Properties of Ag thick films fabricated by using low temperature curable silver pastes were investigated. Ag pastes were consisted of polymer resins and silver powders. Ag pastes were used for conductive or fixing materials between board and various electrical and electronic devices. Low temperature curable Ag pastes have some advantages over high temperature curable types. In cases of chip mounting, soldering properties were required for screen printed Ag thick films. In this study, four types of Ag pastes were fabricated with different compositions. Screen printed Ag thick films on alumina substrates were fabricated at various curing temperatures and times. Thickness, resistivity, adhesive strength and solderability of fabricated Ag thick films were characterized. Finally, Ag thick films produced using Ag pastes, sample A and B, cured at $150^{\circ}C$ for longer than 6 h and $180^{\circ}C$ for longer than 2 h, and $150^{\circ}C$ for longer than 1 h and $180^{\circ}C$ for 1 h, respectively, showed low resistivities of $10^{-4}$$∼10^{-5}$ Ωcm and good adhesive strength of 1∼5 Mpa. Soldering properties of those Ag thick films with curing temperatures at solder of 62Sn/36Pb/3Ag were also investigated.
Lead free $(Ba_{0.7}Ca_{0.3})TiO_3$ thick films with nano-sized grains are prepared using an aerosol deposition (AD) method at room temperature. The crystallinity of the AD thick films is enhanced by a post annealing process. Contrary to the sharp phase transition of bulk ceramics that has been reported, AD films show broad phase transition behaviors due to the nano-sized grains. The polarization-electric hysteresis loop of annealed AD film shows ferroelectric behaviors. With an increase in annealing temperature, the saturation polarization increases because of an increase in crystallinity. However, the remnant polarization and cohesive field are not affected by the annealing temperature. BCT AD thick films annealed at $700^{\circ}C/2h$ have an energy density of $1.84J/cm^3$ and a charge-discharge efficiency of 69.9 %, which is much higher than those of bulk ceramic with the same composition. The higher energy storage properties are likely due to the increase in the breakdown field from a large number of grain boundaries of nano-sized grains.
We fabricated thermaly evaporated 10 nmNi/(poly)Si films to investigate the energy saving property of silicides formed by rapid thermal annealing (RTA) at the temperature of $300{\sim}1200^{\circ}C$ for 40 seconds. Moreover, we fabricated $10{\sim}50$ nm-thick ITO/Si films with a rf-sputter as reference films. A four-point tester was used to investigate the sheet resistance. A transmission electron microscope (TEM) and an X-ray diffractometer were used for the determination of cross sectional microstructure and phase changes. A UV-VISNIR and FT-IR (Fourier transform infrared rays spectroscopy) were employed for near-IR and middle-IR absorbance. Through TEM analysis, we confirmed $20{\sim}70nm-thick$ silicide layers formed on the single and polycrystalline silicon substrates. Nickel silicides and ITO films on the single silicon substrates showed almost similar absorbance in near-IR region, while nickel silicides on polycrystalline silicon substrate showed superior absorbance above 850 nm near-IR region to ITO films. Nickel silicide on polycrystalline substrate also showed better absorbance in middle IR region than ITO. Our result implies that nano-thick nickel silicides may have exellent absorbing capacity in near-IR and middle-IR region.
Quinary component of 3㎛ thick Ti-Al-Si-Cu-N films were deposited onto WC-Co and Si wafer substrates by using an arc ion plating(AIP) system. In this study, the influence of copper(Cu) contents on the mechanical properties and microstructure of the films were investigated. The hardness of the films with 3.1 at.% Cu addition exhibited the hardness value of above 42 GPa due to the microstructural change as well as the solid-solution hardening. The instrumental analyses revealed that the deposited film with Cu content of 3.1 at.% was a nano-composites with nano-sized crystallites (5-7 nm in dia.) and a thin layer of amorphous Si3N4 phase.
We have deposited NiO films by RF sputtering on $Al_2O_3/SiO_2/Si$ and 100 nm-thick Gd doped $CeO_2$ covered $Al_2O_3/SiO_2/Si$ substrates at various $Ar/O_2$ ratios. The deposited films were reduced to form porous Ni thin fllms in 4% $H_2\;at\;400^{\circ}C$. For the films deposited in pure Ar, the reduction was retarded due to the thickness and the orientation of the NiO films. On the other hand, the films deposited in oxygen mixed ambient were reduced and formed porous Ni films after 20 min of reduction. We also investigated the possibility of using the films for the single chamber operation by studying the electrical property of the films in the fuel/air mixed environment. It is shown that the resistance of the Ni film increases quickly in the mixed gas environment and thus further improvements of Ni-base anodes are required for using them in the single chamber operation.
