• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.228-228
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• 2008

CdS is II-VI semiconductor with a wide band gap of approximately 2.42 eV. CdS is the most popularly employed heterojunction partner to p-CdTe due to its similar chemical properties. In this work, to improvement of the surface properties of the CdS films, PET substrate is treated by high density $O_2$ plasma. CdS films are prepared by chemical bath deposition(CBD) method. In case of the PET substrate with plasma treatment for 2min, the crystalline orientation of CdS films exhibits a strong hexagonal(002). Grain size was increased from 300nm without $O_2$ plasma treatment to 380nm with an $O_2$ plasma treatment.

• Journal of the Korean institute of surface engineering
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• v.29 no.5
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• pp.325-329
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• 1996

We report on p-type arsenic doping of metalorganic vapor phase epitaxially (MOVPE) grown HgCdTe on (100) GaAs. HgCdTe was grown at $370^{\circ}C$ in a horizontal reactor with using dimethy-cadmium, diisoprophyltelluride, and elemental Hg. We used tris-dimethylaminoarsenic (DMAAs) as the metalorganic for p-doping. 4micron thick CdTe and subsequently 10micron thick HgCdTe were grown on (100) GaAs substrate. Interdiffused multilayer process in which thin CdTe and HgTe layers are grown alternately and interdiffused to obtain homogeneous HgCdTe alloys was used. Arsenic was doped during CdTe growth cycle. After growth HgCdTe was annealed at $415^{\circ}C$ for 15 min and then annealed again at $220^{\circ}C$ for 3 hr, both with Hg-saturate condition. We could obtain p-doping from 2.5$\times$$10^{16}$ to 6.6$\times$$10^{17}$$cm^{-3}$, depending on the DMAAs partial pressure. With the dual Hg-annealing, activation of arsenic was aboutt 90%, which was confirmed by SIMS measurement. With only low temperature annealing at $220^{\circ}C$ for 3hr, activation efficiency was about 50%.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.461.2-461.2
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• 2014

양자점은 밴드갭을 조절할 수 있거나 multiple exciton generation등 과 같은여러가지 장점을 갖고 있어 양자점 감응형 태양전지에 대한 많은 연구가 진행되어왔다. 하지만 아직까지 이론적인 에너지 전환 효율에 비하여 낮은 효율을 보여주고 있다. 이러한 낮은 효율은 양자점과 전해질 계면에서의 defect나 surface state로 인한 전자-정공의 재결합으로 설명할 수 있다. 본 연구에서는 CdSe 양자점 합성법 중의 하나인 Chemical Bath Deposition의 전구체 농도조절을 통하여 고품질의 CdSe양자점을 합성하였다. 특정 농도에서 CdSe 양자점 표면에 생성되는 SeO2층을 억제하여 CdSe양자점/전해질 계면에서의 전하 재결합 저항을 높였고 가장 높은 에너지 전환 효율을 보여주었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.380-380
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• 2011

ZnO 나노라드 위에 양자점을 증착한 후 그 위에 $TiO_2$를 ALD방법으로 증착하여 그 passivation 효과가 solar cell 효율에 미친 영향에 대한 실험을 진행하였다. Hydrothermal 방법으로 수직한 1차원 형태의 ZnO 나노라드를 성장시킨다. 여기에 SILAR 방법을 거쳐서 CdS 양자점을 증착시키고, 후에 CBD를 이용하여 CdSe 양자점을 증착시킨다. 여기에 마지막으로 amorphous $TiO_2$로 표면을 덮는 과정을 거치는데, $TiO_2$가 ZnO 라드 위에 균일하고 정밀하게 증착되도록 하기 위해서 Atomic Layer Deposition을 이용하였다. 다양한 분석 방법을 통해 $TiO_2$/CdSe/CdS/ZnO 구조를 조사하였으며, ZnO 나노라드 위에 $TiO_2$가 정교하게 올라간 것을 확인한 후에 solar cell에 적용하여 그 효율을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.218-218
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• 2010

