버섯 병 재배용 배지는 재료의 혼합, 수분조절, 입병, 살균, 냉각의 작업과정을 거쳐 조성된다. 배지조성은 버섯종류별로 알맞은 재료의 선택, 수분함량, 병당 입병량, 가비중, 질소량, 병내 배지의 3상조건 등을 매일 입병 작업하는 과정에서 연중 일정하게 유지해야 할 필요가 있다. 이를 위하여 지금까지 배지조성에 관하여 단편적으로 개발한 기술들을 작업과정에 맞추어서 종합적으로 투입하는 모델을 설정하였다. 배지조성 방법들을 종합적으로 적용함으로써, 우리나라에서 4계절을 통한 버섯 재배에서 균 배양기간, 재배기간, 수량 및 품질에 기복이 많았던 점을 극복할 수 있을 것으로 기대한다.
Nowadays migrations between the countries are getting each day more active and a mixture of people with different cultural backgrounds strengthens the hybridism, whereupon the point of view on the migration of Koreans has been changed from a diasporan perspective to an transnational one. The expansion of the transnationalism affects the identity of the subsequent generations of the immigration giving way to a psychologically deterritorialized social identity, which is an important consideration in the study of subsequent generations of the immigration. This study examined the Korean immigration history and the current status of the Korean community in Spain since the 1960s. The early immigrants like fishing vessel crew members, instructors of Taekwondo, chicken sexers who, despite the limits of foreigners in Spain, went to find out the source of life with no hesitation, overcame the difficulties of the early settlers and finally managed to achieve local success. Current history of immigration that began in the mid-1960s went through the maturity during the 1970s and 80s and the Koreans in Spain these days, who have undergone differentiation in the occupational structure because of the crisis of pelagic fisheries, face new challenges due to changes in the environment of the country they reside. The Korean community is regarded as an 'exemplary minority group (Model Minority)' even though it is a minority group in number. Now that the interest for overseas Koreans is higher than ever at home and abroad, due to the economic growth of the Republic of Korea, the spread of its cultural influence -the Korean Wave as proof-, and the overseas Koreans suffrage conducted, the research of the Korean residents in Spain will be important as an advanced research of an unexplored field, as well as an opportunity to broaden the horizons of the existing study area that has mainly dealt with major regions only.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $BaIn_2S_4$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $BaIn_2S_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $620^{\circ}C$ and $420^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $BaIn_2S_4$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $6.13{\times}10^{17}cm^{-3}$ and $222cm^2/v{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $BaIn_2S_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=3.0581eV-(3.9511{\times}10^{-3}eV/K)T^2/(T+536K)$. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $BaIn_2S_4$ have been estimated to be 182.7 meV and 42.6 meV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_5$ states of the valence band of the $BaIn_2S_4/GaAs$ epilayer. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_1$-, $B_1$-exciton for n = 1 and $C_{24}$-exciton peaks for n = 24.
$CuISe_2$ 단결정 박막은 수평 전기로에서 합성한 $CuInSe_2$ 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 $620^{\circ}C$, $410^{\circ}C$로 고정하여 단결정 박막을 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 선 요동곡선(DCRC) 으로 부터 구하였다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 293K에서 운반자 농도와 이동도는 각각 $9.62\times10^{16}/\textrm{cm}^3$, 296 $\textrm{cm}^2$/Vㆍs 였다. $CuAlSe_2$/Si(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293k에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap $E_g$(T)는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 1.1851 eV-($8.99\times10^{-4} eV/K)T^2$/(T+153k)였다. 광전류 스펙트럼으로 부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting Δcr값이 0.0087eV이며 spin-orbit Δso값은 0.2329 eV임을 확인하였다. 10K일 때 광전류 봉우리들은 n = 1일때 $A_1-, B_1$-와 $C_1$-exciton봉우리임을 알았다.
본 연구에서는 발모의 성장결여로부터 모내기의 천연성분에 의한 침투력, 침투면적, 모발성장속도, 모발의 수 및 표면에 미치는 영향에 관하여 조사를 수행하였다. 제모를 통한 모발의 성장 속도와 모내기의 피부 침투력, 약물도달 부위를 CLSM710 공초점 현미경으로 관찰하였는데, 고삼, 단삼 및 인삼의 혼합물인 모내기를 $10\;{\mu}g/mL$ 농도로 처리한 그룹에서는 정상군과 대조군과 비교시 $33{\pm}4$과 $60{\pm}6$ (AFI: 인위적 형광강도)인데 반해, 약 $6782{\pm}67$ AFI (인위적 형광강도)으로 약 205배와 113배의 침투능력을 나타내었고 면적은 정상군과 대조군은 각각 약 $22{\pm}3$와 $44{\pm}6$ AFI인데 반해 모내기군은 약 $5602{\pm}45$ AFI였고 각각 255배와 127배 정도 침투면적의 확대되었음을 관찰하였다. 또한 confocal LSM700으로 관찰한 결과 대조군은 진피층에 존재하는 collagen IV에서 아무런 녹색형광이 없는 반면 모내기군은 collagen IV이 함유한 진피층에서 강한 녹색형광이 관찰하였는데, 이는 모내기 주성분이 피부 진피층까지 도달한 것이라 사료되고 남자 15명과 여자 5명 중 20대 4명(20 %), 30대 10명(50 %), 그리고 40대 이상 6명(30 %)의 내원환자의 탈모의 털 직경과 표면, 탈모의 수, 그리고 발모의 수를 조사하여 본 결과 평균 약 75 % 개선효과를 나타내므로 모내기의 천연성분이 발모인자의 활성화를 촉진하여 모낭 성장을 촉진시키는 기능을 유도하리라 사료된다.
