Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제7권3호
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pp.149-153
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2006
An attempting to produce a p-type diluted magnetic semiconductor (DMS) using $Ti_{1-x}Co_xO_{2-\delta}-based$ thin films was made by suitable control of the deposition parameters including deposition temperature, deposition pressure, and doping level using a pulsed laser deposition method. T$Ti_{0.97}Co_{0.03}O_{2-\delta}-based$ (TCO) films deposited at $500^{\circ}C$ at a pressure of $5\times10^{-6}$ Torr showed an anomalous Hall effect with p-type characteristics. On the other hand, films deposited at $700^{\circ}C$ at $5\times10^{-6}$ Torr showed n-type behaviors by a decreased solubility of cobalt. The charge carrier concentration in the p-type TCO films was approximately $7.9\times10^{22}/cm^3$ at 300 K and the anomalous Hall effect in the p-type TCO films was controlled by a side-jump scattering mechanism. The magnetoresistance (MR), measured at 5 K in p-type TCO films showed a positive behavior in an applied magnetic field and the MR ratio was approximately 3.5 %. The successful preparation of p-type DMS using the TCO films has the potential for use in magnetic tunneling junction devices.
장염비브리오균의 숙주 내 감염을 일으키는 기작을 이해하기 위하여 세포외 효소 중의 하나인 콜라겐분해효소의 유전자가 불활성화된 돌연변이체를 제작하였다. 콜라겐분해효소의 유전자인 vppC 유전자에 항생제 내성 유전자인 nptII를 삽입하여 제작된 재조합 DNA를 suicide vector인 pDMS197에 클로닝하여 pVCM03이라 명명하였다. 재조합 suicide 플라스미드 pVCM03을 E. coli 7213에 형질전환하여 접합을 통하여 원 균주인 V. varahaemolyticus 04에 전달하였다. 전달된 pVCM03 유래의 재조합 vvpC::npfII DNA는 homologous recombination에 의해 wild-type allele와 교환되어 돌연변이체를 형성하게 되고, 돌연변이체는 10% sucrose가 함유된 TCBS 배지에서 선별되었다. Allele exchange는 PCR에 의한 증폭된 DNA의 크기 비교로 확인하였다. 돌연변이체인 V. parahaemolyticus CM은 원 균주와 비교하였을 때 약 4배정도 낮은 콜라겐 분해 활성을 나타내었고, vero cell을 이용한 MTT assay에서도 원 균주에 비하여 낮은 세포독성을 보였다.
The dilute magnetic semiconductors (DMS) have been developed to multi-functional electro-magnetic devices. Specially, the Si based DMS formed by ion implantation have strong advantages to improve magnetic properties because of the controllable effects of carrier concentration on ferromagnetism. In this study, we investigated the deep level states of Fe- and Co-ions implanted Si wafer during rapid thermal annealing (RTA) process. The p-type Si (100) wafers with hole concentration of $1{\times}10^{16}cm^{-3}$ were uniformly implanted by Fe and Co ions at a dose of $1{\times}10^{16}cm^{-2}$ with an energy of 60 keV. After RTA process at temperature ranges of $500{\sim}900^{\circ}C$ for 5 min in nitrogen ambient, the Au electrodes with thickness of 100 nm were deposited to fabricate a Schottky contact by thermal evaporator. The surface morphology, the crystal structure, and the defect state for Fe- and Co- ion implanted p-type Si wafers were investigated by an atomic force microscopy, a x-ray diffraction, and a deep level transient spectroscopy, respectively. Finally, we will discuss the physical relationship between the electrical properties and the variation of defect states for Fe- and Co-ions implanted Si wafer after RTA.
폐암은 전 세계적으로 사망률이 높은 암으로서 소세포성 폐암(small cell lung cancer, SCLC)과 비소세포성 폐암(non-small cell lung cancer, NSCLC)으로 분류된다. 오늘날까지 폐암 치료를 위해 많은 화학요법이 사용되어 왔으나 장기간 화학요법에 의한 부작용 및 항암제 내성 유발로 인해 항암 치료에 한계가 있으므로, 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 현재는 천연물로부터 유래한 항암물질을 탐색하는 추세이다. Curcumin은 강황의 뿌리에서 추출된 polyphenol 화합물로서 항균, 항암, 항산화 및 항염증 작용이 보고되어 현재까지 꾸준히 항암 연구가 진행되어 왔으나 인간 폐암 세포주의 종류에 따른 항암 효과는 거의 연구되지 않았다. 따라서 본 연구에서는 여러 종류의 인간 폐암 세포주에 대한 curcumin의 항암 효과를 조사하고자 하였다. 그 결과, 10, 30, 50 μM 농도의 curcumin은 폐암 세포주에 따라 경미한 차이가 나타내면서 농도 의존적으로 세포 생존을 저해하였다. 또한 A549 (NSCLC) 및 DMS53 (SCLC) 세포주를 대상으로 apoptosis, autophagy, reactive oxygen species (ROS)를 flow cytometry로 측정한 결과, 농도 의존적으로 이러한 현상들이 증가되었으며 각각의 저해제를 처리했을 때 이러한 현상들이 회복되는 것이 관찰되었다. Apoptosis와 관련된 단백질인 Bax, PARP, pro-caspase-3 및 Bcl-2의 발현이 curcumin 농도 의존적으로 조절되었으며, 특히 DMS53에서 Bax/Bcl-2 비율이 더 높았다. 또한, autophagy 단백질인 p-AKT, p62 및 LC3B도 curcumin 농도 의존적으로 조절되었다. 한편, ROS 저해제인 diphenyleneiodonium 처리 시, curcumin에 의해 유도된 apoptosis와 autophagy 수준이 저해되었으며 관련 단백질의 발현도 조절되었다. 이를 통해 curcumin의 항암 작용은 curcumin에 의해 생산된 ROS를 매개로 하여 폐암 세포주의 apoptosis 및 autophagy의 유도를 통해 나타나는 것으로 확인되었다.
