Kim, Su-Hwan;Han, Gyu-Seok;Han, Gi-Bok;Seong, Myeong-Mo
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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pp.87-87
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2010
We report a new patterning technique of inorganic materials by using thin-film transfer printing (TFTP) with atomic layer deposition. This method consists of the atomic layer deposition (ALD) of inorganic thin film and a nanotransfer printing (nTP) that is based on a water-mediated transfer process. In the TFTP method, the Al2O3 ALD growth occurs on FTS-coated PDMS stamp without specific chemical species, such as hydroxyl group. The CF3-terminated alkylsiloxane monolayer, which is coated on PDMS stamp, provides a weak adhesion between the deposited Al2O3 and stamp, and promotes the easy and complete release of Al2O3 film from the stamp. And also, the water layer serves as an adhesion layer to provide good conformal contact and form strong covalent bonding between the Al2O3 layer and Si substrate. Thus, the TFTP technique is potentially useful for making nanochannels of various inorganic materials.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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pp.300.2-300.2
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2013
Periodically shaped pillar-arrays and hole-arrays were fabricated on a Si wafer. Geometric features are similar in a periodic length of 4 ${\mu}m$ and a depth of 2 ${\mu}m$. For the hole-array patterns, positive PR processes were performed. UV exposed PR patterns were removed during a developing process to leave shapes of inversely replicated from a glass photomask. Meanwhile, negative PR processes were taken for the pillar-array patterns. UV exposed PR patterns were remained on a Si substrate having a same feature of patterns of a glass photomask. For an electrical aspect, a pillar structure has a short carrier-collection length resulting in the improved open-circuit voltage of 609 mV from 587 mV of a planar device. An improved performance may be achieved to reduce recombination loss along the patterning surface.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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pp.92.1-92.1
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2013
Molecular electronics has been the subject of intese research for many years because of the fundamental interest in molecular charge transport and potential applications, such as (bio)nanosensors and molecular memory devices. Molecular electronics requires a method for making reliable eletrical contacts to singlemolecules. To date, several approaches have been reported: scanning-probe microscopy, mechanical break junctions, nano patterning, and direct deposition of electrode on a self-assembled monolayers. However, most methods are laborious and difficult for large-scale application and more importantly, cannot control the number of moleucles in the junction. Recently, DNA has been used as a template for metallic nanostructures (e.g., Ag, Pd, and Au nanowires) through DNA metallization process. Furthermore, oligodeoxynucleotides have been tethered to organic molecules by using conventional organic reactions. Collectively, these techniques should provide an efficient route toward reliable and reproducible molecular electronic devices with large-scale fabrication. Therefore, I will present a paradigm for the fabrication of moleuclar electronic devices by using micrometer-sized DNA-singe organic molecule and DNA triblock structures.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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제47권6호
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pp.362-367
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2014
We report the design, fabrication of a $Si_3N_4$ probe and calculation of its mechanical properties for DPN(dip pen nanolithography), which consists of dual tips. Concept of dual tip probe is to employ individual tips on probe as either an AFM tip for imaging or a writing tip for nano patterning. For this, the dual tip probe is fabricated using low residual stress $Si_3N_4$ material with LPCVD deposition and MEMS fabrication process. On the basis of FEM analysis we show that the functionality of dual tip probe for imaging is dependent on the dimensions of dual tip probe, and high ratio of widths of beam areas is preferred to minimize curvature variation on probe.
We propose a dual Fabry-Perot interferometer (DFPI) structure that combines two Fabry-Perot interferometers. The structure is designed to have spectral peaks in the red, green, and blue regions simultaneously, to be applicable to R, G, and B subpixels without any patterning process. The optimized structure has been fabricated on a glass substrate using a thermal evaporation technique. When the DFPI structure was attached to the quantum-dot color-conversion layer, the full width at half maximum values of the green and red spectra decreased by 47.29% and 51.07% respectively. According to CIE 1931 color space, the DFPI showed a 37.66% wider color gamut than the standard RGB color coordinate. Thus it was experimentally proven that the proposed DFPI structure improved color purity. This DFPI structure will be useful in realizing a display with high color purity.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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제32권10호
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pp.897-902
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2015
This study reports on a uniform resin coating method by using a doctor blade type dispenser. For high productivity, continuous imprint-lithography has been studied, and developed fabrication systems are used in several applications such as anti-reflection films, dry adhesives, and water collecting surfaces. In the continuous fabrication field, researchers have typically focused on patterning and demolding procedures. During the roll-to-roll fabrication process, however, the uniform resin coating process is also important in order to obtain a high quality product, which can be evaluated by uniform thickness, precise geometric expressions, and a thin residual layer. To achieve these, a doctor blade type dispenser was designed and fabricated. As a result, thickness of coated resin was well controlled by modulating the flow rate of the resin and blading gap. In addition, a very thin layer coating process (${\sim}10{\mu}m$) was achieved by softly contacting the blade on the substrate.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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pp.171-171
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2012
In this study, we fabricated the high-brightness AlGaInP-based red light emitting diodes (LED)s using by direct printing technique and inductive coupled plasma (ICP) reactive ion etching (RIE). In general, surface roughening was fabricated by wet etching process to improve the light extraction efficiency of AlGaInP-based red LED. However, a structure of the surface roughening, which was fabricated by wet etching, was tiled cone-shape after wet etching process due to crystal structure of AlGaInP materials, which was used as top-layer of red LED. This tilted cone-shape of surface roughening can improve the light extraction of LED, but it caused a loss of the light extraction efficiency of LED. So, in this study, we fabricated perfectly cone shaped pattern using direct printing and dry etching process to maximize the light extraction efficiency of LED. Both submicron pattern and micron pattern was formed on the surface of red LED to compare the enhancement effect of light extraction efficiency of LEDs according to the diameter of sapphire patterns.After patterning process using direct printing and ICP-RIE proceeded on the red LED, light output was enhanced up to 10 % than that of red LED with wet etched structure. This enhancement of light extraction of red LED was maintained after packaging process. And as a result of analyze of current-voltage characteristic, there is no electrical degradation of LED.
