Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.24
no.6
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pp.113-120
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2007
Chemical vapor deposition (CVD) is one of the various synthesis methods that have been employed for carbon nanotube (CNT) growth. In particular, Ren et al reported that large areas of vertically aligned multi-wall carbon nanotubes could be grown using a direct current (dc) PECVD system. The synthesis of CNT requires a metal catalyst layer, etchant gas, and a carbon source. In this work, the substrates consists of Si wafers with Ni-deposited film. Ammonia $NH_3$) and acetylene ($C_2H_2$) were used as the etchant gases and carbon source, respectively. Pretreated conditions had an influence on vertical growth and density of CNTs. And patterned growth of CNTs could be achieved by lithographical defining the Ni catalyst prior to growth. The length of single CNT was increased as niclel dot size increased, but the growth rate was reduced when nickel dot size was more than 200 nm due to the synthesis of several CNTs on single Ni dot. The morphology of the carbon nanotubes by TEM showed that vertical CNTs were multi-wall and tip-type growth mode structure in which a Ni cap was at the end of the CNT.
Nickel oxide (NiO) thin films were deposited on Si(100) substrates at room temperature by RF magnetron sputtering from a NiO target. The effects of plasma gas and RF power on the crystallographic orientation and surface morphology of the NiO films were investigated. X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and atomic force microscopy (AFM) were employed to characterize the deposited film. It was found that the type of plasma gases affected the crystallographic orientation, deposition rate, surface morphology, and crystallinity of NiO films. Highly crystalline NiO films with (100) orientation were obtained when it was deposited under Ar atmosphere. On the other hand, (l11)-oriented NiO films with poor crystallinity were deposited in $O_2$. Also, the increase in RF power resulted in not only higher deposition rate, larger grain size, and rougher surface but also higher crystallinity of NiO films.
Black cobalt solar selective coatings were prepared by thermal oxidation of electroplated cobalt metal on copper and nickel substrates. The optical properties and structure of the black cobalt selective coating for solar energy utilizations were characterized by glow discharge spectrometry (GDS), ultraviolet-visible-near infrared (UV-VIS-NIR) spectrometer, atom force microscopy(AFM) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). The optical properties of optimum black cobalt selective coating prepared on copper substrate were a solar absorptance of 0.82 and a thermal emittance of 0.01. From the GDS depth profile analysis of these coatings, the concentration of cobalt particles near the interface was higher than at the surface, but oxygen concentration at the surface was higher than at the interface. These results suggest that the selective absorption was dominated by this chemical composition variation in the coating. The surface of this film exhibited morphology with root-mean-square(rms) roughness of about 144.3nm. XPS measurements data showed that several phases of Co coexist($Co_3O_4$,CoO) in the film.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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v.20
no.5
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pp.121-127
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2021
Reverse offset printing is considering as an emerging technology for printed electronics owing to its environmentally friendliness and cost-effectiveness. In reverse offset printing, selecting the materials for cliché and blanket is critical because of its minimum resolution, registration errors, aspect ratio of reliefs, pattern area, and reusability. Various materials such as silicon, quartz, glass, electroplated nickel plates, and imprinted polymers on rigid substrates can be used for the reverse offset printing of cliché. However, when new structures are designed for specific applications, new clichés need to re-fabricated each time employing multiple time-consuming and costly processes. Therefore, by modifying the blanket materials containing the printing ink, several new structures can be easily created using the same cliché. In this study, we investigated various elastomeric materials and evaluated their applicability for designing a highly stretchable blanket with controlled elastic deformation to implement tunable reverse offset printing.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.30
no.1
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pp.49-54
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2023
Recently, System in Packaging(SIP) technology needs to meet high frequency (5G and more) communication technology and fine pitch surface treatment. The conventional Electroless Ni/Immersion Au plating(ENIG) is not suitable for high frequency range because of magnetic properties are increasing the transmission loss. Without nickel plating layer, the pattern and pad reliability level must be meet the condition. In this review paper, we investigated research trends on Ni-less surface treatment technology for high-frequency communication and frequency characteristics according to materials.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.15
no.4
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pp.65-70
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2008
The mechanical shear strength of BGA(Ball Grid Array) solder joints under high impact loading was investigated. The Sn-37Pb solder balls with a diameter of $500{\mu}m$ were placed on the pads of FR-4 substrates with ENIG(Electroless Nickel Immersion Gold) surface treatment and reflowed. For the High Temperature Storage(HTS) test, the samples were aged a constant testing temperature of $120^{\circ}C$ for up to 250h. After the HTS test, high speed shear tests with various shear speed of 0.01, 0.1, 1, 3 m/s were conducted. $Ni_3Sn_4$ intermetallic compound(IMC) layer was observed at the solder/Ni-P interface and thickness of IMC was increased with aging process. The shear strength increased with increasing shear speed. The fracture surfaces of solder joints showed various fracture modes dependent on shear speed and aging time. Fracture mode was changed from ductile fracture to brittle fracture with increasing shear speed.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.8
no.1
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pp.25-32
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2007
We investigated the silicide reaction stability between 10 nm-Col-xNix alloy films and silicon substrates with the existence of 4 nm-thick natural oxide layers. We thermally evaporated 10 nm-Col-xNix alloy films by varying $x=0.1{\sim}0.9$ on naturally oxidized single crystal and 70 nm-thick polycrystalline silicon substrates. The films structures were annealed by rapid thermal annealing (RTA) from $600^{\circ}C$ to $1100^{\circ}C$ for 40 seconds with the purpose of silicidation. After the removal of residual metallic residue with sulfuric acid, the sheet resistance, microstructure, composition, and surface roughness were investigated using a four-point probe, a field emission scanning electron microscope, a field ion bean4 an X-ray diffractometer, and an Auger electron depth profiling spectroscope, respectively, to confirm the silicide reaction. The residual stress of silicon substrate was also analyzed using a micro-Raman spectrometer We report that the silicide reaction does not occur if natural oxides are present. Metallic oxide residues may be present on a polysilicon substrate at high silicidation temperatures. Huge residual stress is possible on a single crystal silicon substrate at high temperature, and these may result in micro-pinholes. Our results imply that the natural oxide layer removal process is of importance to ensure the successful completion of the silicide process with CoNi alloy films.
