Characteristics of piezoelectric thick films prepared by screen printing were investigated. The piezoelectric thick films were fabricated using Pb(Al,Nb)O$_3$-Pb(Zr,Ti)O$_3$ system on Si-substrate. The fabricated thick films were burned out at 400$^{\circ}C$ and sintered at 850∼1000$^{\circ}C$ using rapid thermal annealing(RTA) precess. The thickness of piezoelectric thick films were 10$\mu\textrm{m}$. PAN-PZT thick film on Ag-Pd/SiO$_2$/Si prepared at 900$^{\circ}C$/1300sec had remanent polarization of 19.70 ${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$.
This paper proposes a novel curved shape piezoelectric unimorph using a new fabrication method. Instead of using thermal coefficient mismatch, which has been used for conventional processes for curved shape unimorphs, we used pre-stressed substrates and the room temperature adhesion process. A difference of the mechanical strains between the substrate and the piezoelectric layer makes the final manufactured unimorph get curved. Several performance tests of the proposed unimorph actuators were accomplished and the test results showed the proposed unimorph actuator got comparable actuation capability compared with conventional curved shape actuators.
In this paper studied was the piezoelectric properties of the $\beta$-PVDF organic thin films prepared by physical vapour deposition method. The molecular orientation of organic thin films was controlled by the application of an electric field and variation of substrate temperature during the evaporation process. Optimum conditions of manufacturing $\beta$-PVDF organic thin film by physical vapor deposition method is to keep at the substrate temperature of $80^{\circ}C$, at the applied electric field of 142.8 kV/cm. The voltage output coefficient increased from 1.39 to 7.04V increasing the force moment.
We studied the characteristics of impedance and electromechanical coupling coefficient in ZnO and AIN thin films by using resonance frequency spectrum method. The response peak of impedance decreased with the decrease of thickness of piezoelectrics, the number of mode of response peak increased with the increase of substrate thickness. An error of $k_{t}^{2}$ estimated from input $k_{t}^{2}$ increased as the thickness of piezoelectrics decreased and the thickness of substrate increased. Also, the error was increased in case of a large acoustic impedance of substrate. It was found that the composite resonator operating in optimized condition could be designed through the resonance frequency spectrum analysis of composited resonator consisted of piezoelectric thin film and substrate.
The length extensional vibration mode of a piezoelectric ceramic substrate is used in fabricating the ultra-small size resonators and filters. In general, the three side ratios of the rectangular substrate affect the resonant characteristics of the resonator using its length extensional vibration. In this paper, their relationships are studied. We know that changing the ratio of its length to its width makes possible to change the resonant frequency of the width vibration without degrading the length extensional vibration. And frequency constant for length extensional vibration becomes slightly small as the substrate thickness becomes thin, but it does not change as its length changes. Electro-mechanical coupling factor for length extensional vibration, k$\_$31/ does not change as its length changes within length/width$\geq$4, but it becomes small as its width increases.
This paper gives characterization of substrate and PZT(53/47) thin film deposited by metalorganic decomposition, which is concerned in deposition process and device fabrication process, to fabricate micro electro mechanical system (MEMS) device with piezoelectric material. The PZT thin films deposited by MOD at 700^{\circ}C$ for 30 minutes had a polycrystallinity, that is, no substrate dependence, while different interface were developed depending on the bottom electrodes. Such a structural variation could influence on not only the properties of the PZT film but also etching process for fabricating MEMS devices. Therefore the electrode structure is a very important factor in the deposition of the PZT film during etching process by HF acid for MEMS device with piezoelectric material. Piezoelectric coefficients of the PZT films on the different substrates were 40 and 80 pm/V at an applied voltage of 4V. Based in these results, it was possible for deposition of the PZT film by MOD to apply MEMS device fabrication process based on piezoelectricity after selection of proper bottom electrode.
This present study investigates Love-type wave propagation in composite structure consists of a loosely bonded functionally graded piezoelectric material (FGPM) stratum lying over a functionally graded initially-stressed fibre-reinforced material (FGIFM) substrate. The closed-form expressions of the dispersion relation have been obtained analytically for both the cases of electrically open and electrically short conditions. Some special cases of the problem have also been studied and the obtained results are found in well-agreement with the classical Love wave equation. The emphatic influence of wave number, bonding parameter associated with bonding of stratum with substrate of the composite structure, piezoelectric coefficient as well as dielectric constant of the piezoelectric stratum, horizontal initial stresses, and functional gradedness of the composite structure on the phase velocity of Love-type wave has been reported and illustrated through numerical computation along with graphical demonstration in both the cases of electrically open and electrically short condition for the reinforced and reinforced-free composite structure. Comparative study has been carried out to analyze the distinct cases associated with functional gradedness of the composite structure and also various cases which reveals the influence of piezoelectricity, reinforcement and horizontal initial stress acting in the composite structure, and bonding of the stratum and substrate of the composite structure in context of the present problem which serves as one of the major highlights of the study.
This paper investigated that resonant frequencies of micro strip patch antenna were agile when piezoelectric materials were used as the antenna substrates. The resonant frequencies of the micro strip antenna using the piezoelectric substrate. The micro strip patch antenna made of Quartz substrate was designed and fabricated by Ensemble v 7.0 simulator. The experimental problem was compensated by Ensemble v 7.0
A low voltage operated piezoelectric RF MEMS in-line switch has been realized by using silicon bulk micromachining technologies for advanced mobile/wireless applications. The developed RF MEMS in-line switches were comprised of four piezoelectric cantilever actuators with an Au contact metal electrode and a suspended Au signal transmission line above the silicon substrate. The measured operation dc bias voltages were ranged from 2.5 to 4 volts by varying the thickness and the length of the piezoelectric cantilever actuators, which are well agreed with the simulation results. The measured isolation and insertion loss of the switch with series configuration were -43dB and -0.21dB (including parasitic effects of the silicon substrate) at a frequency of 2GHz and an actuation voltage of 3 volts.
The planar type flexible piezoelectric energy harvesters (PEH) based on PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT) thin films on the flexible substrates are demonstrated to convert mechanical energy to electrical energy. The planar type energy harvesters have been realized, which have an electrode pair on the PZT thin films. The PZT thin films were deposited on double side polished sapphire substrates using conventional RF-magnetron sputtering. The PZT thin films on the sapphire substrates were transferred by PDMS stamp with laser lift-off (LLO) process. KrF excimer laser (wavelength: 248nm) were used for the LLO process. The PDMS stamp was attached to the top of the PZT thin films and the excimer laser induced onto back side of the sapphire substrate to detach the thin films. The detached thin films on the PDMS stamp transferred to adhesive layer coated on the flexible polyimide substrate. Structural properties of the PZT thin films were characterized using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). To measure piezoelectric power generation characteristics, Au/Cr inter digital electrode (IDE) was formed on the PZT thin films using the e-beam evaporation. The ferroelectric and piezoelectric properties were measured by a ferroelectric test system (Precision Premier-II) and piezoelectric force microscopy (PFM), respectively. The output signals of the flexible PEHs were evaluated by electrometer (6517A, Keithley). In the result, the transferred PZT thin films showed the ferroelectric and piezoelectric characteristics without electrical degradation and the fabricated flexible PEHs generated an AC-type output power electrical energy during periodically bending and releasing motion. We expect that the flexible PEHs based on laser transferred PZT thin film is able to be applied on self-powered electronic devices in wireless sensor networks technologies. Also, it has a lot of potential for high performance flexible piezoelectric energy harvester.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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