• 전자공학회논문지A
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• 제28A권1호
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• pp.30-39
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• 1991

The influence of physical parameters (Al mole fraction, thickness, doping concentration) in the window and emitter on the efficiency characteristics of heteroface p-$Al_{x}Ga_{1-x}As/p-GaAs/n-GaAs/n^{+}$-GaAs solar cell is investigated. The maximum efficiency theoretically calculated in this device is obtained when a thickness of the window is in a range of (400-1000))$\AA$and a thickness/doping concentration of the emitter is in a range of (0.5-0.8)$\mu$m/(1-7)${\times}10^{17}cm^{-3}$, respectively. Also is the efficiency improved according to the increase of Al mole fraction in the indirect gap window(0.41${\le}x{\le}1.0$). The optimum designed heteroface cell with an area of 0.165cm$^2$fabricated using MOCVD exhibits an active area conversion efficiency of 17%, having a short circuit current density of 21.2mA/cm\ulcorner an open circuit voltage of 0.94V, and a fill factor of 0.75 under ELH-100mW/cm$^2$illumination.

• 한국자기학회지
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• 제2권1호
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• pp.44-49
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• 1992

단롤법 급속응고기술을 이용하여 $Nd_{12}Fe_{80}B_{6}(Nb,\;M)$ (M=Ti/Cu/Ga) 리본을 제작하고 이의 자기특성 및 미세조작에 관한 연구를 하였다. X-선 회절 및 TEM을 이용한 미세조직 조사 결과, 리본의 이방화에 Ga이 효과적이며, 디스크표면속도 17.9 m/s로 제작한 $Nd_{12}Fe_{80}B_{6}(Nb,\;Ca)$ 리본은 약 30 nm의 미세한 결정립으로 구성되고 자유표면이 이방화된 조직으로 형성됨을 알았다. 이 리본을 분쇄하여 자장중에서 정렬시킨 분말의 잔류자속밀도는 0.87 T의 높은 값을 보였으며, 분쇄하기전 리본의 잔류자속밀도에 비하여 약 5% 정도 높았다. 이상의 결과로 부터 리본의 자유표면은 이방화가 되고 나머지 부분은 HIREM 특성을 나타내는 새로운 형태의 고특성 급속응고리본의 제조가 가능할 것으로 사료된다.

• 대한전기학회논문지:시스템및제어부문D
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• 제49권8호
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• pp.423-431
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• 2000

This paper presents a systematic approach to the input-output data-based fuzzy modeling for the complex and uncertain nonlinear systems, in which the conventional mathematical models may fail to give the satisfying results. To do this, we propose a new method that can yield a successful fuzzy model using a mGA hybrid schemes with a fine-tuning method. We also propose a new coding method fo chromosome for applying the mGA to the structure and parameter identifications of fuzzy model simultaneously. During mGA search, multi-purpose fitness function with a penalty process is proposed and adapted to guarantee the accurate and valid fuzzy modes. This coding scheme can effectively represent the zero-order Takagi-Sugeno fuzzy model. The proposed mGA hybrid schemes can coarsely optimize the structure and the parameters of the fuzzy inference system, and then fine tune the identified fuzzy model by using the gradient descent method. In order to demonstrate the superiority and efficiency of the proposed scheme, we finally show its applications to two nonlinear systems.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제29권4호
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• pp.822-826
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• 2008

We report the cathodoluminescence and aging properties of a series of green phosphors of formula $Sr_{1-x}M_xGa_2S_4$:Eu (x = 0.0-1.0, M = Ba or Ca) that have potential applications in field emission displays (FEDs). The series of phosphors was synthesized via NaBr-aided solid-state reactions in a flowing $H_2S$ stream. A low level ($\sim$20%) of Ba or Ca substitution for Sr in $SrGa_2S_4$:Eu maintains the orthorhombic phase of pure $SrGa_2S_4$:Eu phosphors. Further, a low level ($\sim$20%) of Ba or Ca substitution for Sr in $SrGa_2S_4$:Eu provides various green colors and sufficient brightness for FED applications. Substitution of Ba or Ca for Sr in $SrGa_2S_4$:Eu also improved the stability of the phosphor when it was operated under electron-beam irradiation of 5 kV.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권8호
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• pp.13-19
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• 2001

