• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권2호
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• pp.167-174
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• 2005

전자 부품의 크기가 점점 줄어들고 고집적화됨에 따라 전자 패키지 내부에 사용되는 금속간 간격이 줄어들고 있다. 이에 더하여 고온 고습한 환경에서 금속간에 전압이 인가되면 금속의 이온화가 촉진, 금속으로 이루어진 필라멘트가 형성되어 결국 절연파괴에 이르게 된다. 이러한 현상이 electrochemical migration(ECM)이다. 이에 인쇄회로기판을 사용하여 ECM 특성 평가를 수행하였다. 항온/항습조건($85^{\circ}C,\;85{\%}RH$)에서 PCB의 $300 {\mu}m$의 단자간격을 가진 through-hole via 표면에서 발생하는 ECM 현상은 CAF가 절연파괴의 주된 메커니즘이었다. solder를 구성하는 Sn과 Pb 조성 분석을 통해 Pb 의 이온 이동도가 Sn의 이온 이동도보다 큰 것을 알 수 있었으며 이는 급격한 양극용해 거동을 보이는 pure Pb의 분극거동과 상관관계가 있는 것으로 사료된다. 또한 시간에 따른 절연파괴시간 시험을 통하여 ECM에 의한 절연파괴시간이 인가전압에 의존하며 인가전압 의존성 지수값(n)은 2로 나타났다.

• 전자공학회논문지C
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• 제36C권1호
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• pp.22-33
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• 1999

본 논문에서는 다중의 FPGA 칩과 연결 전용 칩으로 구성되어 있는 프로그래밍이 가능한 PCB(Programmable Circuit Board)를 대상으로 주어진 회로를 분할하는 새로운 회로 분할 방법을 제안한다. 여기서 칩들간에는 상호 연결 가능한 배선 위상이 정해져 있으며 사용할 수 잇는 연결선의 수가 고정되어 있다. 그러므로 회로를 PCB상의 다중의 FPGA 칩으로 분할하기 위해서는 기존의 분할 방법과는 달리 칩들간의 연결선에 대한 제한 조건을 고려하여야 하며 이를 위하여 본 논문에서는 주어진 PCB의 모든 제한조건을 고려한 분할 방법을 제안한다. 또한 분할 속도를 개선하면서 보다 좋은 분할 결과를 얻기 위하여 다단계의 클러스터 트리를 생성하여 계층적 분할을 수행한다. 다수의 벤치마크 회로에 대하여 실험한 결과 입력회로들은 주어진 제한 조건들을 모두 만족하면서 분할되었으며 기존의 다중 분할 방법과 비교한 결과에서는 칩간의 연결선의 수가 최대 10 % 적게 사용되었다.

• 한국정보처리학회논문지
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• 제6권7호
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• pp.1919-1928
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• 1999

기존의 속도 독립 회로 합성 시스템에서 사용되는 기술 방법들은 각각 특정한 설계 양식과 합성 방법에 적합하도록 만들어졌기 때문에 표준화 된 기술 방법으로 채택되지 못하고 있다. 본 논문에서는 하드웨어 기술을 위한 표준 언어인 VHDL을 이용하여 속도 독립 회로를 기술하고 합성하는 방법을 제안한다. VHDL은 광범위한 언어이므로 본 논문에서는 속도 독립 회로의 기술과 합성에 이용될 수 있는 VHDL 부집합을 정의한다. 그리고 VHDL로 기술된 회로 명세를 신호 전이 그래프로 변환한 다음에 기존의 합성 알고리즘을 이용하여 속도 독립 회로를 합성한다. 이를 위하여 각각의 VHDL 문을 부분적인 신호 전이 그래프로 변환하고 부분적인 신호 전이 그래프들을 합병함으로써 VHDL 프로그램 신호 전니 그래프로 변환하는 세계적인 방법을 제안한다. VHDL을 이용함으로써 시뮬레이션, 테스팅 등 기존의 VHDL 기반의 다양한 설계프로그램들과 속도 독립 회로 합성 프로그램을 통합하는 프레임워크 개발이 가능하게 되고 기존의 회로 설계자들이 쉽게 비동기 회로에 접근할 수 있게 되는 장점이 있다.

• ETRI Journal
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• 제32권6호
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• pp.932-939
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• 2010

In this paper, a fast migration method is proposed. Our method executes local relocation on a model placement where an additional module is added to it for modification with a minimum number of displacements. This method is based on mean-field annealing (MFA), which produces a solution as reliable as a previously used method called simulated annealing. The proposed method requires substantially less time and hardware, and it is less sensitive to the initial and final temperatures. In addition, the solution runtime is mostly independent of the size and complexity of the input model placement. Our proposed MFA algorithm is optimized by enabling module rotation inside an energy function called permissible distances preservation energy. This, in turn, allows more options in moving the engaged modules. Finally, a three-phase cooling process governs the convergence of problem variables called neurons or spins.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 심포지엄 논문집 정보 및 제어부문
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• pp.269-271
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• 2005

EMV was formed in February 1999 by Europay International, MasterCard International and Visa International to manage, maintain and enhance the EMV Integrated Circuit Card Specifications for Payment Systems as technology advances and the implementation of chip card programs become more prevalent. The formation of EMV ensures that single terminal and card approval processes are developed at a level that will allow cross payment system interoperability through compliance with the EMV specifications. A credit card environment of the domestic market adopted the standard Local-EMV to have the compatibility with EMV international standard and the EMV migration have been carried out b,# the step-by-step process. It may be possible to adopt various kinds of cryptographic algorithms, however, RSA public key algorithm is currently used. In this paper, as a public key algorithm for the authentication process, Elliptic Curve Cryptographic algorithm is applied to the EMV process. Implementation results is shown. and the possible changes necessary to accommodate Elliptic Curve Cryrtography is proposed.

