• 한국기계가공학회지
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• 제3권2호
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• pp.53-59
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• 2004

In this paper, we propose a new multi-purpose Scanning Force Microscope (SFM) system. The system can be used for nano/micro-scratching, in-process profile measurement, and observation of potential surface defects which occur during the scratching in air or liquid. Experimental results of nano/micro-scratching show that the smallest scratching depth can be controlled to be 10nm, which corresponds to the stability of the SFM system. Profile measurements of nano/micro-scratching surfaces have also been performed by the method of on-machine measurement and in-process measurement. Two measurement results were in good agreement with each other. The maximum difference was approximately 10 nm, which was mainly caused by the sampling repeatability error that influences the measurement accuracy Also, micro-defects on the micro-scratching surface were successfully detected by the SFM system. It was confirmed that the number of micro-defects increases when the surface is subjected to a cyclic bending load. The maximum depth was less than 100nm.

• Journal of Chest Surgery
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• 제29권4호
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• pp.461-465
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• 1996

본 교실에서는 최근 극히 드문 폐양성 종양인 투명세포(당)종양 1예를 경험하였다. 현재까지 구미에서 총 40례정도 보고되 었을 뿐이 며 국내 에서는 1례가 서울대 학교병 원에서 보고되 었을 뿐이다. 증례는 43세 남자로 검진시 단순흉부촬영 에서 이상 음영 소견이 지적되어 폐양성종양을 의심하여 우하엽 폐절제술을 시행하였다. 조직학적으로 종양세포들은 투명한 세포질을 가지며, 세포질간 경계가 뚜렷하였고 세포질 내에 당이 축적되어 있어 양성 투명새포종양으로진단하였으며,전자현미경 검사에서 종양세포들은 등근핵을 가지고 있으며 풍부한 세포질 내에는 자유형의 당원이 많이 관찰되었으나 기저판, 멜라닌소체, 층판소체 등은 관찰되지 않았다.

• 한국진공학회지
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• 제7권3호
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• pp.169-175
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• 1998

HBr/$Cl_2/He-O_2$ 반응 기체를 이용한 반응성 이온 식각후, 폴리실리콘 표면에 형성된 잔류막을 x-선 광전자 분광법(x-ray photoelectron spectroscopy, XPS)과 전자 현미경 (scanning electron mocroscopy, SEM)을 이용하여 관찰하였다. 그 결과 잔류물은 패턴된 폴 리실리콘의 맨 윗부분에 자존하고 있었으며, 화학 결합 상태는 실리콘 산화물임이 밝혀졌다. 잔류물인 실리콘 산화물의 형성 메카니즘을 규명하기 위하여 원래의 혼합 기체 성분중 한가 지씩의 반응 기체를 제외시켜 가면서 실험하였다. 비록 플라즈마 성질이 다를지라도, 잔류물 은 산소의 존재하에서 잘 형성됨을 알 수 있었는데, 이는 휘발성이 낮은 실리콘-할로겐 화 합물이 산소에 의해 산화됨으로써 형성되는 것으로 이해하게 되었다. 또한 반응성 이온 식 각후 형성된 잔류층은 소자의 전기적 특성과 후처리 공정에 영향을 미치는 것으로 알려져 있어서, 이를 제거하기 위해 습식과 건식 후처리 공정을 도입하여 비교하였다. 그 결과 건식 공정의 경우 기체에 의해 새로운 잔류물이 형성됨을 XPS를 통하여 관찰하였다. 따라서 잔 류물을 제거하고 깨끗한 표면을 얻기 위해서는 습식 공정이 더 적합함을 알았다.