We have studied liquid crystal (LC) molecular alignment on rubbed and photoaligned surfaces. Particular attention was paid to the intermolecular liquid crystalline interaction. We will first show that uniform molecular orientation on a rubbed surface does not mean spatially uniform interaction between the surface and LC molecules. Rather LCs tend to align themselves through LC interaction. The existence of nonuniformity of rubbing was successfully visualized by double surface treatment. The importance of intermolecular LC interaction was also found in the orientation formation process in 5CB evaporated on rubbed and photoaligned surfaces. By simultaneously analyzing polarized UVNIS absorption and second-harmonic generation (SHG) using the maximum entropy method, we succeeded in obtaining the temporal variation of the orientational distribution functions in the film forming process. The distribution anisotropy and pretilt are found to be generated under the influence of intermolecular LC interaction.
본 논문에서는 기본파를 억제시키고 2차 고조파가 주 발진신호로 동작되는 18GHz 대역의 push-push 발진기를 semi-MMIC 형태로 설계 및 제작하였다. 마이크로스트립 선로를 포함하는 passive component는 semi-insulating GaAs 기판위에 MMIC 공정을 이용하여 구현하고, Chip 형태의 P-HEMT, 저항, 캐패시터를 Au wire-bonding에의해 연결하였으며, via-hole 대신 접지면을 회로 주변에 구성하여, back-side와 wire-bonding하였다. 실험 결과 -10.5 dBm의 출력 전력 특성을 얻었으며, 기본 주파수 억압은 -17.3 dBc/Hz의 특성을 보였다. 위상 잡음은 100kHz offset에서 -97.7 dBc/Hz를 얻었다.
본 논문에서는 GaAs 기반의 건 다이오드(Gunn diode)와 버렉터 다이오드(varactor diode)를 사용하여 중심 주파수가 94 GHz인 도파관(waveguide) 전압조정발진기(VCO, voltage controlled oscillator)를 구현하였다. 94 GHz 신호는 동공(cavity)을 47 GHz에서 발진하도록 설계하여 2체배된 신호를 사용하였으며, 다이오드의 바이어스(bias) 포스트(post)가 저역통과필터(LPF, low pass filter) 및 공진기(resonator) 기능을 동시에 수행하도록 설계하였다. 제작된 도파관 전압조정발진기는 760 MHz의 대역폭과 12.61~15.26 dBm의 출력전력 특성을 나타내었다. 위상잡음은 -101.13dBc/Hz(at 1MHz offset)의 우수한 특성을 얻었다.
In this paper, a dual-converter three-phase pulse width modulation (PWM) rectifier based on unbalanced one-cycle control (OCC) strategy is proposed. The proposed rectifier is used to eliminate the second harmonic waves of DC voltage and distortion of line currents under unbalanced input grid voltage conditions. The dual-converter PWM rectifier employs two converters, which are called positive-sequence converter and negative-sequence converter. The unbalanced OCC system compensates feedback currents of positive-sequence converter via grid negative-sequence voltages, as well as compensates feedback currents of negative-sequence converter via grid positive-sequence voltages. The AC currents of positive- and negative-sequence converter are controlled to be symmetrical. Thus, the workload of every switching device of converter is balanced. Only one conventional PI controller is adopted to achieve invariant power control. Then, the parameter tuning is simplified, and the extraction for positive- and negative-sequence currents is not needed anymore. The effectiveness and the viability of the control strategy are demonstrated through detailed experimental verification.
본 연구는 잠재가격을 사용하여 고조파를 효과적으로 저감시키는 새로운 방법을 제시한다. 우선, 고조파를 효과적으로 저감시키기 위하여 각 모선에 잠재가격을 적용하였으며, 전력수전점과 각 모선에서의 고조파한계치 이내로 고조파를 저감시킬 수 있는 새로운 알고리즘을 개발하였다. 그 결과, 배전계통에서 경제적으로 필터의 크기와 위치를 결정할 수 있도록 하였다. 제안한 방법을 실제계통에 적용하고, 그 유용성을 검증하였다.
