Kim, Yeong-Jae;Kim, Jong-Gi;Mok, In-Su;Lee, Gyu-Min;Son, Hyeon-Cheol
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.359-360
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2013
The effect of electrode and deposition methods on non-linear interfacial resistive switching in HfO2 based $250{\times}250$ nm2 cross-point device was studied. HfO2 based device has the interfacial resistive switching properties of non-linearity and self-compliance current switching. The operating current in HfO2 based device was increased with negatively increasing the heat of formation energy in top electrode. Also, it was investigated that the operating current in HfO2 based device was changed with deposition methods of O3 reactant ALD, H2O reactant ALD and dc reactive sputtering, resulting the magnitude of the operating current and on/off ratio in order of HfO2 films deposited by dc reactive sputtering, H2O reactant ALD, and O3 reactant ALD. To investigate the effect of electrode and deposition methods on operating current of non-linear interfacial resistive switching in the cross-point device, X-ray photoelectron spectroscopy was measured. Through the analysis of O 1s spectra, non-lattice oxygen concentration, which is closely related to oxygen vacancies, was increased in order of Pt, TiN, and Ti top electrodes and in order of O3 reactant ALD, H2O reactant ALD, and O3 reactant ALD, and dc reactive sputtering deposition method. From all results, non-lattice oxygen concentration in ultra-thin HfO2 films play a crucial role in the operating current and memory states (LRS & HRS) in the non-linear interfacial resistive switching.
Objectives : It is demonstrated that oxygen free radicals have cytotoxic effect on NIH3T3 fibroblast cells. Recently, many of herb extracts have an effect of antioxidant in oxygen free radical-induced cytotoxicity. But, the toxic mechanism of oxygen free radical is left unknown. The purpose of this study was to examine the cytotoxicity of hydrogen peroxide ($H_2O_2$) and antioxidant effect of Citri reticulatae pericarpium (CRP) on NIH3T3 fibroblasts. Methods : The cytotoxicy was measured by cell viability by XTT assay in NIH3T3 fibroblasts. XTT assay is regarded as a very sensitive screening method for the determination of the cell viability on various chemicals. Results : In this study, H2O2 decreased cell viability according to the dose- and time dependent manners after NIH3T3 fibroblasts were treated with various concentrations of H2O2 for 4 hours. And also, CRP showed the effect of antioxidant on $H_2O_2-induced $ cytotoxicity in cultured NIH3T3 fibroblasts. Conclusion : These results suggest that $H_2O_2$ has highly cytotoxic effect on cultured NIH3T3 fibroblasts by the decrease of cell viavility, and the herb extract such as CRP was showed the effect of antioxidant on $H_2O_2-induced$ cytotoxicity in these cultures.
The electrical conductivities of the yttria (8mol%) stabilizedzirconia-ceria solid solutions were measured as a function of oxygen partial between 80$0^{\circ}C$ and 100$0^{\circ}C$ using 4-probe d.c. method Under pure oxygen atmosphere the oxygen ionic conductivity of CeO2-ZrO2 decreased with the concentration of CeO2 Under reducing condition electronic conduction due to the redox equilibrium of Ce ion was observed. Total ionic and electronic conductivities fitted by a defect model enabled to determine the electronic transference number(tei) which increased with the concentration of CeO2 and with the degree of reduction.
The behavior of oxygen gas participating in fining was observed in CRT (Cathode Ray Tube) glass melts doped with $Sb_2O_5\;or\;CeO_2$ by means of a yttria-stabilized zirconia (YSZ) electrode. The temperature dependence of the oxygen equilibrium pressure ($P_{o2}$) or the activity in both melts showed typical behavior corresponding to a theoretical redox reaction. In other words, the $P_{o2}$ value of melts with $CeO_2$ was lower than that of melts with $Sb_2O_5$ above $1250^{\circ}C$. The result implies that $Sb_2O_5$, is more efficient as a fining agent compared to $CeO_2$. On the other hand, melts from a batch containing $Sb_2O_5\;and\;KNO_3$ showed much higher $P_{o2}$ values compared to melts without $KNO_3$ above $1350^{\circ}C$. It is suggested that the addition of $KNO_3$ to CRT glass batch contributes partly to the first fining of the melts.
Numerical simulations are conducted at atmospheric pressure in order to understand the effect of the oxygen enrichment level on structure of $CH_4/O_2/N_2$ premixed flames. Under several equivalence ratios the flame speeds are calculated and compared with those obtained from the experiments, the results of which are in good agreement. The effects of the oxygen enrichment are investigated on flames under fuel-rich conditions. As the oxygen enrichment level is increased from 0.21 to 1, the flame speed and the temperature are increased. The emission index of $CO_2$ is decreased in cases of flames for fuel rich mixtures, so the efficiency of combustion may be decreased. The maximum emission index of NO is obtained for 0.6 of the oxygen enrichment level.
