• 제목/요약/키워드: semiconductor optical amplifier

검색결과 113건 처리시간 0.03초

진행파형 반도체 광증폭기에서 이득특성의 활성층 구조 의존성 (Structural dependence of an optical gain in a traveling-wave semiconductor optical amplifier)

  • 장세윤;심종인;이정석;김호인;윤인국;김승우;신현철;어영선
    • 한국광학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
    • /
    • pp.222-223
    • /
    • 2003
  • The optical gain characteristics of 1550nm traveling-wave semiconductor optical amplifiers are analyzed experimentally and theoretically. The result shows that there is an optimum active layer thickness for high saturation output power.

  • PDF

Noise Suppression of Spectrum-Sliced WDM-PON Light Sources Using FP-LD

  • Lee, Woo-Ram;Cho, Seung-Hyun;Park, Jae-Dong;Kim, Bong-Kyu;Kim, Byoung-Whi
    • ETRI Journal
    • /
    • 제27권3호
    • /
    • pp.334-336
    • /
    • 2005
  • We improved the performance of the spectrum-sliced light source for wavelength-division-multiplexed passive optical networks by employing a Fabry-Perot laser diode(FP-LD). We found that the FP-LDs can suppress the intensity noise as significantly as using a gain-saturated semiconductor optical amplifier. The transmission characteristics were measured and analyzed in both conditions with and without employing an FP-LD.

  • PDF

반도체 광증폭기에서 발생된 4광파 혼합 신호를 이용한 10GHz 위상 동기 루프 (10 GHz Phase look loop using a four-wave-mixing signal in semiconductor optical amplifier)

  • 김동환;김상혁;조재철;최상삼
    • 한국광학회지
    • /
    • 제10권6호
    • /
    • pp.507-511
    • /
    • 1999
  • 10 Gbit/s급의 모드-록킹된 광섬유 레이저 신호로부터 반도체 광 증폭기의 4광파 혼합신호를 이용하여 10GHz로 위상 동기된 신호를 얻었다. 제작된 위상 동기 회로는 8시간 이상 성공적으로 안정되게 동작되었고, 위상 동기 주파수 작동 범위는 입력 광펄스 주파수의 30KHz 이내로 측정되었다.

  • PDF

반도체 광증폭기로 형성된 방향성결합기에서 파장 변환에 대한 시영역 모델링 (Time-Domain Modeling of Wavelength Conversion in Semiconductor Optical Amplifier Directional Coupler)

  • 정호연;정영철
    • 한국광학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
    • /
    • pp.24-25
    • /
    • 2000
  • 파장변환 소자는 최근에 급격히 발전하는 광네트웍을 구축하기 위하여 필수적인 소자로서 여러 가지 형태에 대한 연구개발이 진행되고 있다. 그중에서도, 최근에는 반도체 광증폭기로 형성된 방향성 결합기구조(semiconductor optical amplifier directional coupler)에서의 상호 이득 포화(XPM : cross-phase modulation)에 의한 파장변환에 대한 개념이 제안되고 가능성이 실험적으로 입증된 바 있다. 이런 구조의 파장변환 소자는 입력 광신호의 파워가 작을때는 위상 정합이 되어 반도체 광증폭기의 광모드가 완전히 결합되어 cross state로 변환된 파장의 광파워가 많이 출력되고, 신호 입력 파워가 증가함에 따라 결합이 감소하게 되어 Cross state에서의 출력 파워는 감소하게 된다. 이와 같은 소자는 입력 신호광과 변환된 신호광이 역방향으로 진행하는 경우 광필터가 필요없이 파장변환이 가능하고, 변환 후의 소광비가 향상되기 때문에 향후 다양한 형태로 응용될 가능성이 있으며, 적정 설계 및 성능 예측을 위해서는 시영역에서 모델링할 수 있는 방법론을 구축하는 것이 필요하다. 본 논문에서는 연산자 분리 방법$^{(1)}$ 을 적용하여 상술한 파장변환기를 해석하기에 적당하도록 시영역 동적 모델을 구현하고, 파장변환 특성을 여러 가지 면에서 분석하여 보았다. (중략)

