Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.169-169
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2014
Interfacial electronic structure of bathocuproine and Al was investigated using in-situ photoemission spectroscopy and density functional theory (DFT) calculations. Bathocuproine is used for exciton blocking and electron transport material in organic photovoltaics and Al is typical cathode material. When thin thickness of Al was thermally evaporated on BCP, gap states were observed by ultraviolet photoemission spectroscopy. The closest gap state yielded below 0.3 eV from Fermi level. By x-ray photoemission spectroscopy, interaction of Al with nitrogen of BCP was observed. To understand the origin of gap states, DFT calculation was carried out and gap states was verified with successive calculation of interaction of Al and nitrogen of BCP. Furthermore, emergency of another state above Fermi level was observed. Remarkable reduction of electron injection barrier between Al and BCP, therefore, is possible.
We have measured the x-ray photoemission spectroscopy of cation deficient La0.970Mn0.970O3 as a function of temperature. Detailed results on the chemical shifts and changes in Mn 2p and Lp 3d core levels due to variation of temperature have been obtained. The Mn 2p 3/2 and 1/2 main peaks and La 3d core spectrum shift to lower binding energy levels with increasing temperature. This XPS behavior is correlated with the strength of localization of Mn3+. The Jahn-Teller effect due to Mn3+ besides the conventional random potential effects is likely to localize charge carriers in La-.970Mn0.970O3.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.82-82
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2012
Angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES) is a powerful tool to investigate the electronic structure of a single-crystalline solid. After the development of a two-dimensional electron detector, it became a basic experimental method in solid state physics comparable to other powerful tools such as x-ray and neutron scatterings. In this tutorial, I talk briefly on the basic principle of ARPES and its recent and future direction of development.
In this review paper, I'd like to introduce the basics of angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES) and some of my results taken at the Pohang Accelerator Laboratory (PAL), the only synchrotron radiation in South Korea. The results show that ARPES is very useful, in particular, for studying two-dimensional materials. It looks like a microscope in momentum space similar to transmission electron microscope imaging atoms in real space.
This study examined the photoemission behaviors of isolated chains of poly[2-methoxy, 5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene](MEH-PPV) dispersed in various solvents including dichloromethane, chloroform and tetrahydrofuran(THF). A change in polymer-solvent interactions in these solutions caused the MEH-PPV chains to adopt different local conformations, which in turn affected their radiative de-excitation pathways. For the polymer in dichloromethane and chloroform, in which the conjugated chains are relatively extended, photoemission occurs mostly at the long chromophores with lowest HOMO-LUMO energy gap. Their emission spectra showed a main peak at ${\sim}560\;nm$. Dual photoemission of high- and low-energy chromophores was observed when the conjugated chains were forced to partially collapse in a poor solvent THF. Novel high-energy peaks and a typical low-energy peak were detected at ${\sim}414\;nm$ and ${\sim}554\;nm$, respectively. The observation of the high-energy peaks indicates significant suppression of the intrachain energy transfer process, which was attributed to the increase in conformational disorder in the partially collapsed coils. An analysis of the excitation spectra suggests that the high-energy peaks belong to short chromophores constituting of one or two repeat units. This study systematically investigated the effects of polymer concentration, temperature and single bond defects along the backbone on the photoemission of the high-energy chromophores.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.283-283
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2011
The n-doping effect by doping metal carbonate into an electron-injecting organic layer can improve the device performance by the balanced carrier injection because an electron ohmic contact between cathode and an electron-transporting layer, for example, a high current density, a high efficiency, a high luminance, and a low power consumption. In the study, first, we investigated an electron-ohmic property of electron-only device, which has a ITO/$Rb_2CO_3$-doped $C_{60}$/Al structure. Second, we examined the I-V-L characteristics of all-ohmic OLEDs, which are glass/ITO/$MoO_x$-doped NPB (25%, 5 nm)/NPB (63 nm)/$Alq_3$ (32 nm)/$Rb_2CO_3$-doped $C_{60}$(y%, 10 nm)/Al. The $MoO_x$doped NPB and $Rb_2CO_3$-doped fullerene layer were used as the hole-ohmic contact and electron-ohmic contact layer in all-ohmic OLEDs, respectively, Third, the electronic structure of the $Rb_2CO_3$-doped $C_{60}$-doped interfaces were investigated by analyzing photoemission properties, such as x-ray photoemission spectroscopy (XPS), Ultraviolet Photoemission spectroscopy (UPS), and Near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) spectroscopy, as a doping concentration at the interfaces of $Rb_2CO_3$-doped fullerene are changed. Finally, the correlation between the device performance in all ohmic devices and the interfacial property of the $Rb_2CO_3$-doped $C_{60}$ thin film was discussed with an energy band diagram.
During last two decades, remarkable progresses have been made in organic electronic devices, such as organic light-emitting device, organic photovoltaic and many other applied devices. Many of these progress are attributed to the multilayered/heterojunction device architectures, which could be achieved from the control of "interfacial energetics". In that sense, the interfacial electronic structures in organic electronic devices have a decisive role in device performance. However, the prediction of the interfacial electronic structures from each separate material is not trivial. Many complex phenomena occur at the interface and these can be only understood from thorough measurements on interfacial electronic structures in situ. Photoemission and inverse photoemission spectroscopy have been known as the most proper measurement tools to analyze these interfacial electronic structures. In this review, the basic principles of (inverse) photoemission spectroscopy and typical measurement results on organic/inorganic interfaces are introduced.
Magnetic properties of a solid are determined by the quantum mechanical states of valence electrons. Spin-polarized angle-resolved photoemission spectroscopy (SP-ARPES) is a powerful tool to probe the electronic states in a solid and provides valuable information on magnetic properties of a solid. In this article, brief introduction to SP-ARPES and its applications are provided.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.166-166
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2000
We studied electronic structure of magnetic semiconductors EuO, EuS, and EuTe. The photoemission spectra show localized Eu 4f states and broad anion p bands. As the size of anion increases from oxygen to tellurium, anion p band width increases and eventually overlaps Eu 4f states. Hence in EuO and EuS, Eu 4f states are the highest occupied stated lying above anion p band, while Te 5p band spreads widely over Eu 4f states to become valence band maximum in EuTe. It was also observed that Eu 4f states have width of 0.7eV and dispersion of 0.2eV in EuS by angle resolved photoemission spectroscopy. The width of the 4f spectra mainly originates from atomic multiplets, but the much larger dispersion than that of Eu metal is due to p-f mixing.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.374-374
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2010
Charge transfer mechanism of poly(4,4'-aminotriphenylene hexafluoroisopropylidenediphthalimide) (TP6F PI) which exhibits bistable ON and OFF switching has been studied using photoemission electron spectroscopy (PES) and near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS). Here, we demonstrate novel set-up in which holes are injected by photoemission process instead of direct charge carrier injection via metal electrode. The accumulated charges on the PI surface in the OFF state abruptly flow across the PI film when the bias voltage of a back electrode reaches a specific value, indicating that the film is changed to the ON state. Core level and x-ray absorption spectra probed at charge injection region via photoemission process do not show any evidences implying structural modification of TP6F PI during the phase change. Whereas, in valence band spectra, the highest occupied molecular orbital (HOMO) is shifted toward Fermi level, responsible for improved hole-mobility of TP6F PI of ON state.
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