Significant improvements in the switching voltage distribution are required for the development of unipolar resistive memory devices using $MnO_x$ thin films. The $V_{set}$ of the as-grown $MnO_x$ film ranged from 1 to 6.2 V, whereas the $V_{set}$ of the oxygen-annealed film ranged from 2.3 to 3 V. An excess of oxygen in an $MnO_x$ film leads to an increase in $Mn^{4+}$ content at the $MnO_x$ film surface with a subsequent change in the $Mn^{4+}/Mn^{3+}$ ratio at the surface. This was attributed to the change in $Mn^{4+}/Mn^{3+}$ ratios at the $MnO_x$ surface and to grain growth. Oxygen annealing is a possible solution for improving the switching voltage distribution of $MnO_x$ thin films. In addition, crystalline $MnO_x$ can help stabilize the $V_{set}$ and $V_{reset}$ distribution in memory switching in a Ti/$MnO_x$/Pt structure. The improved uniformity was attributed not only to the change of the crystallinity but also to the redox reaction at the interface between Ti and $MnO_x$.
ZnO thin films were prepared by pulsed laser deposition on amorphous fused silica substrates at different ambient $O_2$ pressures varying from 0.5 to 500 mTorr, to observe the effect of ambient gas on their crystalline structure, morphology and optical properties. Results of X-ray diffraction, scanning electron microscopy, atomic force microscopy and photoluminescence studies showed that crystallinity, surface features and optical properties of the films significantly depended on the oxygen background pressure during growth. A low oxygen pressure (0.5 mTorr) seems to be suitable for the growth of highly c-axis oriented and smoother films possessing a superior luminescent property. The films grown at the higher $O_2$ pressures (50-500 mTorr) were found to have many defects probably due to an excessive incorporation of oxygen into ZnO lattice. We speculate that the film crystallinity could be affected by the kinetics of atomic arrangement during deposition at the higher oxygen pressures.
Tetradentate Schiff base cobalt(II) complexes such as $Co(II)_2-N$, N-bis(salicylidene)-m-phenylendiimine; [$Co(II)_2(SMPD)_2(H_2O)_4$] and $Co(II)_2-N$, N-bis(salicylidene)-p-phenylendiimine: [$Co(II)_2(SPPD)_2(H_2O)_4$], and oxygen adducted cobalt (III) complexes such as [$Co(III)_2O_2(SMPD)_2(Py)_2$] and [$Co(III)_2O_2(SPPD)_2(Py)_2$] in pyridine solutions were synthesized. It was identified that the oxygen adducted cobalt(III) complexes have hexacoordinated octahedral configuration with pyridine and oxygen from the measurement of elemental analysis, AA, IR spectra, and TGA. The redox processes were investigated for the oxygen adducted complexes in 0.1M TEAP-pyridine solution, using cyclic voltammetry on the glassy carbon electrode. The redox processes of oxygen adducted Co(III) complexes result in $$[Co(III)_2-O_2-CO(III)]\rightarrow^{e^-}[Co(III)-O_2-Co(II)]\rightarrow^{e^-}[Co(II)-O_2-Co(II)]\rightleftarrows^{e^-}[Co(II)+Co(II)+O_2{\cdot}^-]\rightleftarrows^{e^-}[Co(II)+Co(I)+O_2{\cdot}^-]\rightleftarrows^{e^-}[Co(I)+Co(I)+O_2{\cdot}^-]$$.
A gaseous oxygen detector has been developed in a configuration of Pd-$SnO_x$-$Si_3N_4$-$SiO_2$-Si-Al with highly resistive $SnO_x$ layer as the oxygen adsorptive element. In this paper, we present the characteristics of the device in response to oxygen adsoption/desorption under applied d.c. bias. Experimental results showed that the oxygen adsorptive response by the device was reduced significantly under a positive gate bias, for all experimental regions of $O_2$ partial pressure. On the other hand, the application of a negative gate bias increased the device's adsorptive response of oxgyen. A device model concerning this electroadsorption/desorption behavior of the device is provided.
In order to evaluate on the effect of kaempferol on the cytotoxicity of oxygen tree radicals, XTT assay was performed to determine the cell viability after skin fibroblasts derived from human (Detroit 51) that were treated with various concentrations of hydrogen peroxide $(H_2O_2)$. And also, the effect of kaempferol on the cytotoxicity induced by H202 that was examined by cell viability, lactate dehydrogenase (LDH) activity and 1,1-diphenyl-2-picrylhydrazyl (DPPH) radical scavenging activity in these cultures. $H_2O_2$ decreased cell viability in dose-dependent manner in these cultures and the $XTT_{90}\;and\;XTT_{50}$ values were determined at concentration of $35{\mu}M\;and\;90{\mu}M$ of $H_2O_2$ after skin fibroblasts derived from human were treated with $15{\sim}90{\mu}M$ of $H_2O_2$ for 6 hours, respectively. $H_2O_2$ was highly toxic on cultured skin fibroblasts derived from human by toxic criteria of Brenfreund and Puerner (1984). In the protective effect of kaempferol on $H_2O_2$-induced cytotoxicity, kaempferol increased DPPH radical scavenging activity and significantly decreased LDH activity. From these results, it is suggested that oxygen tree radical, $H_2O_2$, was highly toxic on cultured skin fibroblasts derived from human, and also kaempferol of flavonoid showed the protection on $H_2O_2$-induced cytotoxicity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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