유기물과 무기물이 결합한 유기물/무기물 나노복합체는 차세대 전자 소자 제작에 있어 저전력 및 높은 생산성으로 인해 유용한 소재로 각광받고 있다. 유기물/무기물 나노복합체에 사용되는 물질 중에서 코어-쉘 구조의 나노 입자를 사용한 나노복합체는 나노 입자의 쉘에 의한 메모리 특성의 변화로 인해 차세대 메모리 소자에 응용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 코어-쉘 나노 입자가 분산되어 삽입된 고분자 박막 구조를 사용한 비휘발성 메모리의 쉘에 의한 메모리 특성 변화에 대한 연구는 비교적 미미하다. 본 연구에서는 CdTe-CdSe 나노 입자가 Poly(9-vinylcarbazol) (PVK) 박막에 분산된 구조를 기억층으로 사용하는 비휘발성 메모리 소자의 제작과 CdSe 쉘 층에 의한 메모리 특성의 변화에 대한 관찰을 수행하였다. 코어-쉘 나노입자에서 쉘의 역할을 알기 위하여 CdTe-CdSe 나노 입자와 CdTe 나노 입자를 각각 PVK에 톨루엔을 사용하여 녹여 나노 입자가 분산된 용액들을 제작하였다. 두 용액을 p-Si 기판 위에 스핀 코팅으로 도포한 후에 열을 가해 나노복합체를 형성하고 Al을 게이트 전극으로 증착한다. 제작된 두 가지 Al/CdTe-CdSe나노 입자＋PVK/p-Si 소자와 Al/CdTe나노 입자＋PVK/p-Si 소자는 정전용량-전압 (C-V) 측정 결과 히스테리시스 특성이 관찰되었다. CdTe-CdSe 나노 입자를 포함한 소자의 C-V 곡선의 flatband voltage shift는 0.5 V이고, CdTe 나노입자를 포함한 소자의 C-V 곡선의 flatband voltage shift는 1.1 V이다. CdTe-CdSe 나노 입자가 포함된 소자와 CdTe 나노 입자가 포함된 소자의 flatband voltage shift의 차이가 나타나는 원인에 대하여 에너지 밴드 대역도를 사용하여 설명하였다. 본 연구결과는 코어-쉘 나노 입자를 사용하는 비휘발성 메모리 소자에서 쉘에 의한 메모리 특성 변화에 대한 정보를 제공할 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.272-272
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• 2011

무기물 나노입자를 포함하는 유기물/무기물 나노복합체는 차세대 전자 소자에 쉽게 적용이 가능하고 응용 잠재적 능력이 뛰어나기 때문에 차세대 비휘발성 메모리 소자에 응용하려는 연구가 세계적으로 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 poly (methylmethacrylate) (PMMA) 절연성 고분자 박막 안에 CdTe와 CdTe-CdSe 코어-쉘 나노입자를 각각 분산시켜 이를 전하의 저장 매체로 사용하는 메모리 소자를 제작하였다. 제작된 각각의 소자에 대한 메모리 메카니즘과 PMMA 박막 안에 분포되어 있는 CdTe-CdSe 코어-쉘 나노입자에서 CdSe 쉘의 전기적 영향에 대하여 연구하였다. 소자에 필요한 용액을 제작하기 위해 서로 다른 용매에 녹아 있는 CdTe-CdSe 나노입자와 PMMA를 혼합하였다. Al 금속을 하부 전극으로 증착한 p-Si (100) 기판 위에 나노입자와 PMMA가 혼합된 용액을 스핀 코팅 방법을 사용하여 박막을 형성한 후, 남아있는 용매를 제거하기 위해 열처리를 하였다. 용매가 모두 제거된 박막위에 금속 마스크를 사용하여 상부 Al 전극을 열증착 방법으로 형성하였다. 나노입자가 포함된 고분자 박막의 메모리 특성을 비교하기 위하여 나노입자가 없는 PMMA층만으로 형성된 소자도 같은 방법으로 제작하였다. 세 가지 종류의 소자에 고주파 정전용량-전압 (C-V) 측정을 한 결과 나노입자가 분산된 PMMA 층으로 제작된 소자에서만 평탄 전압 이동이 관찰되었으며, 이것은 나노입자를 전하 포획 장소로 사용할 수 있다는 것을 확인하였다. 정전용량-시간 (C-t) 측정을 하여 나노입자가 포함된 PMMA 층으로 제작된 메모리 소자의 안정성을 관찰하였다. C-V와 C-t 측정 자료를 바탕으로 제작된 메모리 소자의 메모리 메카니즘과 CdTe-CdSe 코어-쉘 나노입자에서 CdSe 쉘의 역할을 설명하였다.