The transfer assembly (or transfer printing) technique is a promising method for fabricating multi-scale structures on various substrates including semiconductors and polymers, and has been applied to fabrication of flexible devices with superior performance to conventional organic flexible devices. The mechanical behaviors of the structures fabricated by the transfer assembly is a very important information for design and reliability evaluation purpose, but the measurement of the behaviors is difficult since their critical-dimensions are very tiny. In this study, Au films with nano-scale thickness were fabricated on a silicon substrate and their mechanical properties were measured using micro-tensile test. The Au films on the silicon substrate were then transferred to a PDMS substrate using the transfer assembly technique. Self-assembled monolayer (SAM) with a thiol group was used to enhance the transfer of Au films, and the mechanical behaviors were characterized using wrinkle-based test. The test results from micro-tensile and wrinkle-based test are compared to each other, and their implication to the transfer assembly technique is discussed.
We fabricated 10 nm-$TiO_2$ thin films for DSSC (dye sensitized solar cell) electrode application using ALD (atomic layer deposition) method at the low temperatures of $150^{\circ}\;and\;250^{\circ}$. We characterized the crosssectional microstructure, phase, chemical binding energy, and absorption of the $TiO_2$ using TEM, HRXRD, XPS, and UV-VIS-NIR, respectively. TEM analysis showed a 10 nm-thick flat and uniform $TiO_2$ thin film regardless of the deposition temperatures. Through XPS analysis, it was found that the stoichiometric $TiO_2$ phase was formed and confirmed by measuring main characteristic peaks of Ti $2p^1$, Ti $2p^3$, and O 1s indicating the binding energy status. Through UV-VIS-NIR analysis, ALD-$TiO_2$ thin films were found to have a band gap of 3.4 eV resulting in the absorption edges at 360 nm, while the conventional $TiO_2$ films had a band gap of 3.0 eV (rutile)${\sim}$3.2 eV (anatase) with the absorption edges at 380 nm and 410 nm. Our results implied that the newly proposed nano-thick $TiO_2$ film using an ALD process at $150^{\circ}$ had almost the same properties as thsose of film at $250^{\circ}$. Therefore, we confirmed that the ALD-processed $TiO_2$ thin film with nano-thickness formed at low temperatures might be suitable for the electrode process of flexible devices.
We have successfully fabricated the alumina thick films using inkjet printing processes without a high temperature sintering process. Alumina suspension as dielectric ink was formulated by combining nano-sized alumina powders with an anionic polymer dispersant in formamide/water as co-solvent. The thickness of the printed alumina thick film was measured at around 5 um by field emission scanning electron microscope. The calculated packing density of 68.5 % from the printed alumina thick film was much higher than the same films fabricated by conventional casting or dip coating processes. Q factor of the dielectrics thick film infiltrated with cyanate ester resin was evaluated by impedance analyzer.
In this study, off-axis magnetron sputtering was used for the crystallized ITO thin films at a low temperature of about $120^{\circ}C$ instead of the conventional RF sputtering because the off-axis sputtering can avoid the damage for the plasma as well as fabrication of thin films with a high quality. The ITO thin films grown on PET substrate at $120^{\circ}C$ were crystallized with a (222) preferred orientation. 58-nm thick ITO films showed a resistivity of about $2{\times}10-4{\Omega}{\cdot}cm$ and a transmittance of about 75% at a wavelength of 550 nm. The transmittance of the ITO thin films by an insertion of SiO2 thin films on ITO films was improved.
Photo-conductive properties of CdS films deposited on glass substrates by a reactive sputtering in Ar atmosphere were characterized as a function of working pressure and the film thickness. The XRD measurements of CdS films revealed obvious (002) preferred orientation. In 300nm-thick of films, difference between dark and photo-resistance increases with increasing working pressure within the films. The films at 5 mTorr of working pressure show a dark resistance of approximately $1\;{\times}\;10^6\;{\Omega}/{\square}$ and a photo-resistance of $3\;{\times}\;10^4\;{\Omega}/{\square}$. The decrease dark- and photo-resistance of films as thickness decrease were $1.4\;{\times}\;10^6$ and $3\;{\times}\;10^4\;{\Omega}/{\square}$, respectively. CdS films deposited on glass substrates are considered tobe suitable for photo-conductivity materials in stealth radome applications.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.