스핀코팅 방법으로 제작된 ZnO 박막의 두께에 따른 구조적 및 광학적 특성에 관한 연구를 수행하였다. ZnO 박막의 두께가 두꺼워짐에 따라 줄무늬 모양의 폭과 밀도가 증가하고, 두께가 450 nm 일 때 줄무늬 모양은 사라지며 표면이 매끄러워졌다. ZnO 박막의 표면이 매끄러워졌을 때 orientation factor ${\alpha}_{(002)}$가 급격히 증가하였고, (002) 회절 피크의 FWHM (full width at half maximum)는 감소하였다. ZnO 박막의 NBE (near-band edge emission) 피크의 위치는 두께와 표면 형태의 영향을 거의 받지 않았으나, 매끄러운 표면을 갖는 ZnO 박막의 DLE (deep level emission) 피크의 위치는 청색편이 하였다. ZnO 박막의 두께가 증가함에 따라 DLE 피크에 대한 NBE 피크의 발광세기 비율이 증가하는 경향을 보였고, NBE 피크의 FWHM은 감소하는 경향을 보였다.
Kim, Hyo-Jin;Kim, Hyoun-Soo;Kim, Do-Jin;Ihm, Young-Eon;Choo, Woong-Kil;Hwang, Chan-Yong
Journal of Magnetics
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제12권4호
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pp.144-148
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2007
We report on the observation of p-type conductivity and ferromagnetism in diluted magnetic semiconductor $(Zn_{0.97}Mg_{0.01}Mn_{0.02})O:P$ films grown on $SiO_2/Si$ substrates by pulsed laser deposition. The p-type conduction with hole concentration over $10^{18}cm^{-3}$ is obtained by codoping of Mg and P followed by rapid thermal annealing in an $O_2$ atmosphere. Structural and compositional analyses for the p-type $(Zn_{0.97}Mg_{0.01}Mn_{0.02})O:P$ films annealed at $800^{\circ}C$ indicates that highly c-axis oriented homogeneous films were grown without any detectable formation of secondary phases. The films were found to be transparent in the visible range. The magnetic measurements clearly revealed an enhancement of room temperature ferromagnetism by p-type doping.
Kim, Hyo-Jin;Kim, Hyoun-Soo;Kim, Do-Jin;Ihm, Young-Eon;Choo, Woong-Kil;Hwang, Chan-Yong
Journal of Magnetics
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제13권3호
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pp.88-91
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2008
This study examined the effect of Sn co-doping on the transport and magnetic properties of Cr-doped $In_2O_3$ thin films grown on (100) silicon substrates by pulsed laser deposition. The experimental results showed that Sn co-doping enhances the magnetization and appearance of the anomalous Hall effect, and increases the carrier (electron) concentration. These results suggest that the conduction carrier plays an important role in enhancing the ferromagnetism of a laser-deposited Cr-doped $In_2O_3$ film, which may have applications in transparent oxide semiconductor spin electronics devices.
Kim, Min-Su;Noh, Keun-Tae;Yim, Kwang-Gug;Kim, So-A-Ram;Nam, Gi-Woong;Lee, Dong-Yul;Kim, Jin-Soo;Kim, Jong-Su;Leem, Jae-Young
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제32권9호
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pp.3453-3458
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2011
The $Mg_xZn_{1-x}O$ thin films with the various content ratio ranging from 0 to 0.4 were prepared by sol-gel spincoating method. To investigate the effects of content ratio on the structural and optical properties of the $Mg_xZn_{1-x}O$ thin films, scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), and photoluminescence (PL) were carried out. With increase in the content ratio, the grain size of the $Mg_xZn_{1-x}O$ thin films was increased, however, at the content ratio above 0.2, MgO particles with cubic structure were formed on the surface of the $Mg_xZn_{1-x}O$ thin films, indicating that the Mg content exceeded its solubility limit in the thin films. The residual stress of the $Mg_xZn_{1-x}O$ thin films is increased with increase in the Mg mole fraction. In the PL investigations, the bandgap and the activation energy of the $Mg_xZn_{1-x}O$ thin films was increased with the Mg mole fraction.
ZnO nanorods were grown on Au-coated Si substrates by vapor phase transport (VPT) at the growth temperature of $600^{\circ}C$ using a mixture of zinc oxide and graphite powders as source material. Au thin films with the thickness of 5 nm were deposited by ion sputtering. Temperature-dependent photoluminescence (PL) was carried out to investigate the optical properties of the ZnO nanorods. Five peaks at 3.363, 3.327, 3.296, 3.228, and 3.143 eV, corresponding to the free exciton (FX), neutral donor bound exciton ($D^{\circ}X$), first order longitudinal optical phonon replica of free exciton (FX-1LO), FX-2LO, and FX-3LO emissions, were obtained at low-temperature (10 K). The intensity of these peaks decreased and their position was red shifted with the increase in the temperature. The FX emission peak energy of the ZnO nanorods exhibited an anomalous behavior (red-blue-red shift) with the increase in temperature. This is also known as an "S-shaped" emission shift. The thermal activation energy for the exciton with increasing temperature in the ZnO nanorods is found to be about 26.6 meV; the values of Varshni's empirical equation fitting parameters are = $5{\times}10^{-4}eV/K$, ${\beta}=350K$, and $E_g(0)=3.364eV$.
