• 한국진공학회지
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• 제7권s1호
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• pp.106-117
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• 1998

Fluorocarbonated-SiO2 films were deposited on p-type Si(100) substrate using FSi$(OC_2H_5)_3$ (FTES), and $O_2$ mixture gases by a helicon plasms source. High density $O_2$/FTES/Ar plasma of ~$10^{12} \textrm{cm}^{-3}$ is obtained at low pressure (<3mTorr) with RF power above 900 W in the helicon plasma source. Optical emission spectroscopy (OES) is used to study the relation between the relative densities of the radicals and the film properties. The FTES and $O_2$ gases are greatly dissociated at the helicon mode that is launched at the above threshold plasma density. FTIR and XPS spectra shows that the film has Si-F, and C-F bonds during the formation process of the film which may lower the dielectric constant greatly. The relative dielectric constant, leakage current density, and dielectric breakdown voltage are about 2.8, $8\times10^{-9}\textrm{A/cm}^2$, and > 12 MV/cm, respectively.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1997년도 제13회 학술발표회 논문개요집
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• pp.220-220
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• 1997

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제36회 동계학술대회 초록집
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• pp.276.2-276.2
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• 2009

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1995년도 제9회 학술발표회 논문개요집
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• pp.86-86
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• 1995

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.186-187
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• 1998

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.95-96
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• 1998

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제11권11호
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• pp.161-164
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• 1998

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2002년도 제23회 학술발표회 초록집
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• pp.30-31
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• 2002

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.223-223
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• 2011

헬리콘 플라즈마는 자기장을 이용하여 높은 전자밀도를 가지게 하는 플라즈마 소스이다. 이러한 장점에도 불구하고, 전자석의 크기 때문에 설치가 어렵고, 전자석을 작동시키기 위해 추가 파워에 대한 비용이 필요하며, 플라즈마의 균일도가 좋지 않아 공정에서는 많이 사용되지 못하였다. 이러한 난점은 UCLA의 Chen이 영구자석을 이용한 새로운 개념의 소스를 개발함으로써 풀릴 수 있다. 이 소스는 헬리콘 플라즈마의 높은 저항을 이용하여 여러 개의 헬리콘 소스를 병렬로 연결이 가능하게끔 한다. 본 연구에서는 우선 Helic Code를 이용하여 floating metal end plate의 위치에 따른 플라즈마의 loading resistance를 계산한 후, 플라즈마의 internal 및 external parameter를 각각 single Langmuir probe와 VI-probe를 이용하여 측정하여 비교해 보았다. 헬리콘 플라즈마의 파장에 따른 보강간섭 조건을 맞췄을 경우, 헬리콘 모드로 전환이 낮은 파워에서 이루워지는 것을 external parameter를 통해 확인해 보았다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권8호
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• pp.607-612
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• 1998

RF HPCVD(Helicon Plasma Chemical Vapor Deposition) has been successfully constructed for diamond thin films. The system consists of plasma generation tube, deposition chamber, pumping lines for gas system. A mixture of $CH_4 and H_2$is used for reaction. Two thermocouples, a quartz tube surrounded by a RF antenna and a magnet, and a high temperature heater were set up in the deposition chamber. The process for the thin film diamond deposition has been carried put in a high vacuum system at a substrate temperature of $800^{\circ}C$, and pressure of 5 mtorr. It is also demonstrated. that the RF HPCVD system has advantages for controlling deposition parameters easily.