• Journal of Trauma and Injury
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• 제33권3호
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• pp.140-143
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• 2020

Resuscitative endovascular balloon occlusion of the aorta (REBOA) has been accepted as an adjunct procedure for non-compressible torso hemorrhage in patients with hemorrhagic shock. With appropriate indications, REBOA should be performed for resuscitation regardless of the physician's specialty. Despite its effectiveness in traumatized patients with hemorrhagic shock, performing REBOA has been challenging due to physicians' lack of experience. Even though training in endovascular skills is mandatory, many physicians cannot undergo sufficient training because of the limited number of endovascular simulation programs. Herein, we share simulation video clips, including those of a vascular circuit model for simulation; sheath preparation; long guidewire and balloon catheter preparation; ultrasound-guided arterial access; sheath insertion or upsizing; and balloon positioning, inflation, and migration. The aim of this study was to provide educational video clips to improve physicians' endovascular skills for REBOA.

• 전기화학회지
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• 제12권1호
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• pp.1-10
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• 2009

This article reviewed transport behaviours of electroactive species in ionic compounds, focusing on chemical diffusion of Li through the transition metal oxide in a current flowing condition. For this purpose, a distinction has been first briefly made between migration and diffusion with respect to current, driving force and charge of electroactive species considered. Then, the equations for chemical diffusion are derived theoretically in open-circuit and current flowing conditions. Finally, the experimental methods such as ac impedance spectroscopy and current (potential) transient techniques are described in details for characterising chemical diffusion. In addition, the role of the thermodynamic enhancement factor in chemical diffusion is discussed.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제10권6호
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• pp.495-500
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• 1989

The ionic conductivity of polycrystalline, glass, and glass-ceramic silicates was measured using two-terminal AC method with blocking electrode over a frequency range of 100 Hz to 100 KHz in the temperature range of $200^{\circ}C$ to $320^{\circ}C$. Analysing the capacitance (C), susceptance (B), impedance (Z), and conductance (G) under the given conditions, an equivalent circuit containing temperature and frequency dependent component is proposed. Higher capacitance could be observed in the low frequency region and on the improved ionic migration conditions i.e., at higher temperature in a better ionic conductor. Also the electrode polarization built up at the electrode-specimen interface could be sorted out above 10 KHz. However, grain boundary contribution couldn't be extracted from the bulk resistance over the frequency range measured here.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제26권1호
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• pp.1-7
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• 2019

Recently, memristor (anion-based memristor) is referred to as the fourth circuit element which resistance state can be gradually changed by the electric pulse signals that have been applied to it. And the stored information in a memristor is non-volatile and also the resistance of a memristor can vary, through intermediate states, between high and low resistance states, by tuning the voltage and current. Therefore the memristor can be applied for analogue memory and/or learning device. Usually, memristive behavior is easily observed in the most transition metal oxide system, and it is explained by electrochemical migration motion of anion with electric field, electron scattering and joule heating. This paper reports the latest trends and issues of anion-based memristor.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.68-68
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• 2003

최근의 전자부품은 고밀도 고집적화 됨에 따라 여러 가지 문제점들이 발생되고 있다. 그 중 부품이 실장되는 부분에 사용되는 솔더나 전기적 회로를 구성하는 패턴간에 금속 이온 마이그레이션(Metallic Ion Migration)이 발생하여 전기적 단락(Short)를 유발함으로써 전자제품의 치명적 고장을 유발한다. 본 연구는 이온 마이그레이션 현상을 물방울시험(Water Drop Test)을 통하여 재현함으로써 발생 메카니즘을 확인하여 발생원인을 직접적으로 관찰하고, 각 종 패턴의 거리 및 전압에 따른 발생속도의 차이를 조사하기 위하여 수행되었다. 이러한 실험을 위하여 콤 패턴(Comb Pattern)의 FR-4 재질 인쇄회로기판(PCB : Printed Circuit Board)을 사용하였으며, 사용된 전극재질로는 Cu, SnPb, Au를 사용하였고, 패턴간 거리는 0.5, 1.0, 2.0mm의 3가지 종류로 구분하였다. 또한 패턴간에 인간 된 전압은 6.5V, 15V를 인가한 후 마이그레이션이 발생되는 시간을 측정하였다. 이러한 실험으로부터 다음과 같은 결론을 얻었다. (1) 6.5V의 인가전압에서는 Cu 패턴이 대체적으로 가장 빠르게 마이그레이션이 발생하였으며, 다음으로 Au가 발생하였고, Cu와 SnPb의 발생시간은 대체적으로 근사한 값을 나타내었다. 이것은 비슷한 평형전위를 갖는 재료는 마이그레이션 발생시간이 유사하게 나타나며, 높은 (+)전위를 갖을수록 발생시간이 지연됨을 알 수 있다. (2) 15V를 인가하였을 때 패턴간격이 0.5mm인 경우 Cu, Au, SnPb의 순으로 나타났으며, 1.0mm는 SnPb, Cu, Au, 2.0mm인 경우는 SnPb, Au, Cu의 순으로 마이그레이션이 발생하였다. 인가전압이 높은 경우 초기 발생에는 큰 차이가 없지만 수지상이 발생 후 성장하는데 많은 영향을 미치는 것으로 보인다. 이것은 초기 수지상의 형성에 큰 영향을 미치는 것은 재료의 평형전위에 의한 값이 좌우하지만, 수지상이 일정길이 이상 형성된 이후에는 성장속도가 평형전위에 따른 값과는 다소 다르게 나타남을 알 수 있다.