나노 통신 시스템 기술은 통신기술과 나노기술의 융합 분야로서 밀리미터 수준의 통신 모듈 크기에 머물고 있는 현 기술수준을 뛰어넘어 수백 나노미터에서 수십 마이크로미터 이하 단위의 극소형 무선통신 시스템 구현을 가능케 하는 미래 핵심 기술 분야이다. 특히, 최근 제안된 탄소나노튜브의 전기적/기계적 속성을 활용한 신규 극소형 나노 무선 통신시스템 기술은 기존 송수신 구조를 단순히 소형화하는 것이 아니라 구조 자체를 바꾸는 새로운 접근 방식을 제시하고 있다. 따라서, 본 논문에서는 탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT)를 활용한 극소형 나노 무선 송수신기 실현 관점에서의 연구현황을 살펴보고 나노 기술과 통신 기술의 융합을 위한 주요 핵심 연구이슈를 제시한다.
Weixin Dong;Gang Lu;Yangling Jiang;Fan Zhou;Xia Liu;Chunxia Lu
Advances in nano research
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제15권3호
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pp.225-237
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2023
Combination of novel technologies with traditional physiotherapy in rehabilitation in injured athletes have shown to provide improved time of recovery. In specific, nanodrugs delivery systems are widely utilized as a counterpart to the physiotherapy in injuries in sports. In the present study, we focus on the common injuries in dance-sports, their recovery and the effect combination of nano-particle drug delivery with the physiotherapy practices. In this regard, a comprehensive review on the common injuries in dance sport is provided. Moreover, the researches on the effectiveness of the nano-particle drug delivery in therapy of such injuries and in similar cases are provided. The possibility of using combination of nano-particle drug delivery and physiotherapy is discussed in detail. Finally, using artificial intelligence methods, predictions on the recovery time and after-treatment side-effects is investigated. Artificial Neural Network (ANN) predictions suggested that using nano-particle drug delivery systems along with physiotherapy practices could provide shortened treatment time to recovery in comparison to conventional drugs. Moreover, the post-recover effects are less than the conventional methods.
We study a device structure which can be used to generate pure valley current and valley polarized current using quantum adiabatic pumping. The design of the structure allows the flexibility of changing the structure from one for pure valley current generation to one for valley polarized current generation by changing the applied electric potentials through changing the symmetry of the structure. The device is useful for the development of valleytronic devices.
Carbon nanotubes (CNTs) are widely used in polymer composites as filler materials to enhance various characteristics of the composites because of their remarkable mechanical, electrical, and thermal properties. In this study, we investigate the effects of MWCNTs on the electrical and wear characteristics of high-impact polystyrene (HIPS) composites, and compare the results with the effects of carbon black (CB). The HIPS composites are classified as Bare-HIPS, MWCNT-HIPS composites containing 2, 3, 4, and 5 wt% MWCNTs, and CB-HIPS containing 17 wt% CB. Electrical characteristics are evaluated by measuring the surface resistance using a 4-point probe. Wear characteristics are evaluated using the reciprocating wear test, and a chrome steel ball with a curvature of 6.3 mm is used as the counterpart. The results show that the addition of MWCNTs or CB can improve the electrical and wear characteristics of HIPS composites. In the case of MWCNT-HIPS composites, surface resistance, friction coefficient, and specific wear rate decrease as the concentrations of MWCNTs increase. Moreover, the addition of MWCNTs is more effective in improving the electrical and wear characteristics of HIPS composites compared to the addition of CB. To fabricate the HIPS composite with appropriate electrical and wear characteristics, more than 4 wt% MWCNTs is added to HIPS.
유리기판 위에 약 500 nm 의 두께로 성장된 ZnO층의 구조적, 광학적, 전기적 성질에 미치는 갈륨도핑의 영향에 대하여 연구 하였다. 다결정 ZnO 와 GZO 층은 상온에서 radio frequency magnetron sputtering 법을 사용하여 성장되었다. 투과전자현미경 (TEM)과 x-ray 회절분석 (XRD)에 의하면, 갈륨이 도핑된 ZnO 박막의 결정성은 ZnO에 비하여 향상되었고 (002)방향을 따라 우선성장 되었음이 발견되었다. GZO 박막의 투과도는 가시광 영역에서 ZnO 박막에 비해 약 10% 정도 향상된 것으로 나타났다. PL 분석에 따르면, NBE emission 세기와 DL emission 세기의 비는 GZO 와 ZnO의 경우 각각 2.65:1 과 1.27:1로 나타났다. GZO와 ZnO의 비저항은 각각 1.27과 1.61 $\Omega{\cdot}cm$로서 GZO의 전기전도도가 높았다. GZO 와 ZnO의 캐리어농도는 각각 $10^{18}$ and $10^{20}cm^2$/Vs으로 측정되었다. 본 실험결과 따르면, Ga 도핑으로 인해 ZnO 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성이 향상되었음을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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