• 제목/요약/키워드: program memory

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멀티레벨 낸드 플래쉬 메모리 프로그램 포화 영역에서의 IPD 층에 트랩된 전하의 손실 효과에 의한 문턱 전압 저하 특성에 대한 연구 (A Study on Threshold Voltage Degradation by Loss Effect of Trapped Charge in IPD Layer for Program Saturation in a MLC NAND Flash Memory)

  • 최채형;최득성;정승현
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제24권3호
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    • pp.47-52
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    • 2017
  • 본 연구에서는 멀티 레벨 플래쉬 메모리 셀의 프로그램 포화영역에서 트랩된 전하 손실 효과에 의한 데이터 보유 특성에 대한 연구를 진행하였다. Incremental Step Pulse Programming(ISPP) 방식에 의한 전압 인가 시 셀의 문턱 전압은 선형적으로 증가하다 일정 수준 이상의 전압에 도달하면 더 이상 증가 하지 않는 현상을 문턱 전압 포화 현상이라고 한다. 이는 프로그램 시 플로팅 게이트에 축적된 전하가 Inter-Poly Dielectric(IPD) 층을 통해 컨트롤 게이트로 빠져 나가는 것에 원인이 있다. 본 연구는 열적 스트레스에 의한 문턱 전압의 보유 특성이 선형 영역에서보다 포화 영역에서 심각하게 저하되는 현상의 원인규명에 대한 연구이다. 이를 평가하기 위해 프로그램 후 데이터 보유(data retention) 특성 평가 및 반복 읽기 측정을 진행하였다. 또한 여러 가지 측정 패턴을 이용한 측정 조건 분리 실험을 통해 검증하였다. 그 결과 포화 영역에서의 문턱 전압 저하 특성의 원인은 포화 시 가해진 높은 전압에 의해 플로팅 게이트와 컨트롤 게이트 사이의 인터 폴리 절연막 IPD 층의 질화막에 트랩된 전자의 손실 효과인 것으로 나타났다. IPD 층의 질화막에 전하 트랩 현상이 발생하고 열적 스트레스가 가해진 후 트랩된 전하가 다시 빠져 나오면서 문턱 전압의 저하가 발생하고 이는 소자의 신뢰성에 나쁜 영향을 미친다. 낸드 플래쉬 메모리 셀의 프로그램 포화 영역 문턱 전압을 증가시키기 위해서는 질화막에 트랩된 전하의 손실을 고려하여 플로팅 게이트의 전하저장 능력을 향상시켜야 하며 IPD 막에 대한 주의 깊은 설계가 필요하다.

가정방문 인지자극 활동이 치매특별등급(5등급) 노인의 인지기능 및 기억 자기효능감에 미치는 효과 : 개별대상연구 (Effects of Home-Visit Program with Cognitive-Stimulating Activities on Cognitive Function and Memory Self-efficacy of an Elderly with Dementia Special Rating : Single Subject)

  • 손보영;방요순
    • 한국엔터테인먼트산업학회논문지
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    • 제13권5호
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    • pp.247-262
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    • 2019
  • 본 연구는 가정방문 인지자극 활동이 치매특별등급(5등급) 노인의 인지기능 및 기억 자기효능감에 미치는 효과를 알아보고자 하였다. 연구기간 및 대상은 2019년 2월 11일부터 4월 26일까지 G광역시에 거주하는 65세 여성 1명으로, 개별대상연구의 A-B-A' 설계를 사용하였다. 초기 진단을 받은 치매특별등급(5등급)의 경증치매 노인에게 비교적 접근성이 쉽고, 스스로 생각하고 풀어갈 수 있는 수준의 신체·인지자극 활동을 병행함으로써 지적능력을 반복적으로 자극하여 저하된 인지기능을 완화시켰고, 일상생활에서 친숙한 글자, 숫자, 신체 움직임 등을 이용한 단기기억 및 회상 활동을 지속적으로 훈련함으로써 저하된 기억력과 집중력의 인지기능에 긍정적 영향을 미쳤다. 이는 인지자극 활동이 초기 경증치매 노인들에게 센터, 복지관 등의 특정장소를 벗어나 가정에서 손쉽게 접근 가능한 치매예방프로그램임을 확인하였다. 따라서 본 연구의 인지자극 활동은 치매특별등급(5등급) 노인의 인지기능 및 두드러지는 기억저하에 긍정적 영향을 미칠 수 있는 효과적 중재로의 가능성을 확인하였기에, 적극적인 실용 방안을 제안하는 바이다.

