• 한국안광학회지
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• 제11권3호
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• pp.225-229
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• 2006

강자성체인 철과 니켈의 박막에서 전류와 자기장이 이루는 각도의 변화에 따른 자기저항의 변화를 관찰하였다. 경사각에 따른 PMR과 NMR의 크기가 같은 ${\phi}_{mix}$의 변화는 전류에 수직한 자기장의 성분과 평행한 자기장의 성분이 같게 되는 각도에서 자기저항 루프의 역전이 되는 것을 이용하면 ${\phi}_{mix}=tan^{-1}(1+tan{\theta})$와 같이 구해진다. 위 관계식은 실험치와 잘 일치함을 보여준다. 반면에 철박막의 경우에는 니켈박막과 자화축이 다르게 나타나서 ${\phi}_{mix}$가 위 식으로 주어진 관계와 일치하지 않는다.

• 한국진공학회지
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• 제15권4호
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• pp.367-373
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• 2006

비스무스의 녹는점보다 3 도 낮은 온도인 $268^{\circ}C$에서 후열처리를 하여 비스무스 박막에서 자기저항의 큰 증가를 관측하였다. 레드텔러라이드 / 케드뮴텔러라이드 기판 위에서는 온도 5 K, 자기장 5T 하에서 190 에서 260으로, 마이카 기판 위에서는 620 에서 120 으로 자기저항의 큰 증가를 나타내었다. 이러한 자기저항의 큰 증가는, 열처리에 따른 결정도의 향상에 기인한 것으로 보인다. 하지만 일정 시간 이상의 오랜 시간의 열처리는 자기저항을 감소시키는 것으로 관측되었다.

• 한국자기학회지
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• 제6권2호
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• pp.86-92
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• 1996

열진공증착 방법으로 제작한 Ag/Co 다층박막의 구조, 자성 및 자기저항에 관하여 연구하였다. Ag층의 두께가 $60{\AA}$ 정도로 두꺼울 때는 Co 두께가 $5{\AA}$에서도 비교적 균일한 다층막의 형태를 이루어서 대부분의 Co층이 강자성의 성질을 가지나 Ag층의 두께가 $30{\AA}$으로 얇고 Co가 $15{\AA}$ 이하일 경우에는 Co층이 섬형화된 불연속 다층박막이 형성되어 섬형화된 많은 부분의 Co가 초상자성 성질을 가졌다. 또한 열처리에 의하여 Co의 섬형화가 진전되어 MR비가 증가 되었다. $3000{\AA}$ 두께의 $Ag30{\AA}/Co10{\AA}$ 불연속 다층박막에서 최대 6.1%의 자기저항비를 얻었으며 SiO를 하지층으로 입힐 경우 $1000{\AA}$ 다층박막에서 층상 구조의 개선으로 반강자성 결합 및 자기저항비가 증가되었다.

• 한국자기학회지
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• 제8권4호
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• pp.224-230
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• 1998

보자력의 차이를 나타내는 두 자성층으로 구성된 거대자기저항 스핀밸브 삼층박막의 자기저항곡선과 자기이력 곡선을 단층박막으로 형성된 자성층의 자기이력곡선을 이용하여 용이학게 해석되는 방법을 제시하고, 삼층박막의 자기저항 특성과 삼층박막을 이루는 각 자성층의 자기적 특성과의 관계를 고찰하였다. 4$^{\circ}$ 기울어진 Si(111) 기판과 유리 기판 위에 NiFe/Cu/Co 삼층박막을 형성하여 일축자기이방성의 존재 유무에 따른 2가지 경우에 대해, 스핀밸브 삼층박막의 측정된 자기이력 및 자기저항곡선을 단층박막으로 형성된 NiFe, Co의 자기이력곡선으로부터 계산된 곡선과 비교하였다. 거대자기저항을 나타내는 NiFe/Cu/Co 스핀밸브 삼층박막의 자기이력곡선은 동일한 기판 위에 형성된 NiFe, Co 단층박막의 자기이역곡선을 합성한 곡선과 일치하였으며, 자기저항곡선 또한 각 단층박막의 자기이력곡선에 단지이력곡선에 단자구 모델과 다자구 모델을 적용하여 모사된 곡선으로 이해될 수 있었다. 이는 스핀밸브 삼층단막을 다양한 응용 분야에 적용시 각 응용에 필요한 자기저항 특성을 얻는에 유용한 것으로 사료된다.

• Journal of Magnetics
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• 제17권3호
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• pp.176-184
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• 2012

The structural, magnetic and magnetotransport properties of $La_{0.67}Ca_{0.33}MnO_3$: $Ag_x$ (x = 0, 0.1, 0.2, 0.3 and 0.4) composites were investigated systematically. X-ray and EDX analysis indicated that Ag is not substituted into the main $La_{0.67}Ca_{0.33}MnO_3$ phase and remains an additive to the second phase at the grain boundary. The Curie temperature first decreased from 269 K for x = 0 to 257 K for x = 0.1 and then remained nearly unchanged with increasing Ag content. For the x > 0.1 samples, a second transition temperature ($T_{MI2}$) was observed in the resistance curves. At temperatures below 150 K, a significant enhancement in MR was observed while high temperature MR decreased with increasing Ag content. The maximum MR was observed to be 55% in the x = 0.4 sample at 10 K and a 6T magnetic field, this value is larger than that of pure $La_{0.67}Ca_{0.33}MnO_3$ (53% at 265 K and 6 T). In addition, at low fields (H < 1T), a sharp increase in the MR was observed.