Kim, Tetsuro ata;Keisuke Uenishi;Akira Ikenaga;Kojiro F. Kobayashi
Proceedings of the KWS Conference
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2002.10a
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pp.726-731
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2002
Reaction synthesis is a process to form ceramics, intermetallics and their composites from elemental powder mixture. Application of this process to a surface modification techniques has a possibilities to enable the process at a lower temperature or for a shorter time, although synthesized materials are likely to include voids and unreacted elements. This paper intend to examine the effect of Si addition to the mixture of Al and Ni on the densification of synthesized Ni-Al intermetallic compounds and to evaluate the surface properties of obtained coatings. By the Si addition, exothermic reaction temperature to form Ni-Al intermetallic was lowered to be below the melting point of Al. Si soluted $Al_3$Ni$_2$, $Al_3$Ni and $Al_{6}$Ni$_3$Si were mainly formed in the coating layer when powder mixture was heated to 973K for 300s. Besides, densification was enhanced by increasing hot press pressure, Si additions and heating rate. When the composition of eutectic Al-Si reaches 78%, void ratio of sintered compact reduced to 0.4%. It is caused by higher flowability of Al-Si liquid phase generated and its infiltration into the void. Since the hardness of NiAl(Si) compound (about 600HV) formed in the coating layer is higher than that of Ni-Al compound (about 400HV), coating layer with high density and superior wear property is obtained by hot press using reaction synthesis from Al-Ni-Si powder mixture.
Song, Wooseok;Myung, Sung;Lee, Sun Sook;Lim, Jongsun;An, Ki-Seok
Composites Research
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v.29
no.4
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pp.151-155
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2016
Graphene has been a valuable candidate for use as electrodes for supercapacitors. In order to improve the surface area of graphene, three-dimensional graphene was synthesized on porous Ni nanostructure using thermal chemical vapor deposition and microwave plasma chemical vapor deposition. The structural and chemical characterization of synthesized graphene was performed by scanning electron microscopy, Raman spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy. It was confirmed that three-dimensional and high-crystalline multilayer graphene onto various substrates was synthesized successfully.
When alloys are vacuum-deposited on cooled substrates, super-rapidly cooled alloy films in the unequilibrium state can be obtained. As an application of this method, Ag-Cu, Ag-Ni and Ag-C alloys were successfully produced, and their mechanical properties with tempering temperature were investigated. The following results were obtained : (1) In case of Ag-Cu alloys, the solid solution was hardened by tempering at $150^{\circ}C$. The hardening is considered to occur when the solid solution begins to decompose into ${\alpha}$ and ${\beta}$ phases. The Knoop hardness number of a 40 at.%Ag-Cu alloy film deposited on a cooled glass substrate was 390 $kg/mm^2$. The as-deposited films were generally very hard but fractured under stresses below their elastic limits. (2) In case of Ag-Ni and Ag-C alloys, after the tempering of 4 at.%Ni-Ag alloy at $400^{\circ}C$ and of 1 and 2 at.%C-Ag alloys at $200^{\circ}C$, they were hardened by the precipitation of fine nickel and carbon particles. The linear relationship between proof stress vs. $(grain\;diameter)^{-l/2}$ for bulk silver polycrystals can be applied to vacuum-deposited films up to about 0.1 ${\mu}m$ grain diameter, but the proof stress of ultra-fine grained silver with grain diameters of less than 0.1 ${\mu}m$ was smaller than the value expected from the Petch's relation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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