수학 학업성취도에 영향을 미치고 있는 교사의 성취압력과 열의는 끊임없이 변화하면서 수학 학업성취도 영향을 미치므로 그 변화양상이 학업성취도의 변화양상에 미치는 영향력을 살펴볼 수 있는 종단연구가 필요하다. 본 연구는 한국교육종단연구2013의 초등학교 5학년(2013년)부터 중학교 3학년(2017년)까지의 학생 데이터를 활용하여 수학 학업성취도에 대한 종단적인 변화양상이 유사한 하위 그룹으로 분류하여 그룹별 교사의 성취압력과 열의에 대한 종단적인 변화양상이 수학 학업성취도의 종단적인 변화양상에 미치는 영향력과 그 경로를 비교·분석하였다. 분석결과 수학 학업성취도의 종단적인 변화가 유사한 4개의 하위그룹 모두 교사의 성취압력은 초등학교 5학년부터 변화가 적은 반면에 교사의 열의는 초등학교 5학년부터 지속적으로 떨어지는 것으로 나타났다. 또한, 그룹별 학생들이 인지하는 교사의 성취압력과 열의가 수학 학업성취도에 미치는 영향력은 다르게 나타났다. 이것은 수학 학업성취도의 향상을 위해서는 학생들의 특성과 성향을 반영한 교수 학습의 지원이 필요하다는 것을 시사한다.
Objective : In the present study, we examined whether Canavalia gladiata D.C. (CG) and Arctium lappa L., Redix (AL) mixture (CGAL), their components, lupeol and chicoric acid, regulate immune system and suppress the tumor in vitro and in vivo. Methods : LPS-induced reactive oxygen species (ROS) and nitric oxide (NO) were measured after treatment with CG extract (CGE), CGAL, lupeol, chicoric acid and lupeol and chicoric acid mixture (lupeol+CA) in Raw264.7 cell. To determine the effect of CGE on immune responses, immune cell population and IgG production were assessed in mice. To investigate the effect of CGAL and their component on anti-tumor activity, tumor volume and weight were measured, cell cycles and immune cell population were analyzed in MC38 injected tumor bearing mice. Also, NK cell activity was determined in splenocyte isolated from tumor bearing mice. Results : CGE, CGAL, lupeol, chicoric acid and lupeol+CA decreased the LPS-induced ROS and NO production without cell toxicity in RAW264.7 cells. CGE increased the immune cell populations of $CD4^+T$, $CD8^+T$ and macrophages in various immune organ of mice. In tumor bearing mice, CGAL, lupeol, chicoric acid and lupeol+CA suppressed tumor volume and weight. In cell cycle analysis, they decreased the percentages of S phase. In addition, CGAL, lupeol, chicoric acid and lupeol+CA immune cell populations of $CD4^+T$, $CD8^+Tcell$, NK cell and macrophage in tumor as well as NK cell activity. Conclusion : CGAL and its compounds may enhance immune responses and suppress tumor growth, and may be capable of developing health functional foods.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $CdIn_2S_4$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $CdIn_2S_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-Insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The temperature dependence of the energy band gap of the $CdIn_2S_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation. $E_g(T)=2.7116 eV-(7.74{\times}10^{-4} eV)T^2/(T+434)$. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $CdIn_2S_4$ have been estimated to be 0.1291 eV and 0.0248 eV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_5$ states of the valence band of the $AgInS_2$/GaAs epilayer. The three photocurrent peaks observed at 10K are ascribed to the $A_1-$, $B_1-$, and C1-exciton peaks for n = 1.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $CuAlSe_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $CuAlSe_2$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $680^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $CuAlSe_2$ single crystal thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $9.24{\times}10^{16}\;cm^{-3}$ and $295\;cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuAlSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)\;=\;2.8382\;eV\;-\;(8.68{\times}10^{-4}\;eV/K)T^2/(T+155K)$. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $CuAlSe_2$ have been estimated to be 0.2026 eV and 0.2165 eV at 10K, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_5$ states of the valence band of the $CuAlSe_2$. The three photocurrent peaks observed at 10K are ascribed to the $A_1-$, $B_1-$, and $C_1$-exciton peaks for n = 1.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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