• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
• /
• pp.168-169
• /
• 2000

We have tried to enhance the density of the near-field optical memory and to improve the recording/readout speed. The current optical memory has the limitation in both density and speed. This barrier due to the far-field nature can be overcome by the use of the near-field$^{(1)}$ . The optical data storage density can be increased by reducing the size of the nanometric aperture where the near-field is obtained. To fabricate the aperture in precise dimension, we applied the orientation-dependent / anisotropic etching property of crystal Si often employed in the field of MEMS$^{(2)}$ . And so we fabricated the 10$\times$10 aperture array. This array will be also the indispensable part for speeding up. One will see the possibility of the multi-tracking pickup in the phase changing type memory through this array$^{(3)}$ . This aperture array will be expected to write the bit-mark whose size is about 100nm. We will show the recent result obtained. (omitted)

• 한국재료학회지
• /
• 제4권5호
• /
• pp.590-599
• /
• 1994

취성재료의 균열첨단에서 전위의 이동에 대한 거동을 이해하기 위하여 단결정의 알루미나에 대한 취성-연성 전이(BDT)에 대한 한 연구가 진행되었다. 여러 온도에서, 예비균열된 시편으로 4점 굽힘시험을 이용하여 임계응력확대계수와 항복강도가 측정되었다. 그 결과로, BDT온도는 변형속도와 시편 방향에 따라 달랐다.:(1120)파단면에 대하여 $4.2 \times 10^{-6}$와 $4.2 \times 10^{-7}s^{-1}$에서 BDT온도는 각각$1034^{\circ}C$, $1150^{\circ}C$이었다. 또한 4점굽힘 시험을 이용하여 연성영역에서 균열첨단으로 부터 방출된 전위의 이동거리과 방향은 에칭 피트법에 의해서 측정되었다. 이중 에칭법을 이용하여 즉정된 사파이어에서 전위의 이동속도는 모델링 연구에 응용되었다.