• 대한화학회지
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• 제35권6호
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• pp.765-767
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• 1991

• 대한화학회지
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• 제30권6호
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• pp.556-558
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• 1986

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권11호
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• pp.3838-3840
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• 2012

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제28권1호
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• pp.115-117
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• 2007

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제29권9호
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• pp.1784-1786
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• 2008

• 대한화학회지
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• 제41권10호
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• pp.552-556
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• 1997

• 대한화학회지
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• 제13권2호
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• pp.109-114
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• 1969

할로겐화 벤질의 할로겐 교환반응을 무수 아세톤에서 연구하였으며 반응속도상수 계산에는 새로 유도한 적분식을 사용하였다. 아세톤 용매 속에서의 할로겐 이온들의 친핵반응성은 90% 에탄올 용매속에서의 것과 정반대 순서이며 이것은 HSAB 원리와 할로겐 이온의 solvation으로 설명할 수 있었다. 아세톤 용매 속에서의 반응속도의 증가는 ${\Delta}H^\neq$의 감소보다는 ${\Delta}S^\neq$의 증가에 기인되며 또 전이상태의 solvation 현상도 그 원이이 될 수 있음을 논의하였다.

• 대한화학회지
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• 제41권9호
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• pp.449-459
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• 1997

알칼리 할로겐 분자내의 이온의 편극률을 Seitz와 Ruffa의 에너지 분석 관계식을 이용하여 계산하였다. Slater-Kirkwood 식에서 이용되는 유효전자수$(N_{eff})$값을 등전자 구조를 갖는 화학종에 사용하였다. 유효분산계수$(C_6^{eff})$는 원자-원자(혹은 분자)의 상호작용을 실험적으로 재현할 수 있도록 유효전자수를 예측하는 실험식(J. Chem. Phys. 1991, 95, 1852)을 이용하여 계산하였다. T-Rittner 모형의 틀속에서 모형 퍼텐셜을 구축하여 해리에너지와 쌍극자 모맨트를 계산하였다. 이 연구의 결과는 실험값과 좋은 일치를 보여 주었다.

• 한국고분자학회:학술대회논문집
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• 한국고분자학회 2006년도 IUPAC International Symposium on Advanced Polymers for Emerging Technologies
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• pp.325-325
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• 2006

Cationic polymerization of isobutyl vinyl ether using various metal halides was examined in toluene in the presence of an added base at $0^{\circ}C$. In conjunction with an appropriate weak base such as ethyl acetate or 1,4-dioxane, all metal halides but $FeBr_{3}\;and\;GaCl_{3}$ led to living cationic polymerization. The polymerization rates varied as follows: $FeBr_{3},\;GaCl_{3}\;>\;FeCl_{3}\;>\;SnCl_{4}\;>\;InCl_{3}\;>\;ZnCl_{2}\;>>\;AlCl_{3},\;HfCl_{4},\;ZrCl_{4}\;>\;EtAlCl_{2},\;BiCl_{3},\;TiCl4\;>>\;SiCl_{4}\;>\;GeCl_{4}$. This order partially corresponds to that of the equilibrium constant in the formation of a carbocation from a chloroalkane in the presence of a carbonyl compound. With extremely active Lewis acids, such as $FeBr_{3}\;and\;GaCl_{3}$, the use of a stronger base, THF, was required to achieve living polymerization.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권10호
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• pp.846-851
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• 2007

In this work, the etching characteristics of $Ge_2Sb_2Te_5(GST)$ thin films were investigated using an inductively coupled plasma (ICP) of $Cl_2/Ar$ gas mixture. To analyze the etching mechanism, an optical emission spectroscopy (OES) and surface analysis using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were carried out. The etch rate of the GST films decreased with decreasing Ar fraction. At the same time, high selective etch rate over $SiO_2$ films was obtained and the selectivity over photoresist films decreased with increasing the he fraction. From XPS results, we found that Te halides were formed at the etching surface and Te halides limited the etch rate of the GST films.