Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.13
no.5
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pp.1030-1037
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2009
SAW Sensor is greatly developed today and Reader Platform which uses SAW Sensor for temperature or pressure is required to use TDS method for low power and high speed processing. For to use this Platform, high speed timer is required to measure a short interval between reference signal and reflectior's signal. This paper proposes that platform receive SAW Sensor's signals and transform digital signal through comparator. Next the transformed signal is measured by Timer Platform and the measured interval is displayed with time. This paper proposes method of measurment of time with nano sec unit.
The epitaxially grown Mg-doped GaN thin film was prepared by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) for a SAW(Surface Acoustic Wave) filter. Mg-doped GaN thin film had enough properties for a SAW filter which include crystallinity and morphology. The surface morphology and crystalline of the Mg-doped GaN thin films were characterized using AFM and an X-ray rocking curve. The SAW filter, which was fabricated by lift-off process and frequency response, was measured by HP 8753C network analyzer. Center frequency was 96.687 MHz and SAW velocity was 5801 m/s when wavelength(λ) was 60${\mu}{\textrm}{m}$. Insertion loss was over -10 dB, Q was factor over 200, and side lobe attenuation was over 22 dB which was suitable for use as a SAW filter. Electro-mechanical coupling coefficient (k$^2$) was calculated from the measured data. k$^2$ was from 1 % to 1.44 %. The fabricated SAW filter using Mg-doped GaN/sapphire structure has good qualities as a filter and will be used as a SAW filter for operating RF frequency.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.04b
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pp.13-16
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2009
In this study, AlN thin films were deposited on a polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layer for surface acoustic wave (SAW) applications using a pulsed reactive magnetron sputtering system. AFM, XRD and FT-IR were used to analyze structural properties and preferred orientation of the AlN/3C-SiC thin film. Suitability of the film in SAW applications was investigated by comparing the SAW characteristics of an interdigital transducer (IDT)/AlN/3C-SiC structure with the IDT/AIN/Si structure at 160 MHz in the temperature range $30-150^{\circ}C$. These experimental results showed that AlN films on the poly 3C-SiC layer were highly (002) oriented. Furthermore, the film showed improved temperature stability for the SAW device, $TCF\;=\;-18\;ppm//^{\circ}C$. The change in resonance frequency according to temperature was nearly linear. The insertion loss decrease was about $0.033dB/^{\circ}C$. However, some defects existed in the film, which caused a slight reduction in SAW velocity.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.5
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pp.435-443
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2001
As power durable RF SAW filters, AL-(0∼2wt%)Cu alloy multi-layered thin electrodes were deposited on 42° LiTaO$_3$ piezoelectric substrates by magnetron sputtering process, and then ladder-type RF SAW filters, satisfying the electrical specification of CDMA transmission band, were fabricated through optimizing SAW resonator structures. The temperature of film electrodes in SAW filter was increased with RF power, and reached the maxima to cause a failure of SAW filters at the cut-off frequencies of the RF filter band. As RF power increases, the electrodes of Al-Cu alloy showed higher power durability than that of pure Al. The multi-layer laminated film of Al-1wt.% Cu/Cu/Al-1wt%Cu resulted in the best power durability up to 4W of RF power. Every film electrode, however, was destroyed within seconds whenever applying a critical RF power to SAW filters, regardless of the composition and structure of film electrodes. The breakdown of film electrodes under FR power seems to believe due to the fatigue of electrodes caused by repetitive cyclic stress of surface acoustic wave, which is amplified as RF power increases.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.20
no.12
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pp.390-397
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2019
A mechanical model of band sawing saw frame was established according to an analysis of a commonly used saw-frame structure diagram to overcome the problems of low service life, substandard cutting precision and efficiency, and high manufacturing cost caused by the unreasonable design of saw frame. Taking a particular type of sawing machine as an example, stress cycle analysis of the saw blade was carried out according to the mechanical model of the saw frame, and the fatigue analysis model of the most dangerous cross-section point that was most prone to fatigue failure of the saw blade was then established. The fatigue analysis result was used as the basis for the improved design of the saw frame, and the improved detailed saw-frame design parameters were obtained. The results suggested that the saw frame system is much more compact and the saw blade force met the fatigue strength requirements through the improved design. In addition, the service life of the saw blade and the cutting precision were increased. The established mechanical model of the saw frame in this paper is used widely and has high practical application values.
