Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.413-413
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2007
In recent years, flexible display devices such as liquid crystal display (LCD), organic light emitting diode (OLED), etc. have attracted considerable interest in a wide variety of applications. Polymer substrate is absolutely necessary to realize this kind of flexible display devices. Using the polymer as a substrate, there are lots of advantages including not only mechanical flexibility such as rolling and bending characteristics but also light weights, low cost and so on. In detail, thickness and weights is only one forth and one second of glass substrate, respectively. However, it needs low temperature below $150^{\circ}C$ in the fabrication process comparing to conventional deposition process. The polymer substrate is not thermally stable as much as the glass substrate so that some deformation can be occurred according to variation of temperature. In particular, performance of devices can be easily deteriorated by shrinkage of substrate when heating it. In this paper, pre-annealing and deposition of buffer layer was introduced and studied to solve previously mentioned problems of the shrinkage and followed shear stress.
The microwave dielectric properties of low temperature sintered BaO-Nd$_2$O$_3$-TiO$_2$ (here after BNT) with a Pb-based glass-ceramics were studied in order to investigate their applicability to Low Temperature Co-fired Ceramics (LTCC) for fabrication of multilayered Radio Frequency (RF) passive components module. The BNT ceramics, with 5∼30 wt% of PbO-TiO$_2$-A1$_2$O$_3$-SiO$_2$ based glass-ceramics, were sintered at 105$0^{\circ}C$, which is lower than 130$0^{\circ}C$, sintering temperature of pure BNT ceramics. With increasing the amount of the glass-ceramics, sintering rate of the ceramics become activated due to the softening of glass, resulting in low-temperature densification. BaO-Nd$_2$O$_3$-TiO$_2$ microwave ceramics with 20 wt% glass-ceramics exhibit sintered relative densities over 95% and dielectric constant of 72, quality factor of 1500, and temperature coefficient of frequency of +22 ppm/$^{\circ}C$. This enhanced dielectric properties are attributed to mainly the presence of crystalline phases PbTiO$_3$ within the Pb-based glass.
$(Pb_xLa_{1-x}) (Zr_yTi_{1-y})O_3$ (PLZT) thin films with electrooptic effect are promising for the optical application such as display or light shutter. However, it is difficult to use inexpensive and transparent glass substrates because the conventional process for preparation of PLZT requires temperatures above $600^{\circ}C$. In order to deposit a perovskite PLZT thin films at low processing temperatures through alkoxide route, we have offered several seeding processes which reduce the activation energy for crystallization. In this study, we optimized the stacking structure of multilayered PLZT for obtaining single phase perovskite at lower temperatures. As a result, ferroelectric PLZT thin films with different compositions were successfully prepared at a temperature as low at $500^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Society For Composite Materials Conference
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2003.10a
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pp.167-170
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2003
In this paper, the electromechanical displacements of curved actuators using laminated composites are calculated by finite element method to design the optimal configuration of curved actuators. To predict the pre-stress in the device due to the mismatch in coefficients of thermal expansion, the carbon-epoxy and glass- epoxy as well as PZT ceramic is also numerically modeled by using hexahedral solid elements. Because the modeling of these thin layers causes the numbers of degree of freedom to increase, large-scale structural analyses are performed in a cluster system in this study. The curved shape and pre-stress in the actuator are obtained by the cured curvature analysis. The displacement under the piezoelectric force by an applied voltage is also calculated to compare the performance of curved actuator. The thickness of composite is chosen as design factor.
Park, J.S.;Kim, C.O.;Lee, Y.P.;Kudryavtsev, Y.V.;Dubowik, J.;Szymanski, B.;Rhee, J.Y.
Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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v.5
no.2
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pp.38-42
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2001
We investigated physical properties of ion-beam mixed Fe/si multilayerd films(MLF) prepared by rf sputtering onto glass substrates at room temperature. Such an ion-beam treatment has led to noticeable changes in the structural and physical properties of the MLF: the formation of a new phase which is characterized by a crystalline silicide with a low coercivity and Tc = 550 K. In contrast to the as-prepared state, the ion-beam mixed MLF contains two magnetic phases. One of them is a very soft (Hc < 2 Oe), but microscopically homogeneous one with M$\sub$eff/=6.7 kG.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.16
no.6
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pp.303-307
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2015
Multilayered films of ITO (In2O3:SnO2 = 9:1)/SiO2 were deposited on soda-lime glass by RF/DC magnetron sputtering at 500℃ to improve the energy conversion efficiency of dye-sensitized solar cells (DSSCs). The light absorption of the dye was improved by decrease in light reflectance from the surface of the DSSCs by using an ITO film. In order to estimate the optical characteristics and compare them with experimental results, a simulation program named EMP (essential macleod program) was used. EMP results revealed that the multilayered thin films showed high transmittance (approximate average transmittance of 79%) by adjusting the SiO2 layer thickness. XRD results revealed that the ITO and TiO2 films exhibited a crystalline phase with (400) and (101) preferred orientations at 2 θ = 26.24° and 35.18°, respectively. The photocurrent-voltage (I-V) characteristics of the DSSCs were measured under AM 1.5 and 100 mW/cm2 (1 sun) by using a solar simulator. The DSSC fabricated on the ITO film with a 0.1-nm-thick SiO2 film showed a Voc of 0.697 V, Jsc of 10.596 mA/cm2 , FF of 66.423, and calculated power conversion efficiency (ηAM1.5) of 5.259%, which was the maximum value observed in this study.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.276-276
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2008
Transparent and conducting indium tin oxide (ITO) and ITO/Nickel/ITO(INI) multilayered films were prepared on glass substrates by a magnetron sputtering without intentional substrate heating. The RF(13.56MHz) and DC power were applied to ITO and Nickel target, respectively. The thickness of ITO, Ni and ITO films were kept constantly at 50, 5 and 45 nm. In order to consider the effect of post deposition vacuum annealing in vacuum on the physical and optoeletrical properties of INI films, optical transmittance, electrical resistivity, crystallinity of the films were analyzed. From the observed result, it may conclude that the optoelectrical properties of the INI films were dependent on the post deposition annealing. For the INI films annealed at $300^{\circ}C$, the films have a polycrystalline structure with (110), (200), (210), (211) and (300). The resistivity of the films were $4.0\times10^{-4}{\Omega}cm$ at room temperature. As the annealing($300^{\circ}C$), resistivity decreased to $2.8\times10^{-4}{\Omega}cm$. And also the optical transmittance decreased from 79 to 70 % at 550nm.
(1) The metastable crystalline(MX) phases formed by ion mixing are classified into 5 types, i.e. the super-saturated solid solutions and the enlarged HCP-I phases reported earlier, and the newly observed FCC-I phases in hcp-based alloys, The FCC-ll and HCP-ll phases in bcc-based alloys. The growth kinetics of the MX phases is discussed. (2) The interfacial free energy in the multilayered films was found to play an important role in ion beam mixing(IM) induced amorphization. By adding sufficient interfaces, amorphous alloys were obtained even in the systems with rather positive heat of formation. (3) Gibbs free energy diagrams of some representative systems were constructed, by calculating the free energy curves of all the competing phases. Steady-state thermal annealing was conducted and the results confirmed the relevance of the constructed diagrams, which were inturn employed to interpret the MX phase formation as well as the glass forming ability upon IM in the binary metal systems.
A multilayer-structure material containing ductile and brittle layer simultaneously was examined and compared with a single layer material using fracture mechanical properties. We found that impact strength of multilayer structure material was considerably higher than single layer's and toughness was enhanced by about two times or higher in similar glass transition temperature($T_g$) region and the same dimension. The superposition principle of impact pulse was used for interpretation of kinetic stress wave as a high-velocity crack proceeds in the plastic. It was understood that the optimum condition of ductile/brittle thickness ratio could be designed in the final toughness enhancement of multilayer.
Kim, K.W.;Y.V.Kudryavtsev;J.Y.Rhee;J.Dubowik;Lee, Y.P.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.168-168
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1999
Recently, Fe/Si multilayered films (MLF) have been a focus of interest due to the strong antiferromagnetic (AF) coupling observed in such kind of MLF originates from the same nature as in the metal/metal MLF. In particular, a question of whether the spacer layer in the Fe/Si MLF is metallic or semiconducting is of interest. In spite of various experimental techniques envolved in the study, the chemical composition and the properties of the interfacial regions in the MLF exhibiting the AF coupling is still questionable. The nature of the AF coupling and the interfacial properties of Fe/Si MLF are investigated in this study. A series of Fe/Si MLF with a fixed nominal thickness of Fe(3nm) and a variable thickness of Sk(1.0-2.2nm) were deposited by RF-sputtering onto glass substrates at room temperature. The atomic structures and the actual sublayer thicknesses of the Fe/Si MLF are investigated by using x-ray diffraction. The magnetic-field dependence of the equatorial Kerr effect clearly shows an appearance of the AF coupling between Fe sublayers at tsi = 1.5 - 1.8 nm. the drastic discrepancies between the experimental magnetooptical (MO) and optical properties, and based on the assumption of sharp interfaces between Fe and Si sublayers leads to a conclusion that pure si is absent in the AF-coupled Fe/Si MLF. Introducing in the model nonmagnetic semiconducting FeSi alloy layers between Fe and Si sublayers or as spacer between pure Fe sublayers only slightly improves the agreement between model and experiment. A reasonable agreement between experimental and simulated MO spectra was reached with using the fitted optical properties for the spacer with a typical metallic type of behavior. The results of the magnetic properties measured by vibrating sample magnetometer and magnetic circular dichroism are also analyzed in connection with the MO and optical properties.
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