천연, 합성 그리고 전자빔 조사 처리된 다이아몬드간의 분광학적 특성을 연구하기 위해 FTIR 실험을 수행하였다. 실험에 사용된 모든 다이아몬드 시료에서 다이아몬드 고유 흡수 피크와 다이아몬드 내 질소와 관련된 흡수피크가 잘 나타났다. 합성 다이아몬드는 고온고압과 관련된 $1344 cm^{-1}$와 $1128 cm^{-1}$ 흡수피크를 보여주며 합성 다이아몬드에서만 나타나는 $1050 cm^{-1}$ 흡수피크를 보여 천연 다이아몬드와 잘 구분이 된다. 전자빔 조사에 의한 청색 다이아몬드와 붕소함량에 의한 청색 다이아몬드는 Type (천연 : Type IIb, 전자빔 처리 : Type Ia)으로 구별이 된다. 그러나 방사선 조사된 다이아몬드에서 일반적으로 나타나는 $1450 cm^{-1}$ 흡수피크가 미약한 것은 방사선의 종류, 조사량과 어넬링 과정과 관련이 있는 것으로 사료된다.
전자빔 조사를 조사량에 따라 단계별로 수행하면서 전자빔을 조사하는 동안 다이아몬드 내에서 일어나는 질소관련 결함의 변화와 색상의 변화를 분광학적 방법으로 측정 분석하였다. 일반적으로 질소의 양이 적을수록 공공이 쉽게 생성되며 A집합체보다 B집합체가 많은 시료에서 공공이 빠르게 생성된다는 결과를 보였다. 그 이유로 공공의 생성 정도가 전자빔에 의해 파괴될 수 있는 크기를 가진 결함의 양 즉, platelets에 비례한다는 결론을 추론할 수 있었다. 그리고 조사량이 증가할수록 옅은 녹색을 지닌 청색에서 짙은 청색으로 변화한다. 이러한 청색의 발현은 GR1센터의 점진적인 증가로 GR1센터 흡수포논에 의한 흡수띠의 영역은 더욱 확장되어 가시광선이 투과하는 최고 파장대가 530 nm에서 500 nm로 이동하면서 나타나는 현상이다.
Defects formation of Chemical Vapor Deposition (CVD) diamond on $^4He^{2+}$ irradiation and after remote hydrogen plasma treatment(RHPT) were investigated by cathodoluminescence(CL). As calculated in the TRIM simulation, the light elements of $^4He^{2-}$ can be penetrated into the diamond bulk structure at 3~4 $\mu\textrm{m}$ depth. The effects of the implantation region were observed when 5 keV~20 keV electron energy (insight 0.3~4.0$\mu\textrm{m}$) of CL measurement was irradiated to diamond at temperature 80 K. After the RHPT, rehybridization of irradiation damaged diamond was studied. The intensity of 5RL center(intrinsic defect of C) was diminished. The 2.16 eV center (N-V center) occurring usually by annealing could not be seen after RHPT. The diamond was rehybridized by hydrogen radicals without etching and thermal degradation by the RHPT.
Nanodiamond (ND) is composed of inner diamond core and outer graphite shell. The size of ND used in this study was about 5 nm. The ND solution was dropped on silicon substrate and dried in air. Dried ND sample was purified by using annealing method in air. Then, 40 keV Fe ion was irradiated into the sample. The dose was varied from $1{\times}10^{14}$ to $1{\times}10^{16}ions/cm^2$. The post annealing was performed at 1073 K in the vacuum to recover diamond structure. The annealing at 873 K in air was performed to remove the outer graphite shell. The structure of ND was confirmed by X-ray diffraction (XRD) and Raman spectroscopy. We will present the detailed data and results in the conference.
다이아몬드는 radiation hardness가 크고, 화학적으로 안정하고, 특히 조직 등 물질이기 때문에, 선량계 분야에서 각광을 받고 있다. 화학증착법(CVD)에 의해 다이아몬드 박막을 성장시켰고, 선량계로 응용될 수 있는 열자극발광 특성을 조사하였다. 다이아몬드 박막의 라만 스펙트럼은 1332 cm-1에서 peak를 가졌고, X-선 굴절 패턴은 (111) 면을 보였다. 전자주사사진으로부터 다이아몬드박막은 pyramidal hillock을 가지는 unepitaxial crystallite 로 성장됨을 알았다. X-선 조사된 CVD 다이어몬드 박막의 파장 분해된 열자극발광은 430 nm 및 560 K에서 하나의 봉우리를 가졌다. 560 K에서 주된 봉우리를 가지는 CVD 다이어몬드 박막의 열자극발광 곡선은 1st-order kinetics에 기인한다. 이 봉우리의 활성화 에너지 및 이탈진동수는 각각 0.92 ~ 1.05 eV 및 1.34 $\times$$10^{7}$ sec$^{-1}$ 이다. 560 K에서 방출되는 스펙트럼은 1.63-eV, 2.60-eV 및 3.07-eV 방출 띠로 분해되며, 이들은 각각 silicon-vacancy center, A center 및 H3 center에 기인한다.