Nanoimprint lithography (NIL) is the next generation photolithography process in which the photoresist is dispensed onto the substrate in its liquid form and then imprinted and cured into a desired pattern instead of using traditional optical system. There have been considerable attentions on NIL due to its potential abilities that enable cost-effective and high-throughput nanofabrication to the display device and semiconductor industry. Although one of the current major research trends of NIL is large-area patterning, the technical difficulties to keep the uniformity of the residual layer become severer as the imprinting area increases more and more. In this paper, with the rolling type imprinting process, a mold, placed upon the $2^{nd}$ generation TFT-LCD glass sized substrate($370{\times}470mm^2$), is rolled by a rubber roller to achieve a uniform residual layer. The prediction of residual layer thickness of the photoresist by rolling of the rubber roller is crucial to design the rolling type imprinting process, determine the rubber roller operation conditions-mpressing force & feeding speed, operate smoothly the following etching process, and so forth. First, using the elasticity theory of contact problem and the empirical equation of rubber hardness, the contact length between rubber roller and mold is calculated with consideration of the shape and hardness of rubber roller and the pressing force to rubber roller. Next, using the squeeze flow theory to photoresist flow, the residual layer thickness of the photoresist is calculated with information of the viscosity and initial layer thickness of photoresist, the shape of mold pattern, feeding speed of rubber roller, and the contact length between rubber roller and mold previously calculated. Last, the effects of rubber roller operation conditions, impressing force & feeding speed, on the residual layer thickness are analyzed with consideration of the shape and hardness of rubber roller.
We demonstrate an effect of annealing temperature on imprinting process of BiLaO thin film for liquid crystal alignment. BiLaO prepared sol-gel process was deposited by spin coating on a glass substrate, and then transferred to a pre-fabricated aligned pattern which is fabricated on a silicon wafer by laser interference lithography. Thin film was annealed at different temperature of 100, 150, 200, and 250 ℃. From the polarized optical microscopy analysis, the liquid crystal orientation was not uniform at the annealing temperature of 200 ℃ or lower and the uniform liquid crystal alignment characteristics were confirmed at the annealing temperature of 250 ℃. From atomic force microscopy, the pattern was not transferred at a temperature of 200 ℃ or lower. In contrast, the pattern was transferred at 250 ℃. Anisotropy of the thin film was obtained by the alignment pattern transferred at a temperature of 250 ℃, and the liquid crystal molecules could be evenly oriented on the thin film. Therefore, it was confirmed that the liquid crystal alignment process by the imprinting process of the BiLaO oxide film was affected by the annealing temperature.
Park, Kun-Joo;Lee, Kwang-Min;Kim, Min-Sik;Kim, Kee-Hyun;Lee, Weon-Mook
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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pp.74-74
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2009
The ArF PR mask was. developed to overcome the limit. of sub 40nm patterning technology with KrF PR. But ArF PR difficult to meet the required PR selectivity by thin PR thickness. So need to the multi-stack mask such as amorphous carbon layer (ACL). Generally capacitively coupled plasma (CCP) etcher difficult to make the high density plasma and inductively coupled plasma (ICP) type etcher is more suitable for multi stack mask etching. Hybrid Coupled Plasma source (HCPs) etcher using the 13.56MHz RF power for ICP source and 2MHz and 27.12MHz for bias power was adopted to improve the process capability and controllability of ion density and energy independently. In the study, the oxide trench which has the multi stack layer process was investigated with the HCPs etcher (iGeminus-600 model DMS Corporation). The results were analyzed by scanning electron microscope (SEM) and it was found that etching characteristic of oxide trench profile depend on the multi-stack mask.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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