• 제목/요약/키워드: lanthanum-modified lead zirconate titanate

검색결과 2건 처리시간 0.013초

Impedance Spectroscopy of (Pb0.92La0.08)(Zr0.95Ti0.05)O3 Ceramics above Room Temperatures

  • Jong-Ho Park
    • 한국재료학회지
    • /
    • 제34권5호
    • /
    • pp.242-246
    • /
    • 2024
  • La modified lead zirconate titanate ceramics (Pb0.92La0.08)(Zr0.95Ti0.05)O3 = PLZT-8/95/5 were prepared using the conventional solid state reaction method in order to investigate the complex impedance characteristics of the PLZT-8/95/5 ceramic according to temperature. The complex impedance in the PLZT-8/95/5 ceramic was measured over a temperature range of 30~550 ℃ at several frequencies. The complex dielectric constant anomaly of the phase transition was observed near TU1 = 179 ℃ and TU2 = 230 ℃. A remarkable diffuse dielectric constant anomalous behaviour of the complex dielectric constant was found between 100 ℃ and 550 ℃. The complex impedance spectra below and above TU1 and TU2 were fitted by the superposition of two Cole-Cole types of impedance relaxations. The fast component in the higher frequency region may be due to ion migration in the bulk, and the slow component in the lower frequency region is interpreted to be the formation and migration of ions at the grain boundary or electrode/crystal interfacial polarization.

ITO 기판에 제작된 PLZT 박막의 후열처리 온도에 따른 전기적 특성평가 (The electrical properties of PLZT thin films on ITO coated glass with various post-annealing temperature)

  • 차원효;윤지언;황동현;이철수;이인석;손영국
    • 한국진공학회지
    • /
    • 제17권1호
    • /
    • pp.28-33
    • /
    • 2008
  • R.F 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 Indium tin oxide(ITO)가 증착된 유리기판 위에 PLZT ($Pb_{1.1}La_{0.08}Zr_{0.65}Ti_{0.35}O_3$) 박막을 제작하였다. 기판온도를 $500^{\circ}C$로 고정하여 증착한 후 급속열처리 방법으로 다양한 온도 ($550-750^{\circ}C$)에서 후열처리 하였다. 후열처리온도의 변화에 따른 PLZT 박막의 결정학적 특성을 X선 회절법을 통하여 분석하였고 원자간력 현미경을 이용하여 박막의 표면 상태를 관찰하였다. 또한 precision material analyzer 을 이용하여 분극이력곡선과 피로특성을 측정하였다. 후 열처리 온도가 증가함에 따라 잔류분극 값(Pr)은 $10.6{\mu}C/cm^2$ 에서 $31.4{\mu}C/cm^2$로 증가하였으며 항전계(Ec)는 79.9 kV/cm에서 60.9 kV/cm로 감소하는 경향을 보였다. 또한 피로특성의 경우 1MHz 주파수에서 ${\pm}5V$의 square wave를 인가하여 측정한 결과 $700^{\circ}C$에서 후열처리한 시편의 경우 $10^9$회 이상의 분극반전을 거듭하였을 때 분극값이 15% 감소하는 결과를 나타내었다.