The Transactions of the Korea Information Processing Society
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v.2
no.5
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pp.757-767
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1995
In this paper, we present MI-MESI write-invalidate snooping cache coherence protocol which addresses several significant drawbacks of MESI and MI-MESI write -invalidate snooping cache coherence protocols under the split transaction bus based multiprocessor environment. In this protocol, each cache block maintains one of six cache states which represent Modified-shared, Invalid-by-other, Modified, Exclusive, Shared and Invalid states. By using these cache states, our protocol reduces both the access contention and unnecessary updates for the memory modules significantly, and thus providing the fast memory access time.
This research is to design a high performance NAND-type flash memory package with a smart buffer cache that enhances the exploitation of spatial and temporal locality. The proposed buffer structure in a NAND flash memory package, called as a smart buffer cache, consists of three parts, i.e., a fully-associative victim buffer with a small block size, a fully-associative spatial buffer with a large block size, and a dynamic fetching unit. This new NAND-type flash memory package can achieve dramatically high performance and low power consumption comparing with any conventional NAND-type flash memory. Our results show that the NAND flash memory package with a smart buffer cache can reduce the miss ratio by around 70% and the average memory access time by around 67%, over the conventional NAND flash memory configuration. Also, the average miss ratio and average memory access time of the package module with smart buffer for a given buffer space (e.g., 3KB) can achieve better performance than package modules with a conventional direct-mapped buffer with eight times(e.g., 32KB) as much space and a fully-associative configuration with twice as much space(e.g., 8KB)
Journal of the Korea Society of Computer and Information
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v.20
no.11
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pp.1-8
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2015
Flash memory has advantages in that it is fast access speed, low-power, and low-price. Therefore, they are widely used in electronics industry sectors. However, the flash memory has weak points, which are the limited number of erase operations and non-in-place update problem. To overcome the limited number of erase operations, many wear leveling techniques are studied. They use many tables storing information such as erase count of blocks, hot and cold block indicators, reference count of pages, and so on. These tables occupy some space of main memory for the wear leveling techniques. Accordingly, they are not appropriate for low-power devices limited main memory. In order to resolve it, a wear leveling technique using bit array and Bit Set Threshold (BST) for flash memory. The proposing technique reduces the used space of main memory using a bit array table, which saves the history of block erase operations. To enhance accuracy of cold block information, we use BST, which is calculated by using the number of invalid pages of the blocks in a one-to-many mode, where one bit is related to many blocks. The performance results illustrate that the proposed wear leveling technique improve life time of flash memory to about 6%, compared with previous wear leveling techniques using a bit array table in our experiment.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.387-387
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2013
Currently, the flash memory and the dynamic random access memory (DRAM) have been used in a variety of applications. However, the downsizing of devices and the increasing density of recording medias are now in progress. So there are many demands for development of new semiconductor memory for next generation. Magnetic random access memory (MRAM) is one of the prospective semiconductor memories with excellent features including non-volatility, fast access time, unlimited read/write endurance, low operating voltage, and high storage density. MRAM is composed of magnetic tunnel junction (MTJ) stack and complementary metal-oxide semiconductor (CMOS). The MTJ stack consists of various magnetic materials, metals, and a tunneling barrier layer. Recently, MgO thin films have attracted a great attention as the prominent candidates for a tunneling barrier layer in the MTJ stack instead of the conventional Al2O3 films, because it has low Gibbs energy, low dielectric constant and high tunneling magnetoresistance value. For the successful etching of high density MRAM, the etching characteristics of MgO thin films as a tunneling barrier layer should be developed. In this study, the etch characteristics of MgO thin films have been investigated in various gas mixes using an inductively coupled plasma reactive ion etching (ICPRIE). The Cl2/Ar, CH3OH/Ar, and CH4/Ar gas mix were employed to find an optimized etching gas for MgO thin film etching. TiN thin films were employed as a hard mask to increase the etch selectivity. The etch rates were obtained using surface profilometer and etch profiles were observed by using the field emission scanning electron microscopy (FESEM).
For debugging effectively the shared-memory programs with nested parallelism, it is important to detect efficiently the first races which incur non-deterministic executions of the programs. Previous on-the-fly technique detects the first races in two passes, and shows inefficiencies both in execution time and memory space because the size of an access history for each shared variable depends on the maximum parallelism of program. This paper proposes a new on-the-fly technique to detect the first races in two passes, which is constant in both the number of event comparisons and the space complexity on each access to shared variable because the size of an access history for each shared variable is a small constant. This technique therefore makes on-the-fly race detection more efficient and practical for debugging shared-memory programs with nested parallelism.
