Shin, Won-Jung;Kim, Bo Seok;Moon, Chan-Su;Cho, Won-Ki;Baik, Seung Jae
Current Photovoltaic Research
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v.2
no.3
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pp.110-114
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2014
We propose a low temperature sol-gel ZnO/Ag nanowire composite thin film to fulfill low temperature and low cost requirements, which are essential criteria in future flexible electronic devices. In this proposed thin film, Ag nanowire plays the role of electrical conduction, and sol-gel ZnO provides a structural medium with a high visible transmittance. Low temperature restriction in the sol-gel fabrication process prevents sufficient oxidation of Zn acetate precursors, which were solved by a post-coating treatment with ultraviolet light irradiation. Composite thin film formation was performed by spin coating methods with a mixed precursor solution or in a sequential manner. We obtained an average visible transmittance larger than 85% and a sheet resistance smaller than $50{\Omega}/sq$. After optimization in a fabricated composite transparent conductive thin film with the thickness around 100 nm. Similar experimental demonstration in a flexible substrate (polyethyleneterephthalate) was successful, which implies a promising application opportunity of this technology.
Kim, Jae-Hwang;Tezuka, Hiroyasu;Kobayashi, Equo;Sato, Tatsuo
Korean Journal of Materials Research
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v.22
no.7
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pp.329-334
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2012
Two types of nanoclusters, termed Cluster (1) and Cluster (2) here, both play an important role in the age-hardening behavior in Al-Mg-Si alloys. Small amounts of additions of Cu and Ag affect the formation of nanoclusters. Two exothermic peaks were clearly detected in differential scanning calorimetry(DSC) curves by means of peak separation by the Gaussian method in the base, Cu-added, Ag-added and Cu-Ag-added Al-Mg-Si alloys. The formation of nanoclusters in the initial stage of natural aging was suppressed in the Ag-added and Cu-Ag-added alloys, while the formation of nanoclusters was enhanced at an aging time longer than 259.2 ks(3 days) of natural aging with the addition Cu and Ag. The formation of nanoclusters while aging at $100^{\circ}C$ was accelerated in the Cu-added, Ag-added and Cu-Ag-added alloys due to the attractive interaction between the Cu and Ag atoms and the Mg atoms. The influence of additions of Cu and Ag on the clustering behavior during low-temperature aging was well characterized based on the interaction energies among solute atoms and on vacancies derived from the first-principle calculation of the full-potential Korrinaga-Kohn-Rostoker(FPKKR)-Green function method. The effects of low Cu and Ag additions on the formation of nanoclusters were also discussed based on the age-hardening phenomena.
Crystlline silicon solar cells markets are increasing at rapid pace. now, crystlline silicon solar cells markets screen-printing solar cell is occupying. screen-printing solar cells manufacturing process are very quick, there is a strong point which is a low cost. but silicon and metal contact, uses Ag & Al pates. because of, high contact resistance, high series resistance and sintering inside process the electric conductivity decreases with 1/3. and In pastes ingredients uses Ag where $80{\sim}90%$ is metal of high cost. because of low cost solar cells descriptions is difficult. therefore BCSC(Buried Contact Solar Cell) is developed. and uses light-induced plating, ln-line galvanization developed equipments. Ni/Cu matel contact solar cells researches. in Germany Fraunhofer ISE. In order to manufacture high-efficiency solar cells, metal selections are important. metal materials get in metal resistance does small, to be electric conductivity does highly. efficiency must raise an increase with rise of the curve factor where the contact resistance of the silicon substrate and is caused by few with decrement of series resistance. Ni metal materials the price is cheap, Ti comes similar resistance. Cu and Ag has the electric conductivity which is similar. and Cu price is cheap. In this paper, Ni/Cu/Ag metal contact cell with screen printing manufactured, silicon metal contact comparison and analysis.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.21
no.6
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pp.524-529
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2008
In this paper, in order to develop low loss multilayer actuator, piezoelectric properties of PZW-PMN-PZT multilayer actuator sintered at $900^{\circ}C$ low temperature were investigated according to the number of multilayer. The multilayer actuator was fabricated using tape casting method and used pure Ag internal electrode. The density above $8.0\;g/cm^3$ was obtained at all specimens. With increasing number of multilayer, effective electromechanical coupling factor($k_{eff}$) was increased. $k_{eff}$ of multilayer actuator shows the maximum value of 0.283 at 11 layers actuator. However, effective mechanical quality factor(Qm') was decreased according to the increase of number of multilayer. The Qm' of multilayer actuator showed the maximum value of 920 at 5 layers actuator.
Kim, Dongsun;Hwang, Seongjin;Kim, Jongwoo;Lee, Jungki;Kim, Hyungsun
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2010.06a
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pp.61.2-61.2
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2010
Ag thick-film has usually been used for the front electrode of Si solar cells with the outstanding electrical properties. Ag paste consists of Ag powers, vehicles, frits and additives. Ag paste has broadly been screen-printed on the front side of Si wafer with the merits of low cost and simplicity. The optimal contact formation between Ag electrodes and Si wafer in the front electrode during a fast firing has been considered as the key factor for high efficiency. Although the content of frit in Ag pastes is less than 5wt%, it can profoundly influence the contact formation between Ag and Si under the fast firing. In this study, the effects of lead-free frits on the contacts between Ag and Si were studied with the thermal properties and compositions of various frits. Our experimental results showed that the electrical properties of cells were related to the interface structures between Ag and Si. It was found that current path of electrons from Si to Ag would be possible through the tunneling mechanism assisted by tens of nano-Ag recrystals on $n^+$ emitter as well as Ag recrystals penetrated into $n^+$ emitter layers. These preliminary studies will be helpful for designing the proper frits for the Ag pastes with considering the properties of various Si wafers.