We have developed a photoemission-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition (PAPE-CVD) [1,2], in which photoelectrons emitting from the substrate surface irradiated with UV light ($h{\nu}$=7.2 eV) from a Xe excimer lamp are utilized as a trigger for generating DC discharge plasma as depicted in Fig. 1. As a result, photoemission-assisted plasma can appear just above the substrate surface with a limited interval between the substrate and the electrode (~10 mm), enabling us to suppress effectively the unintended deposition of soot on the chamber walls, to increase the deposition rate, and to decrease drastically the electric power consumption. In case of the deposition of DLC gate insulator films for the top-gate graphene channel FET, plasma discharge power is reduced down to as low as 0.01W, giving rise to decrease significantly the plasma-induced damage on the graphene channel [3]. In addition, DLC thickness can be precisely controlled in an atomic scale and dielectric constant is also changed from low ${\kappa}$ for the passivation layer to high ${\kappa}$ for the gate insulator. On the other hand, negative electron affinity (NEA) of a hydrogen-terminated diamond surface is attractive and of practical importance for PAPECVD, because the diamond surface under PAPE-CVD with H2-diluted (about 1%) CH4 gas is exposed to a lot of hydrogen radicals and therefore can perform as a high-efficiency electron emitter due to NEA. In fact, we observed a large change of discharge current between with and without hydrogen termination. It is noted that photoelectrons are emitted from the SiO2 (350 nm)/Si interface with 7.2-eV UV light, making it possible to grow few-layer graphene on the thick SiO2 surface with no transition layer of amorphous carbon by means of PAPE-CVD without any metal catalyst.
The purpose of this study was to evaluate the effect of the Nd : YAG laser on the tooth hypersensitivity by the observation of the morphological changes of the dentinal surface irradiated with Nd : YAG laser by use of SEM. In 40 mandibular and maxillary molars without any carious lesion or restoration, severe attrition and abrasion, Enamel was removed with fine grit diamond bur and exposed dentinal surfaces were polished with Soflex discs. In control group (10 teeth), exposed dentinal surfaces were acid-etched with 10 % Maleic acid for 15 seconds. In the experimental group 1 (10 teeth), acid-etched dentinal surfaces with 10% Maleic acid were prepared by Nd : YAG laser (6 watts power, 1 psi water, 18 psi air) for 2 minutes. In the experimental group 2 (10 teeth), exposed dentinal surfaces were irradiated with Nd: YAG laser (10 watts power, 3 psi water, 10 psi air) until the painted black stains on the dentinal surfaces were completely removed. In the experimental group 3 (10 teeth). dentinal surfaces were prepared with Nd : YAG laser (6 watts power, 1 psi water, 18 psi air) until the painted black stanins on them were completely removed and then the irradiated dentinal surfaces were acid-etched with 10 % Maleic acid for 15 seconds. The specimens were routinely processed and observed with scanning electron microscope. The results were as follows : 1. In the irradiated dentinal surfaces, the characteristics of the melting and recrystalization on the dentinal surfaces were observed. Compared with the results in the control group, we could observe that in the irradiated dentinal surfaces, the aperture of the dentinal tubules were reduced and there were more debris obstructing the dentinal tubules. 2. In the irradiated dentinal surfaces, crater structures were commonly present and in the crater bottoms, there were a lot of bead like melted dentin structures, which had the ruptured opening in the center of them. 3. The melted dentins and cracks in the smear layer were less frequently observed in the irradiated dentinal surfaces using copious cooling water than in the irradiated dentinal surfaces using scare cooling water.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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pp.543-546
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2005
We have investigated the alignment ability of multi-domains by using ion beam irradiation on diamond-like carbon (DLC) thin film layers. The DLC thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system and the low energy ion beam is irradiated from Kaufman type ion gun. The direction of liquid crystal alignment is varied by the direction of Ar ion beam irradiation.
Kim, Jong-Bok;Kim, Kyung-Chan;Ahn, Han-Jin;Hwang, Byung-Har;Baik, Hong-Koo
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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pp.378-380
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2005
Diamond like carbon (DLC) films are known that they show homogeneous alignment property when they are irradiated by Ar ion beam. The DLC films in most of studies were deposited by CVD and contain large mount of hydrogen. In order to identity the hydrogen effect on alignment property, DLC films is deposited by RF magnetron sputter using various ratio of Ar and H2 as reactive gas. DLC films are characterized by FT-IR, Raman and contact angle. Alignment property is estimated by measuring pretilt angle.
Most recently, the Liquid Crystal (LC) aligning capabilities achieved by ion beam exposure on the diamond-like carbon (DLC) thin film layer have been successfully studied. The DLC thin films have a high mechanical hardness, a high electrical resistance, optical transparency and chemical inertness. Nitrogen doped Diamond Like Carbon (NDLC) thin films exhibit properties similar to those of the DLC films and better thermal stability than the DLC films because C:N bonding in the NDLC film is stronger against thermal stress than C:H bonding in the DLC thin films. Moreover, our research group has already studied ion beam alignment method using the NDLC thin films. The nematic liquid crystal (NLC) alignment effects treated on the SiNx thin film layers using ion beam irradiation for three kinds of N rations was successfully studied for the first time. The SiNx thin film was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and used three kinds of N rations. In order to characterize the films, the atomic force microscopy (AFM) image was observed. The good LC aligning capabilities treated on the SiNx thin film with ion beam exposure for all N rations can be achieved. The low pretilt angles for a NLC treated on the SiNx thin film with ion beam irradiation were measure.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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