• 한국결정성장학회지
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• 제8권3호
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• pp.377-382
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• 1998

기존보다 낮은 온도에서 buffer layer를 도입하지 않고 직접 사파이어{1120} 기판위에 GaN 박막을 OMVPE방식으로 증착시킨 결과 양호한 계면상태를 가지는 양질의 GaN epilayer를 얻을 수 있었다. GaN epilayer의 주된 성장 방향은 <0002>로 밝혀졌고, 적어도 4개 종류 이상의 epilayer들이 서로 경쟁적으로 성장하는 것으로 판단되어진다. Buffer layer의 부재에도 불구하고 계면의 adhesion이 우수하였고 다만 계면으로부터 2~3nm이내의 lattice들에서 기판과의 lattice mismatch에 의한 distortion이 발견되어졌다. 따라서 일반적으로 GaN 박막 증착시에 가장 많이 사용되는 사파이어 basal plane 외에 {1120} plane 위에도 양질의 GaN epilayer가 buffer layer 없이 증착된다는 사실을 TEM 관찰을 통하여 알 수 있었다.

• Applied Microscopy
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• 제30권4호
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• pp.337-345
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• 2000

사파이어 기판을 이용한 GaN 박막성장에서 완충층의 사용과 기판의 질화처리는 GaN 박막 내의 격자결함을 줄이는 가장 보편적인 방법이다. GaN박막의 초기 핵생성과 성장 거동을 향상시키기 위한 새로운 방법으로 사파이어 표면을 질소 활성화 이온빔으로 처리하는 방법이 시도되었다. 활성화 이온빔 처리의 결과 약 10nm두께의 비정질 $AlO_xN_y$ 층이 형성되었으며 GaN의 성장온도에서 부분적으로 결정화되어 계면 부위에 고립된 비정질 영역으로 존재하였다. 계면에 존재하는 비정질 층은 기판과 박막사이에서 발생하는 열응력을 효과적으로 감소시키는 역할이 가능하며 이를 확인하기 위하여 활성화 이온빔 처리에 의한 GaN박막 내의 격자변형량 차이를 비교하였다. GaN박막에서 얻어진 $[\bar{2}201]$ 정대축고차 Laue도형을 전산모사 도형과 비교하여 격자변형량을 측정하였다. 본 연구의 결과 활성화 이온빔 처리를 하지 않은 기판 위에 성장시킨 GaN박막의 격자변형량은 처리한 경우에 비해 6배 이상 높은 값을 가졌으며 따라서 활성화 이온빔 처리에 의해 GaN박막의 열응력은 크게 감소함을 확인하였다.

• 충청수학회지
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• 제25권3호
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• pp.491-499
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• 2012

The hyperbolic metric is invariant under the action of M$\ddot{o}$bius maps and unbounded. For 0 < $r$ < 1, there is an r-lattice in the Bergman metric. Using this r-lattice, we get the measure ${\mu}_r$ and the Toeplitz operator $T^{\alpha}_{\mu}_r$ and we prove that $T^{\alpha}_{\mu}_r$ is bounded and $T^{\alpha}_{\mu}_r$ is compact under some condition.

• 대한수학회지
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• 제42권4호
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• pp.635-653
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• 2005

We study the distribution of a dense orbit of a lattice A acting by the right multiplication on the space $\Gamma/G$ where G is a connected simple Lie group and $\Gamma$ its lattice. We show that for $G=SL_n(\mathbb{R})$, every dense orbit is equidistributed with respect to the Euclidean norm.

• 대한화학회지
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• 제51권4호
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• pp.312-317
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• 2007

난수 모의실험을 수행하여 격자 위에 분자를 무작위하게 배열하는 경우의 수의 분포를 다른 분자간의 최근린 상호작용수 N12에 대한 정규분포로 근사하였다. 이 분포로부터 논랜덤 혼합 격자용액의 과잉깁스 에너지 GE에 대한 근사식을 유도하였다. 이를 이용하여 여러 이성분용액의 액체-증기 상평형 계산을 하였고 기존의 식들의 계산 결과와 비교하여 보았다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제24권2호
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• pp.105-111
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• 2024

