• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1994년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.97-97
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• 1994

Wide gap 반도체 중 하나인 GaN 에너지갭이 실온에서 3.4eV 이고 직접천이형 에너지대 구조를 가지므로 청색 및 자외영역의 파장을 발광하는 발광다이오드와 바도체 레이저 다이오드의 제작에유용한 재료이다. GaN계 III족 질화물반도체가 다파장용 광원으로서 유망함을 보인 것은 1970년대 초방의기초적 연구이다. 이로부터 약 25년이 경고한 현재 청색발광다이오드가 실용화당계에 이르게 되었지만 아직까지 전류주입에 의한 레이저발진은 보고되고있지 않다. 이 논문에서는 ALGaN/GaN이중이종접합(DH) 구조의 광여기에 의한 유도방출과 광학적 이득을 측정하므로서 전류주입에의한 레이저발진의 가능성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 ALGaN/GaN DH구조의 표면에 수직으로 펄스발진 질소레이저(파장:337.1nm, 주기:10Hz, 폭: 8nsec) 빔의 공출력밀도를 변화시키어 조사하고 시료의단면 혹은 표면으로부터 방출되는 광 스펙트럼을 측정하였다. 입상광밀도가 증가함에 따라 자연방출에 의한 발광피크보다 낮은 에너지에서 발광강도가 큰 유도방출에 의한 피크가 370nm의 파장에서 현저하게 나타났으며 실온에서 유동방출에 필요한 입사공밀도의 임계치는 약 89㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 이는 GaN 단독층에 대한 유동방출의 임계치 700㎾/$\textrm{cm}^2$ 에 비하여 약 1/8정도 낮은 것이며, 이를 전류밀도로 환산하면 약 27㎄/$\textrm{cm}^2$ 정도로서 전류주입에 의하여서도 레이저발진을 실현할 수 있는 현실적인 값이다. 한편 광여기 방법으로 측정한 광학적 이득은 입사광의 밀도가 각각 100㎾/$\textrm{cm}^2$과 200㎾/$\textrm{cm}^2$일 때 34$cm^{-1}$ / 과 160 $cm^{-1}$ / 이었다. 이와 같은 결과는 GaN의밴드단 부근의 파장영역에서 AIGaN 흔정의 굴절율이 GaN의 굴절율보다 작으므로 DH구조의 채택의 의한 광의 몰입이 가능하여 임계치가 저하된 것으로 여겨진다. 또한 광학적 이득의 존재는 이 구조에 의한 극단파장 반도체 레이저다이오드의 실현 가능성을 나타내는 것이다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제10권2호
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• pp.65-71
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• 2011

Properties of each layer in DSSC were investigated to improve solar cell characterstics. Also in this study, low costsolar simulator system is fabricated and used. Efficiency of DSSC is better in the case of thinner semiconductive layer, because thick semiconductive layer is acted as resistor. Sc-doped ZnO thin films showed better electrical property by proper donor doping effect. Among the dyes, DSSC containing N719 showed higher efficiency, because N719 have smaller electron affinity and shallow band gap.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.205-208
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• 2018

본 연구에서는 상시불통형 p-AlGaN-게이트 질화갈륨(GaN) 이종접합 트랜지스터의 신뢰성 평가를 위한 가속열화 시험 조건을 수립하기 위해 게이트 전압 열화 시험을 진행하였다. 상시불통형 트랜지스터의 동작 조건을 고려하여 기존 상시도통형 쇼트키-게이트 소자평가에 사용되는 게이트 역전압 시험과 더불어 순전압 시험을 수행하여 열화특성을 분석하였다. 기존 상시도통형 소자와 달리 상시불통형 소자에서는 게이트 역전압 시험에 의한 열화는 관찰되지 않은 반면, 게이트 순전압 시험에서 심한 열화가 관찰되었다. 상시불통형 질화갈륨 전력 반도체 소자의 신뢰성 평가에 게이트 순전압 열화 시험이 포함되어야 함을 제안한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제4권5호
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• pp.1135-1142
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• 2000

본 연구에서는 <1.55um 대역의 편광비의존성을 가지는 반도체 광증폭기를 제작하기 위하여 InGaAsP/InP 이중이종접합 웨이퍼를 이용하여 정방매립형 반도체 광증폭기(SOA)를 제작하였다. 제작된 반도체 광증폭기의 특성을 측정한 결과 3㏈대역폭은 35nm이었으며, 3dB포화출력은 4dBm이었다. ISOmA의 CW구동에서 최대이득은 19.4dB이었다. 반도체 광증폭기의 ASE power를 ASE측정시스템을 이용하여 TE, TM모드에 대하여 측정한 결과 최대이득을 나타내는 영역부근에서 TE 및 TM모드의 분포가 거의 일치하였다. 따라서 본 연구에서 제작된 반도체 광증폭기는 비편광의존성 SOA임을 실험적으로 확인하였다.