  • PDF

반도체 광증폭기와 외부변조 기법을 이용한 전광 NOR 논리소자 (An All-Optical NOR Logic Device using a Semiconductor Optical Amplifier and an External Modulation Technique)

  • 변영태;김상혁;이석;김재헌;우덕하;김선호
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
    • /
    • pp.197-200
    • /
    • 2000
  • All-optical NOR logic device was realized by use of two pump signals with a single wavelength and a semiconductor optical amplifier(SOA). Specially, Mach-Zehnder(MZ) modulator was used for an external modulation of the pump signals. To obtain the sufficient gain saturation of the SOA, pump signals are amplified by an Er-doped fiber amplifier(EDFA) at the input of the SOA. Pump and probe signals are obtained from a DFB laser diode(${\lambda}_p$=1554 nm) and a tunable laser diode(${\lambda}_s$=1535 nm), respectively. The operation characteristics of the NOR logic device are successfully measured and demonstrated at the modulation frequency of 4.83 MHz.

  • PDF

Linearization of DFB LD by using Cross Gain Modulation of Reflective SOA in Radio-over-Fiber Link

  • Hong, Moon-Ki;Han, Sang-Kook;Lee, Sang-Hoon
    • Journal of the Optical Society of Korea
    • /
    • 제11권4호
    • /
    • pp.158-161
    • /
    • 2007
  • We proposed a novel linearization technique for a DFB LD in the RoF link. The proposed scheme is based on the cross gain modulation(XGM) effect of a reflective semiconductor optical amplifier(RSOA) with light injection. We experimentally demonstrated and evaluated the enhanced CIR performance using the proposed linearization scheme.

A 10-Gbit/s Limiting Amplifier Using AlGaAs/GaAs HBTs

  • Park, Sung-Ho;Lee, Tae-Woo;Kim, Yeong-Seuk;Kim, Il-Ho;Park, Moon-Pyung
    • Journal of Electrical Engineering and information Science
    • /
    • 제2권6호
    • /
    • pp.197-201
    • /
    • 1997
  • To realize 10-Gbit/s optical transmission systems, we designed and fabricated a limiting amplifier with extremely high operation frequencies over 10-GHz using AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs), and investigated their performances. Circuit design and simulation were performed using SPICE and LABRA. A discrete AlGaAs/GaAs HBT with the emitter area of 1.5${\times}$10$\mu\textrm{m}$$^2$, used for the circuit fabrication, exhibited the cutoff frequency of 63GHz and maximum oscillation frequency of 50GHz. After fabrication of MMICs, we observed the very wide bandwidth of DC∼15GHz for a limiting amplifier from the on-wafer measurement. Ceramic-packaged limiting amplifier showed the excellent eye opening, the output voltage swing of 750mV\ulcorner, and the rise/fall time of 40ps, measured at the data rates of 10-Gbit/s.

  • PDF

반도체 광 증폭기를 이용한 전광 데이터 추출 (All-optical Data Extraction Based on Optical Logic Gates)

  • 이지석;정미;이혁재;이택진;전영민;이석;우덕하;이주한;김재헌
    • 한국광학회지
    • /
    • 제23권4호
    • /
    • pp.143-146
    • /
    • 2012
  • 본 논문에서는 반도체 광 증폭기(Semiconductor Optical Amplifier)의 교차 진폭 변조 현상을 이용하여 광 컴퓨팅이나 광통신에서 데이터의 패킷 교환, 데이터 리셋 혹은 추가나 제거에 필수적인 전광 데이터 추출을 시뮬레이션하고 실험적으로 구현하였다. 전광 데이터 추출의 실험적 시뮬레이션에는 상용 프로그램인 VPI Tool을 사용하였으며 기본적으로 두 개의 반도체 광 증폭기(SOA)를 사용하여 AND 논리를 구성한 후 이를 이용하여 데이터를 추출하였다. 또한 높은 집적성과 효율로 고속으로 연산할 수 있는 가능성을 확인하였다.