격자 그래프의 최소 선형 배열(MinLA)은 선형 복잡도 O(n)의 근사 알고리즘이 적용되고 있으며, 33×33격자의 최적 MinLA는 31,680으로 알려져 있다. 본 논문은 격자의 정확한 해 MinLA를 복잡도 O(1)으로 구하는 분할배열 알고리즘을 제안하였다. 분할배열 알고리즘은 컨테이너에 박스를 넣는 방법으로 m행을 r₁,r₂,r₃로, n열을 c₁,c₂,c₃로 분할하여 7개 컨테이너를 얻고 규칙을 가지도록 분할한다. 분할된 박스들에 있는 정점들 위치 순서로 번호를 부여하여 MinLA를 구한다. m,n≥11에 대해 C₂,C₄,C₆ 박스 크기를 2씩 증가시키면서 MinLA가 증가할 때까지 반복 수행한다. 이 과정은 m,n≤100에 대해 최대 4회 반복 수행하는 특징이 있다. 제안된 알고리즘은 m=n과 m≠n인 모든 격자에 적용할 수 있다. 분할배열 알고리즘을 2≤n≤100 격자에 적용하였으며, 33×33과 100×100 격자에 대해 기존 알고리즘들보다 월등히 좋은 최적의 결과를 얻었다. 제안된 알고리즘은 간단하면서도 보다 정확한 해를 얻을 수 있어 m,n이 무한히 크더라도 쉽게 해를 얻을 수 있어 VLSI 회로 설계 분야에 응용이 될 수 있을 것이다.

• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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• 제10권1호
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• pp.414-430
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• 2016

Verifier-local revocation (VLR) seems to be the most flexible revocation approaches for any group signature scheme, because it just only requires the verifiers to possess some up-to-date revocation information, but not the signers. Langlois et al. (PKC 2014) proposed the first VLR group signature based on lattice assumptions in the random oracle model. Their scheme has at least Õ(n²) ⋅ log N bit group public key and Õ(n) ⋅ log N bit signature, respectively. Here, n is the security parameter and N is the maximum number of group members. In this paper, we present a simpler lattice-based VLR group signature, which is more efficient by a O(log N) factor in both the group public key and the signature size. The security of our VLR group signature can be reduced to the hardness of learning with errors (LWE) and small integer solution (SIS) in the random oracle model.

• 한국세라믹학회지
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• 제26권1호
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• pp.13-20
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• 1989

After sintering Si3N4 containing 20wt% of variable composition ratio of Y2O3 and Al2O3 at 1$600^{\circ}C$, the specimens were annealed at 125$0^{\circ}C$ and 135$0^{\circ}C$ for 5, 10, 15 hours in order to crystallize the remanining oxynitride glass phases. The main grain-boundary crystalline phases in the Si3N4-Y2O3-Al2O3 system were melilite and YAG. By annealing 15hrs. at 125$0^{\circ}C$, almost all of the glasses were crystallized. During the growth of melilite, lattice volyume of $\beta$-Si3N4 was increased as Al3+ and O2- ions in the oxynitride glass diffuse into $\beta$-Si3N4 lattice, but during the growth of YAG, lattice volume of $\beta$-Si3N4 was decreased by reverse diffusion of Al3+ and O2- ions. In case of crystallization of glass phase to melilite, thermal expansion of sample was decreased, but in case of crystallization to YAG, inverse phenomen on was observed.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제23권5호
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• pp.727-735
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• 2002

Proton coupled carbon-13 relaxation experiment was performed to investigate the effect of vicinal protons on spin-lattice relaxation of methylene carbon-13 in n-undecane. A BIRD type pulse sequence was employed as a way to check the validity of describing the 13CH2 moiety as an isolated AX2 spin system. The results show that the presence of vicinal protons exerts substantial influence on the relaxation of methylene carbon-13, indicating that it is not a very good approximation to treat a methylene moiety as an isolated AX2 spin system.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제13권6호
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• pp.665-669
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• 1992

We consider the problem of a random walker on a one-dimensional lattice (N sites) confronting a centrally-located deep trap (trapping probability, T=1) and N-1 adjacent sites at each of which there is a nonzero probability s(0 < s < 1) of the walker being trapped. Exact analytic expressions for < n > and the average number of steps required for trapping for arbitrary s are obtained for two types of finite boundary conditions (confining and reflecting) and for the infinite periodic chain. For the latter case of boundary condition, Montroll's exact result is recovered when s is set to zero.