기억력저하 인식 대상자의 인지기능, 일상생활수행능력 및 우울에 관한 연구 (Relationships Among Cognition, Activities of Daily Living and Depression in Persons With Decreased Memory)

  • 김민숙;윤순영;오은영
    • 한국보건간호학회지
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    • 제26권3호
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    • pp.404-416
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    • 2012
  • Purpose: The purpose of this study was to explore relationships among cognition, activities of daily living, and depression in persons with decreased memory. Method: Data were collected from 121 out-patients with decreased memory and analysis was performed using descriptive statistics, t-test, ANOVA, Bonferroni test, and Pearson's correlation coefficients with the SPSS/WIN 18.0 program. Result: K-MMSE was significantly increased by BADL (r=.40, p<.001), whereas K-MMSE was significantly decreased by K-IADL (r=-.51, p<.001) and K-IADL significantly decreased by BADL (r=-.51, p<.001). Conclusion: The K-MMSE of persons with decreased memory showed association with BADL and K-IADL. Management of patients complaining of decreased memory and development of nursing interventions will slow down the progression of cognitive impairment.

이진 페트리 네트의 메모리-베이스 구현을 기본으로 하는 프로그래머블 제어기에 관한 연구 (A programmable controller based on the memory-based implementation of a binary-petri net)

  • 장래혁;박재현;노갑선;권욱현
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 1993년도 한국자동제어학술회의논문집(국내학술편); Seoul National University, Seoul; 20-22 Oct. 1993
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    • pp.342-347
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    • 1993
  • For a fast evolution, a memory-based implementation of a petri net is discussed. A sub-class petri net model called B-petri net is suggested to make a memory-based implementation feasible in a large size application. The suggested B-petri net is a binary-petri net since only a binary-typed decision, fork and join are allowed. The application of a B-petri nt is focused to a SFC(sequential function chart) program. The memory requirement, speed and computational load are compared with a petri net when they are implementated by a memory-based method.

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80296SA를 이용한 영구자석 동기전동기 벡터제어의 완전 디지털화 (A fully digitized Vector Control of PMSM using 80296SA)

  • 안영식;배정용;이홍희
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 1998년도 연구회 합동 학술발표회 논문집
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    • pp.5-8
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    • 1998
  • The adaptation to vector control theory is so generalized that it is widely used for implementing the high-performance of AC machine. Nowadays, One-Chip microprocessors or DSP chips are being well-used to implement Vector Control algorithm. DSP Chip have less flexibility for memory decoding and I/O rather than One-Chip microprocessor so that is requires more additional circuit and high cost. And the past One-Chip micro processors have difficult of implementation the complex algorithm because of small memory capacity and low arithmetic performance. Therefore we implemented the vector control algorithm of PMSM(Permanent Magnetic Synchronous Motors) using 80296SA form intel , which have many features as 6M memory space, 500MHz clock frequency, including memory decoding circuit and general I/O, Special I/O(EPA, Interrupt controller, Timer/Count, PWM generator) which is proper controller for the complex algorithm or operation program requiring so much memory capacity, So in this paper we fully digitized the vector control of PMSM included SVPWM Voltage controller using the intel 80296SA

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비휘발성 단일트랜지스터 강유전체 메모리 회로 (Memory Circuit of Nonvolatile Single Transistor Ferroelectric Field Effect Transistor)

  • 양일석;유병곤;유인규;이원재
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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    • pp.55-58
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    • 2000
  • This paper describes a single transistor type ferroelectric field effect transistor (1T FeFET) memory celt scheme which can select one unit memory cell and program/read it. To solve the selection problem of 1T FeEET memory cell array, the row direction common well is electrically isolated from different adjacent row direction column. So, we can control voltage of common well line. By applying bias voltage to Gate and Well, respectively, we can implant IT FeEET memory cell scheme which no interface problem and can bit operation. The results of HSPICE simulations showed the successful operations of the proposed cell scheme.

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나노전기기계 메모리 시뮬레이터의 개발 (Development of a Nano-Electro-Mechanical Memory Simulator)

  • 최우영
    • 전자공학회논문지
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    • 제49권10호
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    • pp.122-127
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    • 2012
  • Nano-electro-mechanical (NEM) 메모리 시뮬레이터를 Matlab을 이용하여 개발하였다. 구현된 simulator는 이력 곡선, 빔의 변위에 따른 힘의 변화, 정상상태와 과도상태의 빔의 이동, 에너지 소모, 시스템의 포텐셜 에너지의 간편한 분석을 가능하게 한다. 개발된 NEM 메모리 시뮬레이터는 간단한 조작만으로 NEM 메모리의 거동을 관찰할 수 있으므로 NEM 메모리 셀의 간편한 설계를 가능하게 한다.