In this papers, a PLDRO(Phase Locked Dielectric Resonator Oscillator) is designed and implemented at the oscillator in which fundamental frequency is 18.3 GHz. The proposed PLDRO so as to improve the PLDRO of the general structure is designed to the goal of the minimize of the size and the performance improvement. Three VCO(Voltage controlled Oscillator) and the power combiner improved the output power. A VCDRO(Voltage Controlled Dielectric Resonator Oscillator) is manufactured using a varactor diode to tune oscillating frequency electrically, and its phase is locked to reference frequency by SPD(Sampling Phase Detector). This product is fabricated on Teflon substrate with dielectric constant 2.2 and device is ATF -13786 of Ka-band using. This PLDRO generates an output power of 5.67 dBm at 18.3 GHz and has the characteristics of a phase noise of -80.10 dBc/Hz at 1 kHz offset frequency from carrier, the second harmonic suppression of -33 dBc. The proposed PLDRO can be used in Ka-band satellite applications
Discharge characteristics of inductively coupled plasma were investigated by using electrostatic probe and fluid simulation. The Inductively Coupled Plasma source driven by 13.56 Mhz was prepared. The signal attenuation ratios of the electrostatic probe at first and second harmonic frequency was tuned in 13.56Mhz and 27.12Mhz respectively. Electron temperature, electron density, plasma potential, electron energy distribution function and electron energy probability function were investigated by using the electrostatic probe. Experiment results were compared with the fluid simulation results. Ar plasma fluid simulations including Navier-Stokes equations were calculated under the same experiment conditions, and the dependencies of plasma parameters on process parameters were well agreed with simulation results. Because of the reason that the more collision happens in high pressure condition, plasma potential and electron temperature got lower as the pressure was higher and the input power was higher, but Electron density was higher under the same condition. Due to the same reason, the electron energy distribution was widening as the pressure was lower. And the electron density was higher, as close to the gas inlet place. It was found that gas flow field significantly affect to spatial distribution of electron density and temperature.
ITO(Indium Tin Oxide) films for transparent electrodes of FPD(Flat Panel Display) were patterned in atmosphere using laser. A pulse type(repetition rate of 10 Hz) Q-switched Nd:YAG laser which can generate the fundamental wavelength at 1064 nm or its harmonics(532, 266 nm) was used for Patterning of the ITO film. In case of using the second harmonic(532 nm) of Nd:YAG laser, the ITO film(thickness of 20 nm) was removed clearly with a laser fluence of 5.2 J/$\textrm{cm}^2$ and a beam scan speed of 200${\mu}{\textrm}{m}$/s. But the glass substrate was damaged when the laser fluence was over 5.2 J/$\textrm{cm}^2$. We discussed the etching mechanism of the ITO film using Nd:YAG laser with observation of the etching characteristics including a depths and widths of ITO films as a function of laser fluence using SEM(Scanning Electron Microscopy) and surface profiler($\alpha$-step 500).
These days, the interest of high speed robotic system is increasing because it is very important to get the cost-competitiveness. The parallel kinematic mechanism is more useful than the serial kinematic mechanism. For the reason, the researches on the parallel robot system as a high speed robotic one are have been done by many researchers. In this paper, the research on the design and analysis of the high speed parallel robot has been done by the authors. First, Basic robot structure is designed and modal analysis is studied to get the basic characteristics of the vibrational motion. Second, the harmonic analysis is studied to get the information of the natural frequency in some different designs of the outer-arm of the parallel robot. Finally, actual robot system is designed and implemented and it is confirmed that the analysis results coincide with the experimental results.
Lead zirconate titanate (PZT) thin fills were deposited onto the Pt/Ti/SiO2/Si substrate by the pulsed laser deposition with the second harmonic wavelength (532 nm) of Nd:YAG laser. In order to determine the optimum conditions for the film deposition, the phase of the films were investigated as functions of ambient oxygen pressure, substrate temperature, and laser fluence. Also the chemical composition analysis was conducted for the PZT films deposited under various ambient oxygen pressure. When the distance between substrate and bulk PZT target is set to 20 mm, the optimum conditions have been determined to be 3 torr of oxygen pressure, 1.5 J/cm2 of laser fluence, and 823-848(±10) K range of substrate temperature. At these conditions, perovskite phase PZT films were obtained on platinized silicon. The chemical composition of the films is very similar to that of PZT bulk target. The physical structure of the deposited films analyzed by scanning electron microscopy shows a columnar morphology perpendicular to the substrate surface. Capacitance-Voltage hysteresis loop measurements show also a typical characteristics of ferroelectric thin film. The dielectric constant is found to be 528 for the 0.48 μm thickness of PZT thin film.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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