• ETRI Journal
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• 제10권3호
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• pp.242-246
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• 1988

반도체 소자에서 $N^+$ 접합에 이용되는 As 이온주입된 시편을 RBS(Rutherford backscattering spectrometry)법으로 분석하였다. Random 스펙트럼으로부터 $R_p$, $\DeltaR_p$, As의 최대농도를 구하고 channeled 스펙트럼으로부터 이온 주입에 의한 결정 손상층의 두께와 열처리 후 interstitial site에서 substitutional site로 치환된 As의 비를 구하였다.

• 전자통신동향분석
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• 제24권6호
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• pp.94-98
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• 2009

최근 모바일 멀티미디어 기기들의 사용이 증가하면서 고성능 멀티미디어 프로세서에 대한 필요성이 높아지고 있는 추세이다. DSP 기반의 시스템은 범용성에 기인하여 다양한 응용 분야에서 사용될 수 있으나 주문형반도체 보다 높은 가격과 전력소모 그리고 낮은 성능을 가진다. ASIP는 주문형반도체의 저비용, 저전력, 고성능과 범용 프로세서의 유연성이 결합된 새로운 형태의 프로세서로서, 단일 칩 상에 H.264, VC-1, AVS, MPEG 등과 같은 다양한 멀티미디어 비디오 표준 및 OFDM과 같은 통신 시스템을 지원하고 또한 고성능의 처리율과 계산량을 요구하는 차세대 비디오 표준의 구현을 위한 효과적인 해결책으로 주목되고 있다. 본 기술 문서에서는 ASIP의 특징과 애플리케이션의 가속 방법, ASIP을 위한 컴파일러 설계 및 응용에 관하여 기술한다.

• 기계와재료
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• 제23권2호
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• pp.36-47
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• 2011

반도체적 성질을 가지는 유기 전자 재료를 활성층으로 활용한 유기 박막 트랜지스터(OTFT)는 제작 공정이 간단하고 비용이 저렴하다는 장점과 더불어 유기 반도체 자체가 가지는 가공성, 유연성 등으로 인해 유연한(flexible) 전자기기를 구현 할 수 있다는 가능성으로 미래형 전자기기의 핵심 구동 소자로서 많은 관심을 받고 있다. 특히 한 소자에서 p-type과 n-type이 동시에 구현되는 양극성(abipolar) OTFT는 구동 회로의 설계 및 제작 공정을 단순화 시키고 다양한 가능을 부가 시킬 수 있어 좀 더 경량화, 소형화된 미래형 전자 기기를 구현 할 수 있도록 해준다. 본 논문에서는 이러한 ambipolar OTFT의 구조 및 구동 원리를 알아보고 소자에 사용되는 유기 반도체 소재와 소자 구현 기술에 대하여 살펴보고자 한다.

• 대한화학회지
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• 제56권1호
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• pp.47-53
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• 2012

Borate 완충용액에서 Zn의 부동화 피막이 생성되는 과정과 부동화 피막의 전기적 특성을 조사하였다. 이 때 생성되는 산화피막은 Mott-Schottky 식이 적용되는 n-형 반도체 성질을 보였으며, ZnO와 $Zn(OH)_2$로 구성되어 두 종류의 주개(깊은 주개와 얕은 주개)가 존재함을 알 수 있었다.

• 대한화학회지
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• 제56권5호
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• pp.542-547
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• 2012

Borate 완충용액에서 Fe의 산화 반응 경로와 생성된 산화피막의 전기적 특성을 조사하였다. Fe는 pH에 의존하는 두 가지의 반응 경로에 의하여 산화되었으며 산화된 피막은 Mott-Schottky 식이 적용되는 n-형 반도체 성질을 가지고 있음을 알 수 있었다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권2호
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• pp.55-59
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• 2020

Copper Oxide (CuO) films were deposited on the n-type silicon wafer by rf magnetron sputtering for heterojunction solar cells. And then the samples were treated as a function of the annealing temperature (300-600℃) in a vacuum. Their electrical, optical and structural properties of the fabricated heterojunction solar cells were then investigated and the power conversion efficiencies (PCE) of the fabricated p-type copper oxide/n-type Si heterojunction cells were measured using solar simulator. After being treated at temperature of 500℃, the solar cells with CuO film have PCE of 0.43%, Current density of 5.37mA/㎠, Fill Factor of 39.82%.