Lee, Seung Yong;Yoon, Yeo Tak;Cho, Eou Sik;Kwon, Sang Jik
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.30
no.3
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pp.162-169
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2017
Indium tin oxide (ITO) thin films show a low sheet resistance and high transmittance in the visible range of the spectrum. Therefore, they play an important role as transparent electrodes for flat panel displays. However, their resistivity is rather high for use as a transparent electrode in large displays. One way to improve electrical and optical properties in large displays is to use ITO/Ag/ITO multilayer films. ITO/Ag/ITO multilayer films have lower sheet resistance than single layer ITO films with the same thickness. Prior to the ITO/Ag/ITO multilayer experiments, optimal condition for thickness change are necessary. Their thicknesses were deposited differently in order to analyze electrical and optical properties. However, when optimal single film characteristics are applied to ITO/Ag/ITO multilayer films, other phenomena appeared. After analyzing the electrical and optical properties by changing ITO and Ag film thickness, ITO/Ag/ITO multilayer films were optimized. By combining ITO film at $586\;{\AA}$ and Ag film at 10 nm, the ITO/Ag/ITO multilayer films showed optimized high optical transmittance of 87.65%, and the low sheet resistance of $5.5{\Omega}/sq$.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.48
no.4
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pp.158-162
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2015
To substitute indium tin oxide (ITO), many substituents have been studied such as metal nanowires, carbon based materials, 2D materials, and conducting polymers. These materials are not good enough to apply to an electrode because theses exhibit relatively high resistance. So metal grids are required as an additionalelectrode to improve the conductivities of substituents. The metal grids were printed by electrohydrodynamic printing system using Ag nanoparticle based ink. The Ag grids showed high uniformity and the line width was about $10{\mu}m$. The Ag nanoparticles are surrounded by dispersants such as unimolecular and polymer to prevent aggregation between Ag nanoparticles. The dispersants lead to low conductivity of Ag grids. Thus, the sintering process of Ag nanoparticles is strongly recommended to remove dispersants and connect each nanoparticles. For sintering process, the interface and microstructure of the Ag grid were controlled in 1.0 torr Ar atmosphere at aound $400^{\circ}C$ of temperature. From the sintering process, the uniformity of the Ag grid was improved and the defects on the Ag grids were reduced. As a result, the resistivity of Ag grid was greatly reduced up to $5.03({\pm}0.10){\times}10^{-6}{\Omega}{\cdot}cm$. The metal grids embedded substrates containing low pressure Ar sintered Ag grids showed 90.4% of transmittance in visible range with $0.43{\Omega}/{\square}$ of sheet resistance.
Organic molecular-beam deposition of Mg:Ag thin films with a low Mg concentration on tris (8-hydroxyquinolino) aluminum $(Alq_3)$ layers at room temperature was performed to investigate the feasibility of using Mg:Ag thin films as cathode electrodes in organic light-emitting devices (OLEDs). The effective barrier height of the $Mg:Ag/Alq_3$ heterointerface, determined from current-voltage measurements, was as low as 0.23 eV. These results help improve understanding the electrical properties of the $Mg:Ag/Alq_3$ heterointerfaces in OLEDs.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.527-530
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2002
A lot of efforts have been focused on the optimization of PIT parameters for Bi-2223/Ag wire. In this paper, initial annealing of Bi-2223/Ag wire to transform Bi-2212 orthorhombic from Bi-2212 tetragonal Precursor was investigated. This initial annealing step at low oxygen partial pressure were to transform Bi-2212 orthorhombic structure and to reduce the formation of second phases at superconducting wire. However Bi-2223 Phases were appeared at higher annealing temperature. Critical currents(Je) of Bi-2223/Ag tapes were sintered at low oxygen Partial pressure were higher than that of the wires sintered at atmosphere condition. In order to investigate the effect of rolling reduction ratio, Bi-2223/Ag HTS tapes were rolled with different reduction ratio. There were no clear difference of Je and filaments shape with various rolling reduction ratio.
An integrated inductor using the low temperature cofiring ceramics(LTCC) NiZnAg was fabricated. The inductor has a sandwitch structure, which consists of 18 turns-and-thin Ag rectangular spiral coils in 2-layers(10-turn & 8-turn in each layer). The two layers of Ag coils are among three thick Ni-Zn ferrite so the inductor has a dimension of 12.70mm$\times$12.70mm and 0.32mm thick. For the fabricated inductor, calculation method of inductance was given and it is confirmed that the calculated value is very close to the measured one. Finally as an application of the LTCC integrated inductor for low power electronic circuits, a LTCC boost DC/DC converter with 1W output power and 500KHz switching frequency using the inductor fabricated was developed. For the converter the maximum efficiency of about 87% was obtained.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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