• 전기의세계
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• 제33권4호
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• pp.214-220
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• 1984

본고에서는 SI Ga As의 제조방법 및 전도매체들의 깊은 에너지위치(deep level)에 의한 상쇄현상(compensation)을 간략히 설명한 후 넓은 자장영역 (B=0-13T)에서의 Hall 효과 및 magnetoresistance (MR)에 의한 전기적 특성 연구방법을 설명하고, 전도매체의 재결합 현상을 연구할 수 있는 일반화 PME효과 (FA-PME)에 대해 기술한 후 SI Ga As 기판의 응용에 대해 간략히 기술하였다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2003년도 하계학술연구발표회 및 한.일 공동심포지엄
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• pp.154-155
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• 2003

Substituting transition metals such as V, Cr, Mn, Fe, Co and Ni into semiconductors have been of interest because of its unique electrical and magnetic properties. It was reported that the magnetoresistance(MR) ratio of CrGe was 1.7% and 1 4% at 120 K in fields of 0.5 and 5 T, respectively. The MR ratio of FeGe was 19% at 180K. The electrical resistivity of CrGe changed according to Cr concentration. In this talk, we report transport properties of V-doped Ge single crystals with several different V concentrations. The carrier densities and mobilities will be determined from Hall measurement.

• Journal of Magnetics
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• 제10권2호
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• pp.52-57
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• 2005

In this research, magnetoresistance (MR) ratio (MR), resistivity, and exchange coupling field $(H_{ex})$ behaviors for sputter deposited spin valves with FeMn antiferromagnetic layer have been extensively investigated by rapid thermal annealing (RTA) as well as conventional annealing (CA) method. 10 s of RTA revealed that interdiffusion was not significant up to $325^{\circ}C$ at the interfaces between the layers when the RTA time was short. The MR of FeMn spin valves were reduced when the spin valves were exposed to temperature of $250^{\circ}C$, even for a short time period of 10 s prior to CA. $H_{ex}$ was maintained up to $325^{\circ}C$ of CA when the specimen was subjected to 10 s of RTA at $200^{\circ}C$ prior to CA, which is $25^{\circ}C$ higher than the result obtained from the CA without prior RTA. Therefore, the stability of $H_{ex}$ could be enhanced by a prior RTA before performing CA up to annealing temperature of $325^{\circ}C$. MR and sensitivity of the specimens annealed without magnetic field up to $275^{\circ}C$ were recovered to the values prior to CA, but $H_{ex}$ was not recovered. This means that reduced MR sensitivity and MR during the device fabrication can be recovered by a field RTA.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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• pp.185-188
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• 1999

Biepitaxial Y$_1Ba_2Cu_3O_{7-x}$ (YBCO) and La$_{0.2}Sr_{0.8}MnO_3$ (LSMO) thin films have been prepared on SrTiO$_3$ buffer layer and MgO seed layer grown on Al$_2O_3$(11${\bar{2}}$0)substrates by dc-sputtering with hollow cylindrical targets, respectively. We charaterized Josephson properties and significantly large magnetoresistance in YBCO and LSMO films with 45$^{\circ}$ grain boundary junction, respectively. The observed working voltage (I$_cR_n$) at 77 K in grain boundary junction was below 10${\mu}$V, which is typical I$_cR_n$ value of single biepitaxial Josephson junction. The field magnetoresistance ratio (MR) of LSMO grain boundary juncoon at 77K was enhanced to 13%, which it was significant MR value with high magnetic field sensitivity at a low field of 250 Oe. These results indicate that inserting the insulating layer instead of the grain boundary layer with metallic phase can be possible to apply a new SIS Josephson junction and a novel magnetic device using spin-polarized tunneling junction.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.370.1-370.1
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• 2014

Giant magnetoresistance (GMR), tunneling magnetoresistance (TMR), and magnetic random-access memory (MRAM) are currently active areas of research. Magnetite, Fe3O4, is predicted to possess as half-metallic nature, ~100% spin polarization (P), and has a high Curie temperature (TC~850 K). On the other hand, Spinel ferrite CoFe2O4 has been widely studies for various applications such as magnetorestrictive sensors, microwave devices, biomolecular drug delivery, and electronic devices, due to its large magnetocrystalline anisotropy, chemical stability, and unique nonlinear spin-wave properties. Here we have investigated the magneto-transport properties of epitaxial CoxFe3-xO4 thin films. The epitaxial CoxFe3-xO4 (x=0; 0.4; 0.6; 1) thin films were successfully grown on MgO (100) substrate by molecular beam epitaxy (MBE). The quality of the films during growth was monitored by reflection high electron energy diffraction (RHEED). From temperature dependent resistivity measurement, we observed that the Werwey transition (1st order metal-insulator transition) temperature increased with increasing x and the resistivity of film also increased with the increasing x up to $1.6{\Omega}-cm$ for x=1. The magnetoresistance (MR) was measured with magnetic field applied perpendicular to film. A negative transverse MR was disappeared with x=0.6 and 1. Anomalous Hall data will be discussed.