, but the resistivity of the films decreased continuously with the increase in the content of $H_2O$. The surface morphology and preferred orientation of films were also affected by the solvent composition and the content of HCl in the solution. The room-temperature resistance of the films were fairly stable after heat-treatments up to $600^{\circ}C$.
In this paper, $Si_3N_4/hBN$ ceramics with various hexagonal boron nitride (hBN) contents (0, 10, 20, or 30 wt%) were fabricated via spark plasma sintering (SPS) at $1500^{\circ}C$, 50MPa, and 10m holding time. The material properties such as the relative density, hardness, and fracture toughness were systematically evaluated according to the hBN content in the $Si_3N_4/hBN$ ceramics. The results show that relative density, hardness, and fracture toughness continuously decreased as the hBN content increased. In addition, peak-step drilling (with tool diameter $500{\mu}m$) was performed to observe the effects of hBN content in micro-hole shape and cutting force. A machined hole diameter of $510{\mu}m$ (entrance) and stable cutting force were obtained at 30 wt% hBN content. Consequently, $Si_3N_4/30wt%$ hBN ceramic is a feasible material upon which to apply semi-conductor components, and this study is very meaningful for determining correlations between material properties and machining performance.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1604-1607
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2009
YAG laser crystallization of Si-based thin film deposited on plastic substrate has been studied. The Si-based thin films as crystallization precursor are with varied hydrogen (H) content. The effect of the H content on the crystallinity of the resulted poly-Si film has been investigated. The experimental results of the poly-Si crystallized by doublefrequency YAG laser shows that the initial dehydrogenation process could be left out if ${\mu}c$-Si was adopted as the crystallization precursor. The YAG laser annealing condition on plastic substrate and the crystallization results have been discussed in the paper.
화학증착법에 의해 TiO2 박막을 Si-wafer(100)위에 제조하였다. Titanium tetraisopropoxide (TTIP)를 출발물질로 하여 200-500℃의 온도범위에서 증착을 행하였다. 증착된 박막의 두께는 Ellipsometry 및 SEM을 사용하여 측정하였으며, 산소의 함량에 따른 증착층의 성분분석은 ESCA를 사용하였다. TiO2 박막의 증착속도는 산소의 함량에 따라 증가하였고, 반응가스인 산소를 공급하지 않았을 때 증착층내에 불순물로 탄소가 존재하였으며, 증착층의 성분은 내부로 갈수록 TiO2에서 Ti로 변하였다. 산소를 600scm 공급하였을 때 증착층내에 소량의 탄소가 존재하였으며, 증착층의 성분은 내부로 갈수록 TiO2에서 TiO, Ti로 됨을 알 수 있었다. 산소를 1200scm공급하였을 때 증착층내에 탄소가 존재하지 않았으며, 증착층 성분은 표면에는 TiO2를 이루나 증착층 내부로 갈수록 Ti복합화합물을 이루고 있었다.
The present study investigates the effect of PMMA and BN content on microstructure, mechanical and dielectric properties of silicon nitride($Si_3N_4$) ceramics in $Y_2O_3-Al_2O_3$ additive system. The total additive content was fixed at 8 wt.% and the amount of PMMA varies from 0 to 40 wt.% and BN varies from 0 to 36 wt.%, respectively. The crystalline phases of the samples were determined by X-ray diffraction analysis. All the sintered sample shows complete transformation of ${\alpha}$ to ${\beta}-Si_3N_4$ during the sintering process indicated that the phase transformation was unaffected by the PMMA or BN content. However, the microstructure shows that the residual porosity increased with increasing PMMA and BN content. In addition, the flexural strength and the dielectric constant decrease with addition of PMMA and BN due to the residual porosity. This article provides empirical study of design parameters for $Si_3N_4$-based radome materials.
Hyun Jin Kim;Soo Whon Lee;Tadachika Nakayama;Koichi Niihara
The Korean Journal of Ceramics
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제5권4호
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pp.317-323
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1999
Si3N4-TiC composites have been known as electrically conductive ceramics. $Si_3N_4-TiC$ composites with 2 wt% $Al_2O_3$ and 4 wt% $Y_2O_3$ were hot pressed in $N_2$ environment. The mechanical properties including hardness, fracture toughness, and flexural strength and tribological properties were investigated as a function of TiC content. $Si_3N_4-40$ vol% TiC composite was hot pressed at $1,750^{\circ}C$, $1,800^{\circ}C$, and $1,850^{\circ}C$ for 1, 3 and 5 hours in $N_2$ gas. Mechanical and tribolgical properties depended on microstructures, which were controlled by hte TiC content, hot press temperature, and hot press holding time. However, mechanical properties and tribological behaviors were degraded by the chemical reaction between TiC and N. The chemically reacted products such as TiCN, SiC, and $SiO_2$ were detered by the X-ray diffraction analysis.
The achievement of high gas permeability is a key factor in the development of porous SiC ceramics for applications of hot gas filter, vacuum chuck, and air spindle. However, few reports on the gas permeability of porous SiC ceramics can be found in the literature. In this paper, porous SiC ceramics were fabricated at temperatures ranging from $1600^{\circ}C$ to $1800^{\circ}C$ using the mixing powders of SiC, silicon, carbon and boron as starting materials. In some samples, expanded hollow microspheres as a pore former were used to make a cellular pore structure. It was possible to produce Si bonded SiC ceramics with porosities ranging from 42% to 55%. The maximum bending strength was 58MPa for the carbon content of 0.2 wt% and sintering temperature of $1700^{\circ}C$. The increase of air permeability was accelerated by addition of hollow microsphere as a pore former.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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