• 한국진공학회지
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• 제12권S1호
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• pp.17-20
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• 2003

We have studied magnetic and structural properties of ultrathin Ni films grown on PI(lII) surface using in situ surface magneto-optic Kerr effect and X-ray photoelectron spectroscopy. Perpendicular magnetic anisotropy was absent, and longitudinal Kerr signal was only detectable for Ni films thicker than 6 monolayers. Enhancement in longitudinal Kerr signal by 30% was achieved by post-annealing at temperatures below 800K, but upon annealing at 820K, surface alloy was formed. By using core-level binding-energy shifts, the composition was determined to be Ni 70 at. %.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.61-61
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• 2010

By using high resolution x-ray photoelectron spectroscopy, we show that inelastic scattering of photoelectron at low temperature (30K~50K) generates two kinds of oxygen species on Pt (111) surface. Intense synchrotron radiation source dissociates oxygen molecules into chemisorbed atomic oxygen and induces the formation of PtO on surface. Estimated coverage of dissociated atomic oxygen is 0.5 ML, suggesting possible formation of p($2{\times}1$) surface structure, while PtO coverage shows saturation coverage of 0.5 ML. Molecular oxygen dosed at 30 K undergoes thermally activated transition from physisorbed to chemisorbed state at around 40K.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.110-110
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• 2009

최근 차세대 비휘발성 메모리(NVM) 기술은 메모리의 성능과 기존의 한계점을 효과적으로 극복하며 활발한 연구를 통해 비약적으로 발전하고 있으며 특히, phase-change random access memory (PRAM)은 ferroelectric random access memory (FeRAM)과 magneto-resistive random access memory (MRAM)과 같은 다른 NVM 소자와 비교하여 기존의 DRAM과 구조적으로 비슷하고 상용화가 빠르게 진행될 수 있을 것으로 예상되는 바, PRAM에 사용되는 상변화 물질의 식각을 수행하고 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 통해 표면의 열화현상을 관찰하였다.

• 한국진공학회지
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• 제2권2호
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• pp.171-180
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• 1993

X-선 광전자 분광법(XPD)을 이용하여 GaAs(110) 절개면의 결정구조를 이해하였다. 각분해 X-선 분광법으로 GaAs(110) 면의 내각준위 Ga 및 As 3d의 스펙트럼을 얻어, 이 내각 준위의 세기 비율(intensity ratio)의 방위각과 편각에 따른 변화를 SSC(Single Scattering Cluster) 모델에서 얻은 회절패턴으로 곡선분석(fitting)하여 절개면의 재구성 구조(reconstruction geometry)를 얻었다. 이 절개면의 재구성된 값은 다른 실험의 결과와 비슷하였다.

• 한국진공학회지
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• 제1권1호
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• pp.100-105
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• 1992

Au/V, Au/Ti의 이중구조 박막을 대기 중에서 $500^{\circ}C$에서 열처리한 후 Auger electron spectroscopy(AES)와 X-ray photoelectron spectroscepy(XPS)를 이용하여 분석 하였다. 열처리 과정에서 Au와 SiO2 기판 사이의 V-와 Ti- 하층박막은 Au 표면 위에 산화 물을 형성하였다. 산화물의 화학조성은 Au/V, Au/Ti 박막에서 V2O5와 TiO2로 각각 판명되었다.

• 한국진공학회지
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• 제8권1호
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• pp.9-12
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• 1999

Angle Resolved Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy(ARUPS)용 전자 에너지분석기를 제작하고 그 성능을 조사하였다. 독립적인 각 분해와 에너지 분해를 위하여 3전극 전자 렌즈 2개를 연이어 붙인 동심 반구형으로 제작하였다. 이 분석기의 성능을 조사하기 위하여 Cu(100)의 전자 에너지 구조를 연구하였다. 이 분석기의 최고 에너지 분해능은 40 meV 이하이고 각 분해능은 $0.2^{\circ}$ 임을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.244-244
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• 2012

Polymer memory devices have attracted considerable attention because of their advantages such as low cost potential, good scalability, flexibility, simplicity in structure, and large capacity for data storage. Metal/poly (4,4'-aminotriphenylene hexafluoroisopropylidenediphthalimide) (6F-TPA PI)/metal system has been found to show an electrical bi-stable behavior. Here, we show a novel set-up of 6F-TPA PI/Al sample in which holes are injected by photoelectron emission process instead of direct charge carrier injection via metal electrode. In this process, an irreversible electrical phase transition of 6F-TPA PI is found, leading to a write-once-read-many (WORM) behavior. The photoelectron spectroscopy results measured before and after the switching process revealed that the irreversible electrical phase transition of 6F-TPA PI is attributed to the chemical modification of the carbonyl group in phthalimide moiety.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.72-72
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• 2011

Surface science is intrinsically related to the performance of solar cells. In solar cells the generation and collection of charge carriers determines their efficiency. Effective transport of charge carriers across interfaces and minimization of their recombination at surfaces and interfaces is of utmost importance. Thus, the chemistry at the surfaces and interfaces of these devices must be determined, and related to their performance. In this talk we will discuss the role of two important interfaces, First, the role of surface passivation is very important in limiting the rate of carrier of recombination. Here we will combine x-ray photoelectron spectroscopy of the surface of a Si device with electrical measurements to ascertain what factors determine the quality of a solar cell passivation. In addition, the quality of the heterojunction interface in a ZnSe/CdTe solar cell affects the output voltage of this device. X-ray photoelectron spectroscopy gives some insight into the composition of the interface, while ultraviolet photoemission yields the relative energy of the two materials' valence bands at the junction, which controls the open circuit voltage of the solar cell. The relative energies of ZnSe and CdTe at the interface is directly affected by the material quality of the interface through processing.

• 센서학회지
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• 제5권1호
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• pp.51-56
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• 1996

Structural properties of rf sputtered boron nitride films were studied as a function of deposition parameters such as nitrogen pressure, substrate temperature and substrate bias using X-ray photoelectron spectroscopy and Auger electron spectroscopy. Composition and information on chemical bonding of resultant films was determined by XPS. XPS core level spectra showed that ratio of boron to nitrogen varied from 3.11 to 1.45 with respect to partial nitrogen pressure. Curve fitting of XPS spectra revealed three kinds of bonding mechanism of boron in the films. XPS peak positions of both B 1s and N 1s shifted to higher energy with higher nitrogen pressure as well as increase in substrate bias voltage. AES was used to see possible contamination of films by carbon or oxygen as well.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권9호
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• pp.900-908
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• 2000

일반적인 유리용융과 열처리법을 이용하여 많은 양의 금속구리 미립자가 분산된 Zinc Phosphate 유리를 제조하였다. 금속산화물로는 Cu$_2$O를, 환원제로는 SnO를 사용하였다. XRD와 전자회절로부터 열처리에 의해 금속구리의 결정상이 석출됨을 알 수 있었고, TEM에 의해 석출상의 크기는 수~20nm 정도임을 알 수 있었다. 또한 570nm에서의 광흡수 피크로부터도 금속구리의 석출을 확인할 수 있었다. 석출입자의 크기와 흡광은 석출을 위한 열처리 온도와 시간이 증가함에 따라 증가하였다. XPS 스펙트럼으로는 구리의 산화상태 중 Cu$^{2+}$ 이온의 상태만을 분명히 할 수 있었다. 매질유리의 BO/NBO의 비는 열처리 전후 크게 변화가 없었으며, 열처리 후 Cu$^{2+}$ 이온이 다소 감소되는 경향을 보였다.