Deeping on purpose, SAW device may have to function while immersed in a liquid. Those who are familiar with SAW devices would anticipate difficulty since the propagating surface waves will tend to radiate energy into the liquid and hence suffer attenuation. Thus, to design an immerable SAW device, more attention and full information about the wave properites is required to overcome the attenuation and get the highest SAW generation eficiency. Though numerical simulation, the optimal geometry of underwater SAW devices, such as optimal piezoelectric crystal cut, SAW propagation direction and nondimensional wave number(ka) is determined to get the maximum SAW excitation efficiency, the minimum attenuation in propagation and pure mode propagation for all the modes of surface wave propagation. The design technique can be appliedto an arbitrary combination of a piezoelectric layer, a substrate and a liquid medium. In this paper, PZT and PVDF layers and a steel substrate are use for the solid medium. The technique can be easily employed for the design of underwater sensors and actuators for the applications, such as sonar marine antifouling, industrial and medical uses.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.80-80
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2000
Surface acoustic wave (SAW) devices have become more important as mobile telecommunication systems need h호-frrequency, low-loss, and down-sized components. Higher-frequency SAW divices can be more sasily realized by developing new h호-SAW-velocity materials. The ZnO/diamond/Si multilasyer structure is one of the most promising material components for GHz-band SAW filters because of its SAW velocity above 10,000 m/sec. Silicon carbide is also a potential candidate material for high frequency, high power and radiation resistive electronic devices due to its superior mechanical, thermal and electronic properties. However, high price of commercialized 6- or 4H-SiC single crystalline wafer is an obstacle to apply SiC to high frequency SAW devices. In this study, single crystalline 3C-SiC thin films were grown on Si (100) by MOCVD using bis-trimethylsilymethane (BTMSM, C7H20Si7) organosilicon precursor. The 3C-SiC film properties were investigated using SEM, TEM, and high resolution XRD. The FWHM of 3C-SiC (200) peak was obtained 0.37 degree. To investigate the SAW propagation characteristics of the 3C-SiC films, SAW filters were fabricated using interdigital transducer electrodes on the top of ZnO/3C-SiC/Si(100), which were used to excite surface acoustic waves. SAW velocities were calculated from the frequency-response measurements of SAW filters. A generalized SAW mode. The hard 3C-SiC thin films stiffened Si substrate so that the velocities of fundamental and the 1st mode increased up to 5,100 m/s and 9,140 m/s, respectively.
CDMA base station SAW filter has been designed and fabricated successfully. Through the computer simulation, SAW filter is designed to have center frequency of 69.99MHz, ripples lower than 0.7dB and rejection level lower than 50dB. To obtain low noise band pass SAW filter, Input electrode has a apodization type and output electrode has a withdrawal type. For the fabrication of the SAW filter, Al thin film is deposited to the quartz substrates. The fabricated SAW filter has center frequency of 70.5MHz, ripples of 1dB and rejection level of 45dB.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.7
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pp.647-655
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2003
Commonly used SAW duplexers have a difficulty on manufacture so that a transmission line is printed on the package or an LTCC multi-layer is needed because a quarter-wave transmission line which is a kind of an isolation network is applied to the SAW duplexers. In this study, new structures of one chip type SAW duplexers are proposed. In the proposed structure, Tx and Rx SAW ladder filters and isolation networks are located on a single 36LiTaO$_3$ piezoelectric substrate. The manufacture process is very simple than commonly used product. It is possible to improve tile performance by means of optimizing the micro-strip line lumped elements. It is easy to integrate and modulate with other surrounding components. The optimal design techniques can be applied to other kind of multi-port devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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