Conceptual understanding of the relationship between consciousness, memory, and attention

  • 김은숙;신현정
    • 한국인지과학회:학술대회논문집
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    • 한국인지과학회 2010년도 춘계학술대회
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    • pp.13-17
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    • 2010
  • Consciousness is really regarded as too ambiguous a concept to be understood and accepted as a mental construct without the inclusion of memory and attention in any conceptualization. However we need one criterion to count satisfactorily as an explanation of consciousness in information processing. An operational working definition of consciousness could be made in comparison of memory and attention: Consciousness would be a subjective awareness of momentary experience and also have the characteristics of an operating system performing control and consolidation information processing. This could be called a cognitive consciousness. It is possible that some distinctions between consciousness, memory and attention can be made conceptually and functionally from the perspectives of information processing.

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함수 요약에 기반한 메모리 누수 정적 탐지기 (A Static Analyzer for Detecting Memory Leaks based on Procedural Summary)

  • 정영범;이광근
    • 한국정보과학회논문지:소프트웨어및응용
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    • 제36권7호
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    • pp.590-606
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    • 2009
  • C프로그램에서 발생할 수 있는 메모리 누수(memory leaks)를 실행 전에 찾아 주는 분석기를 제안한다. 이 분석기는 SPEC2000 벤치마크 프로그램과 여러 오픈 소스 프로그램들에 적용시킨 결과 다른 분석기에 비해 상대적으로 뛰어난 성능을 보여준다. 총 1,777 KLOC의 프로그램에서 332개의 메모리 누수 오류를 찾아냈으며 이 때 발생한 허위 경보(false positive)는 47개에 불과하다(12.4%의 허위 경보율). 이분석기는 초당720 LOC를 분석한다. 각각의 함수들이 하는 일을 요약하여 그 함수들이 불려지는 곳에서 사용함으로써 모든 함수에 대해 단 한번의 분석만을 실행한다. 각각의 함수 요약(procedural summary)은 잘 매개화 되어 함수가 불려질 때의 상황에 맞게 적용할 수 있다. 실제 프로그램들에 적용하고 피드백 받는 방법을 통해 함수가 하는 일중에 메모리 누수를 찾는데 효과적인 정보들만으로 추리는 과정을 거쳤다. 분석은 요약 해석(abstract interpretation)에 기반하였기 때문에 C의 여러 문법 구조와 순환 호출 (recursive call), 루프(loop)등은 고정점 연산(fixpoint iteration)을 통해 자연스럽게 해결한다.

무선 센서 노드상의 저가형 플래시 메모리를 위한 하드웨어 추상화 구조 (Hardware Abstraction Architecture for Low Cost Flash Memories in Wireless Sensor Nodes)

  • 김창훈;권영직
    • 한국산업정보학회논문지
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    • 제14권2호
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    • pp.72-80
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    • 2009
  • 본 논문에서는 무선 센서 노드에 사용 가능한 저가형 플래시 메모리를 위한 하드웨어 추상화 구조(Hardware Abstraction Architecture: HAA)를 제안한다. 제안된 HAA는 3개 의 계층으로 이루어져 있으며, 세 개의 계층은 HIL(Hardware Interlace Layer), HAL(Hardware Adaption Layer), HPL(Hardware Presentation Layer)로 구성된다. 여기서 HIL은 상위 계층의 어플리케이션에 대해 플랫폼 독립적인 인터페이스를 제공하고, HAL은 하드웨어 추상계층에서 가장 핵심적인 부분으로서 하드웨어 자원 제어, 상태관리,논리적 명령어를 생성하며, HPL은 하드웨어 초기화 및 플래시 메모리와의 통신 부분을 담당한다. 제안된 HAA는 무선 센서노드에 가장 많이 사용되고 있는 Atmel사의 AT45DB 계열의 플래시 메모리에 적용되었으며, 4,384 바이트의 프로그램 메모리와 195 바이트의 데이터 메모리를 사용한다. 따라서 본 논문에서 제안된 HAA 구조는 3계층으로 설계되었기 때문에 소프트왜어 개발 측면에서 높은 유연성, 확장성, 재사용성을 제공하며, 낮은 메모리를 시용하기 때문에 무선 센서 노드용으로 적합하다 할 수 있다.