We examined the distribution of Co ions of ferromagnetic n-type Zn(1-x)Co(x)O semiconducting films with the Co concentrations of 0.03~0.07 using x-ray absorption fine structure (XAFS) measurements at the Co and Zn K edges. Extended XAFS (EXAFS) revealed that Co ions mainly occupied the zinc sites of the films. X-ray absorption near edge structure (XANES) spectra demonstrated that the pre-edge peak of the Co K edge was substantially affected by the second neighboring Co ions at the zinc sites due to hybridizing of the Co 4p conduction electrons with the Co 3d bounded electrons. From XANES and EXAFS analysis using ab initio calculations, we found that Co ions uniformly occupied the zinc sites of the Zn (0.93) Co (0.07)O film, whereas the Co ions of the Zn (0.97) Co (0.03)O and Zn (0.95) Co (0.05)O films were substituted at localized zinc sites. The ferromagnetic properties of the Zn (0.93) Co(0.07)O film could be induced by direct interaction between the magnetic dipoles of the Co ions with a mean distance of 4.3 A or by Co 4p electron mediation.
We investigated the structural, electrical and magnetic properties of Mn-doped $CuAlO_2$ delafossite ceramics ($CuAl_{1-x}Mn_{x}O_2,\;0\le\;x\;\le0.05$), synthesized by solid-state reaction method in an air atmosphere at a sintering temperature of $1150^{\circ}C$. The solubility limit of Mn ions in delafossite $CuAlO_2$ was found to be as low as about 3 $mol\%$. Positive Hall coefficient and the temperature dependence of conductivity established that non-doped $CuAlO_2$ ceramic is a variable-range hopping p-type semiconductor. It was found that the Mn-doping in $CuAlO_2$ rapidly reduced the hole concentration and conductivity, indicating compensation of free holes. The analysis of the magnetization data provided an evidence that antiferromagnetic superexchange interaction is the dominant mechanism of the exchange coupling between Mn ions in $CuAl_{1-x}Mn_{x}O$ alloy, leading to an almost paramagnetic behavior in this alloy.
최근 자성반도체(diluted magnetic semiconductor; DMS)를 이용한 소자 개발이 가긍해짐에 따라 국내외에서 활발한 연구가 이루어지고 있다. 본 연구실에서는 GaN-단일전구체를 이용하여 상온에서 자기적 특성을 나타내는 p-type GaMnN를 성장시켰다 극한 환경에서의 자성반도체 재료의 물성 변화를 알아보기 위해, 본 연구에서는 세계 최초로 중성자 빔의 조사에 따른 자성반도체의 구조적, 자기적 특성 및 열처리에 따른 특성 변화를 관찰 및 분석하였다. Molecular beam epitaxy(MBE)를 이용하여 Mn cell 온도가 각각 77$0^{\circ}C$, 94$0^{\circ}C$인 GaMnN 박막을 성장시켰다. 성장된 박막 시편에 한국원자력연구소 하나로 HTS공에서 중성자 빔을 각각 20min(4.17$\times$$10^{16}$n/$\textrm{cm}^2$), 24hour(3.0$\times$$10^{18}$n/$\textrm{cm}^2$)씩 조사하였다 중성자 빔을 조사한 시편은 진공분위기 하에서 100$0^{\circ}C$, 30초간 열처리하였다.(rapid thermal annealing;RTA, 승온속도: 8$^{\circ}C$/sec) 중성자 빔을 조사한 GaMnN 박막의 구조적인 특성은 X-ray diffraction(XRD) 측정을 통해 관찰하였고, 박막의 자기적 특성은 superconducting quantum interference device(SQUID)를 통해 측정하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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