• YAKHAK HOEJI
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• v.54 no.3
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• pp.192-199
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• 2010

Colorectal cancer is one of the most common alimentary malignancies. In this study, the antitumor activity of activated human natural killer (NK) cells against human colorectal cancer was evaluated in vivo. Human NK cells are the key contributors of innate immune response and the effective functions of these cells are enhanced by cytokines. Human peripheral blood mononuclear cells (PBMC) were cultured with interleukin-2 (IL-2)-containing medium for 14 days and resulted in enriched NK cell population. The resulting populations of the cells comprised 7% $CD3^+CD4^+$ cells, 25% $CD3^+CD8^+$ cells, 13% $CD3^-CD8^+$ cells, 4% $CD3^+$CD16/$CD56^+$ cells, 39% $CD3^+$CD16/$CD56^-$ cells, and 52% $CD3^-$CD16/$CD56^+$ cells. Tumor necrosis factor alpha (TNF-$\alpha$), interferon gamma (IFN-$\gamma$), IL-2, IL-4, and IL-5 transcripts of the activated NK cells were confirmed by RT-PCR. In addition, activated NK cells at doses of 2.5, 5 and 10 million cells per mouse inhibited 10%, 34% and 47% of SW620-induced tumor growth in nude mouse xenograft assays, respectively. This study suggests that NK cell-based immunotherapy may be used as an adoptive immunotherapy for colorectal cancer patients.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2010.05a
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• pp.805-808
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• 2010

In this paper, CdS thin films, which were widey used window layer of the CdS/CdTe and the CdS/$CuInSe_2$ heterojunction solar cell, were grown by chemical bath deposition, and effects of temperature of reaction solution on the structural properties were investigated. Cadmium acetate and thiourea were used as cadmium and sulfur source, respectively. And ammonium acetate was used as the buffer solution. The reaction velocity was increased with increasing temerature of reaction solution. For temperature <= $85^{\circ}C$, as increasing temperature of solution, deposition rate of CdS films was increased by ion-by-ion reaction in the substrate surface, and the crystallinity of the films was improved. However, for temperature <= $55^{\circ}C$, deposition rate was decreased resulting from smaller Cd2+ ion, and the grain size was decreased.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.48 no.3
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• pp.249-253
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• 2004

CdS semiconductor quantum dot (QD) structures in aqueous solution are fabricated by using a gamma-ray irradiation technique and their optical absorption spectra are investigated. Cadmium sulfate solution, 2-mercaptoethanol solution, and reducing agent $e^{-}_{aq}$ are employed to produce CdS molecules, leading to CdS quantum dots. The measured linear absorption spectra before and after g-ray irradiation clearly show exciton peaks between 300 nm and 400 nm, which indicate the formation of CdS QD's. It is also observed that the exciton peaks are red-shifted with increasing the g-ray irradiation time from 5 min to 15 min. Therefore, it is concluded that the mean QD sizes can be systematically controlled with the dosage of the g-ray irradiation.

• IMMUNE NETWORK
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• v.9 no.2
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• pp.58-63
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• 2009

Background: T cell immunoglobulin and mucin domain containing 3 protein (Tim-3) expressed on terminally differentiated Th1 cells plays a suppressive role in Th1-mediated immune responses. Recently, it has been shown that N-glycosylation affects the binding activity of the Tim-3-Ig fusion protein to its ligand, galectin-9, but the binding properties of non-glycosylated Tim-3 on $CD4^+CD25^+$T cells has not been fully examined. In this study, we produced recombinant Tim-3-Ig fusion proteins in different cellular sources and its N-glycosylation mutant forms to evaluate their binding activities to $CD4^+CD25^+$T cells. Methods: We isolated and cloned Tim-3 cDNA from BALB/C mouse splenocytes. Then, we constructed a mammalian expression vector and a prokaryotic expression vector for the Tim-3-Ig fusion protein. Using a site directed mutagenesis method, plasmid vectors for Tim-3-Ig N-glycosylation mutant expression were produced. The recombinant protein was purified by protein A sepharose column chromatography. The binding activity of Tim-3-Ig fusion protein to $CD4^+CD25^+$T cells was analyzed using flow cytometry. Results: We found that the nonglycosylated Tim-3-Ig fusion proteins expressed in bacteria bound to $CD4^+CD25^+$T cells similarly to the glycosylated Tim-3-Ig protein produced in CHO cells. Further, three N-glycosylation mutant forms (N53Q, N100Q, N53/100Q) of Tim-3-Ig showed similar binding activities to those of wild type glycosylated Tim-3-Ig. Conclusion: Our results suggest that N-glycosylation of Tim-3 may not affect its binding activity to ligands expressed on $CD4^+CD25^+$T cells.