분자선 결정 성장법을 이용하여 성장된 서로 다른 장벽층의 두께를 갖는 $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$ heterojunction field effect transistors (HFETs) 를 제작하여 그 특성을 비교, 관찰하였다. $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$층의 두께에 따른 특성의 비교로부터 최적의 2 차원 전자개스 (2 dimensional electron gas) 를 가질 수 있는 $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN HFET 소자 구조를 얻을 수 있었다. $L_g=0.6$ ${\mu}m$ 와 $W_g=34\;{\mu}m$ $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN (20 nm/2 mm) HFET에서 Imax ($V_{gs}=1\;V$) 와 $G_{m,maX}$는 각각 1.155 A/mm 및 250ms/${\mu}m$ 이었으며 $F_t=13$ GHz 와 $F_{max}=48$ GHz의 우수한 고주파 특성을 얻을 수 있었고 2 inch 기판상에서 제작된 소자들은 5% 이하의 매우 균일한 DC 특성을 나타내었다. 이와 더불어 게이트-드레인 간의 간격에 따른 소자의 특성을 관찰함으로서 소자의 항복전압과 고주파 특성과의 상관관계를 고찰하였다.

• 한국약용작물학회지
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• 제9권2호
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• pp.124-129
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• 2001

생약재로 이용되고 있는 활나물은 항암효과가 밝혀져 그 이용이 기대되나 종자발아가 불량하여 재배가 어려운 식물이다. 따라서 $GA_3$, 저온, $KNO_3$, acetone처리가 활나물의 종자발아에 미치는 영향을 구명하여 앞으로의 재배연구의 기초자료를 얻고자 본 연구를 실시하였던 바 그 결과를 다음과 같다. 1. 활나물 종자의 발아율은 $GA_3$ 처리시에는 0.1 mM에 12시간 암상태에서, 저온처리시에는 $3^{\circ}C$에서 1주간 처리하는것에서 가장 높았다. 2. 발아율은 $KNO_3$ 처리시에는 400 mM에 6시간, acetone 처리시에는 200 mM에 6시간 처리하는 것에서 가장 높았으며, 이들 처리결과가 $GA_3$ 또는 저온처리의 최적결과보다 양호하였다. 3. 포장출현율은 200 mM의 acetone 용액에 6시간 처리하는 것보다 400 mM의 $KNO_3$에 6시간 처리하는 것에서 높은 것으로 조사되어 활나물 종자처리는 $KNO_3$를 이용하여 암상태에서 처리하는 것이 바람직한 처리방법으로 평가되었다.

• 한국진공학회지
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• 제9권2호
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• pp.150-154
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• 2000

Impurity-free vacancy diffusion 방법을 이용하여 압축 응력을 가진 InGaAs/InGaAsP 다중 양자 우물 구조에서 열처리 온도에 따른 무질서 정도를 조사하였다. InGaAs/SiO$_2$ cap 구조가 InP/$SiO_2$ cap 구조보다 급속열처리 (rapid thermal annealing : RTA) 과정에서 더 많은 청색 천이를 나타내었다. 열처리 온도 $700^{\circ}C$에서, InGaAs/$SiO_2$ cap 구조의 경우 다중양자우물의 밴드갭 파장은 1.55 $\mu\textrm{m}$대역에서 1.3 $\mu\textrm{m}$ 대역으로 이동하였으며, InGaAs/$SiO_2$ cap 구조와 InP/$SiO_2$ cap 구조의 밴드갭 파장차이는 195 nm (123 meV)로 높은 선택성을 나타내었다. 또한, DCXRD 스펙트럼으로부터 다중양자우물 구조에서 균일한 합금형태로 완전히 무질서화되는 것을 볼 수 있었다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1998년도 제15회 광학 및 양자전자 학술발표회 논문집
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• pp.200-201
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• 1998

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2005년도 하계학술발표회
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• pp.50-51
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• 2005

• 한국결정성장학회지
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• 제8권2호
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• pp.249-254
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• 1998

GaN계 재료의 습식 화학식각 특성과 광 화학 및 전기 화학 및 전기 화학 습식식각 특성을 연구하였다. n형 GaN는 상온에서 NaOH 수용액에 식각되었으며 식각두께는 식각시간에 선형적으로 증가하였다. 또 광 조사 및 전기 화학을 가할 경우 식각율은 수배로 증가하였으며, 식각율은 $1{\times}10^{19};cm^{-3}$의 전자농도를 갖는 시료에서 광 조사시 최대 164${\AA}$/min을 얻었다. n-GaN의 식각율은 GaN의 전자농도에 크게 의존하는 특성을 나타내었으며 이러한 식각과정을 논의하였다. $SiO_2$ 박막으로 덮여진 100${\mu}m{\times}100{\mu}m$ 모양의 옆 식각면은 방향성을 갖지 않고 수직하였으며, 넓은 면적에서 매우 평탄하였다.