• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.229-229
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• 2010

With the scaling down of ultra large integrated circuits (ULSI) to the sub-50 nm technology node, the need for an ultra-thin, continuous and conformal diffusion barrier and Cu seed layer is increasing. However, diffusion barrier and Cu seed layer formation with a physical vapor deposition (PVD) method has become difficult as the technology node is reduced to 30 nm and beyond. Recent work on self-forming barrier processes using PVD Cu alloys have attracted great attention due to the capability of conformal ultra-thin barrier formation using a simple technique. However, as in the case of the conventional barrier and Cu seed layer, PVD of the Cu alloy seed layer will eventually encounter the difficulty in conformal deposition in narrow line trenches and via holes. Atomic layer deposition (ALD) has been known for its good step coverage and precise thickness control, and is a candidate technique for the formation of a thin conformal barrier layer and Cu seed layer. Conformal Cu-Mn seed layers were deposited by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) at low temperature ($120^{\circ}C$), and the Mn content in the Cu-Mn alloys were controlled form 0 to approximately 10 atomic percent with various Mn precursor feeding times. Resistivity of the Cu-Mn alloy films decreased by annealing due to out-diffusion of Mn atoms. Out-diffused Mn atoms were segregated to the surface of the film and interface between a Cu-Mn alloy and $SiO_2$, resulting in self-formed $MnO_x$ and $MnSi_xO_y$, respectively. No inter-diffusion was observed between Cu and $SiO_2$ after annealing at $500^{\circ}C$ for 12 h, indicating an excellent diffusion barrier property of the $MnSi_xO_y$. The adhesion between Cu and $SiO_2$ was enhanced by the formation of $MnSi_xO_y$. Continuous and conductive Cu-Mn seed layers were deposited with PEALD into 32 nm $SiO_2$ trench, enabling a low temperature process, and the trench was perfectly filled using electrochemical plating (ECD) under conventional conditions. Thus, it is the resultant self-forming barrier process with PEALD Cu-Mn alloy film as a seed layer for plating Cu that has further potential to meet the requirement of the smaller than 30 nm node.

• Applied Biological Chemistry
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• 제7권
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• pp.21-27
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• 1966

(1) 급식회수(給食回數)가 각종(各種) 영양소(營養素)의 대사과정(代謝過程)에 미치는 영향을 연구(硏究)하기 위하여 30 마리의 생후(生後) 80 일(日)이된 쥐(체중(體重) 290 gm)와 32 마리의 40 일(日)이된 쥐(체중(體重) 180 gm)로서 34 일간(日間) 실험(實驗)하였다. (2) 자유채식구(自由採食區)(1 일(日) $10{\sim}15$ 회채식(回採食))와 1 일(日) 2회급식구(回給食區)의 쥐를 pair feeding 시켰으며 양구(兩區)의 채식량(採食量)이 같도록 엄밀히 조절(調節)하였다. (3) 양구(兩區)보다 체중증가율(體重增加率)이 유사(類似)하였으나 1 일(日) 2회채식구(回採食區)가 지방(脂肪) Energy의 증가율(增加率)이 자유채식구(自由採食區)보다 현저히 높았으나 단백질(蛋白質)의 함량(含量)은 자유채식구(自由採食區)가 높았으며 광물질(鑛物質)의 함량(含量)은 양구(兩區)보다 유사(類似)하였다. (4) 1 일(日) 2회급식(回給食)하는 경우 탄수화물대사과정(炭水化物代謝過程)의 변화(變化)를 초래 하였다. 즉(卽) 이구(區)의 G-6-P dehydrogenase의 활성(活性)이 2배(倍)나 더 높은 것으로 보아 정상적(正常的)인 Glycolysis에서 HMPS로 전변(轉變)되었음이 판명(判明)되었고, 따라서 NADPH의 생산(生産)이 촉진(促進)되었고 또한 지방산(脂肪酸)의 합성(合成)이 촉진(促進)되었다. (5) 채식회수(採食回數)는 단백질(蛋白質)의 이용(利用) 및 대사(代謝)에도 영향을 주는바 1 일(日) 2회급식구(回給食區)는 체내단백질(體內蛋白質) 합성율(合成率)이 낮고 반면(反面)에 뇨(尿)로 유실(流失)되는 질소(窒素)의 량(量)은 많음이 밝혀졌다. deamination이 되고 또는 carbon skeletal은 지방합성전구물(脂肪合成前軀物)로 쓰이는듯 하다. (6) 채식회수(採食回數)는 내분비(內分泌)를 촉진 또는 억제하는바 1 일(日) 2회급식구(回給食區)의 경우 insulin의 분비(分泌)를 촉진하나 Thyroidal Hormone의 분비(分泌)를 억제하는듯 하다. 따라서 이구(區)의 Heat production이 자유채식구(自由採食區)보다 낮으며 더 많은 energy가 지방합성(脂肪合成)에 쓰여질 수 있게 되는듯 하다.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제29권1호
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• pp.71-80
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• 2012

Catharanthus roseus로부터 생산되는 빈카알칼로이드는 암을 치료하는 데에 사용되는 가장 중요한 천연물 중의 하나이다. 이러한 항암제는 두 단량체 인돌 알칼로이드인 catharanthine과 vindoline의 결합으로 합성될 수 있다. 이 중 vindoline의 생합성에 관계하는 경로를 조사하기 위해서 tabersonine의 메틸기에 중수소를 치환한 전구체인 tabersonine-$CD_3$ 1a를 합성하였다. 이는 중수소의 질량 증가로 인해 자연에서 발생하는 tabersonine과 뚜렷이 구별될 수 있도록 해 준다. 우리는 이 중소소가 치환된 tabersonine 1a가 성공적으로 vindoline 생합성경로에 편입되어 중수소가 치환된 3개의 새로운 vindoline 중간체(2a, 3a와 4a)를 생성함을 보였다. 세포현탁배양액에 tabersonine-$CD_3$ 1a를 주입한 5일과 13일째에 생성된 대사물인 16-Hydroxytabersonine-$CD_3$ (m/z 356) 2a, 16-Methoxytabersonine-$CD_3$ (m/z 370) 3a와 16-Methoxy-2,3-dihydro-3- hydroxytabersonine-$CD_3$ (m/z 388) 4a의 생성량을 UPLC/MS를 사용하여 측정하였다. 출발물 1a에서 생성물 2a, 그리고 2a에서 3a로의 전환은 빨랐던 반면 3a에서 4a로의 전환은 상대적으로 훨씬 느렸다. 따라서 각 대사물들의 상대적 전환속도를 서로 비교해 보았을 때 vindoline 생합성 과정의 첫 세 단계 중에서 가장 느린 마지막 단계가 속도결정단계임을 암시한다. 즉 대사물 3a에서 4a로의 느린 전환속도의 결과, 배양 후 13일까지도 3a의 축적률이 현저히 증가됨을 보였다. 배양 5일째의 대사물 2a, 3a와 4a의 축적비는 각각 1, 2와 0.1이었다. 그러나 desacetoxyvindoline-$CD_3$ 5a, deacetylvindoline-$CD_3$ 6a와 vindoline-$CD_3$ 7a의 피크는 배양 13일 후에도 발견되지 않아 세포현탁 배양액에 각 생합성단계와 관련된 효소들이 존재하지 않음을 알 수 있었다.