Journal of the Korea Society of Computer and Information
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v.11
no.6
s.44
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pp.113-123
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2006
Flash memory has been increasingly used in handhold devices not only for data storage, but also for code storage. Because NAND flash memory only provides sequential access feature, a traditionally accepted solution to execute the program from NAND flash memory is shadowing. But, shadowing has significant drawbacks increasing a booting time of the system and consuming severe DRAM space. Demand paging has obtained significant attention for program execution from NAND flash memory. But. one of the issues is that there has been no effort to bound demand paging cost in flash memory and to analyze the worst case performance of demand paging. For the worst case timing analysis of programs running from NAND flash memory. the worst case demand paging costs should be estimated. In this paper, we propose two different WCRT analysis methods considering demand paging costs, DP-Pessimistic and DP-Accurate, depending on the accuracy and the complexity of analysis. Also, we compare the accuracy butween DP-Pessimistic and DP-Accurate by using the simulation.
KIPS Transactions on Computer and Communication Systems
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v.8
no.6
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pp.127-138
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2019
The data response speed is a critical issue of cloud services because it directly related to the user experience. As such, the in-memory database is widely adopted in many cloud-based applications for achieving fast data response. However, the current implementation of the in-memory database is mostly based on the linked list-based hash table which cannot guarantee the constant data response time. Thus, cuckoo hashing was introduced as an alternative solution, however, there is a disadvantage that only half of the allocated memory can be used for storing data. Subsequently, bucketized cuckoo hashing (BCH) improved the performance of cuckoo hashing in terms of memory efficiency but still cannot overcome the limitation that the insert overhead. In this paper, we propose a data management solution called Wall Cuckoo which aims to improve not only the insert performance but also lookup performance of BCH. The key idea of Wall Cuckoo is that separates the data among a bucket according to the different hash function be used. By doing so, the searching range among the bucket is narrowed down, thereby the amount of slot accesses required for the data lookup can be reduced. At the same time, the insert performance will be improved because the insert is following up the operation of the lookup. According to analysis, the expected value of slot access required for our Wall Cuckoo is less than that of BCH. We conducted experiments to show that Wall Cuckoo outperforms the BCH and Sorting Cuckoo in terms of the amount of slot access in lookup and insert operations and in different load factor (i.e., 10%-95%).
The delay times due to the propagating of data on PCB depend on the shape and length of interconnection lines when memory controllers and high speed memories are soldered on the PCB. The dependency on the placement and routing on the PCB requires redesign of I/O logic or reconfiguration of the memory controller after the delay time is measured if the controller is programmable. In this paper, we propose architecture of configuring logic for the delay time estimation by writing and reading test patterns while initializing the memories. The configuration logic writes test patterns to the memory and reads them by changing timing until the correct patterns are read. The timing information is stored and the configuration logic configures the memory controller at the end of initialization. The proposed method enables easy design of systems using PCB by solving the problem of the mismatching caused by the variation of placement and routing of components including memories and memory controllers. The proposed method can be applied to high speed SRAM, DRAM, and flash memory.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.22
no.3
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pp.43-48
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2022
Recently, due to the rapid performance improvement of smartphones and the increase in background executions of mobile apps, multitasking has become common on mobile platforms. Unlike traditional desktop and server apps, response time is important in most mobile apps as they are interactive tasks, and some apps are classified as real-time tasks with deadlines. In this paper, we discuss how to meet the requirements of heterogeneous multitasking in managing memory of real-time and interactive tasks when they are executed together on a smartphone. To do so, we analyze the memory requirement of real-time tasks, and propose a model that has the ability of allocating memory to multitasking tasks on a smartphone. Trace-driven simulations with real-world storage access traces captured by heterogeneous apps show that the proposed model provides reasonable performance for interactive tasks while guaranteeing the requirement of real-time tasks.
Journal of Korea Society of Industrial Information Systems
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v.21
no.3
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pp.13-19
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2016
Spark, an in-memory big-data processing framework is popular to use for real-time processing workload. Spark can store all intermediate data in the cluster memory so that Spark can minimize I/O access. However, when the resident memory of workload is larger that the physical memory amount of the cluster, the total performance can drop dramatically. In this paper, we analyse the factors of bottleneck on PageRank Application that needs many memory through experiment, and cluster the Spark with Tachyon File System for using memory to solve the factor of bottleneck and then we improve the performance about 18%.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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