Hyun S. Myung;Lee, Hyuk M.;Kim, Sang S.;Jeon G. Han
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2001.11a
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pp.37-37
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2001
TiN coatings were applied for VarIOUS application fields, because of a good wear-resistance and a high hardness. Typically, TiN thin films show the hardness of 25GPa and friction coefficient of 0.6. However, in many field, one is looking for a more improved tool which has low friction coefficient and high wear resistance. The main motivation of this study is to characterize the influence of copper dopant content on TiN thin films. Ti-Cu-N thin films were deposited onto D2 steel substrates by PVD processing with various magnetron current densities (Cu contents). In this work, we synthesized titanium nitride films similar with reported typical titanium nitride films and synthesized Ti-Cu-N thin films with the addition of elemental copper which is measured improved hardness more than pure TiN films with copper content variables. This films has preferred oriented films of (111) direction. In addition, It was found that there is a strong correlation between content of various metal and film characteristics such as preferred orientation, grain size, hardness and friction coefficient and so, in future study, improved mechanical properties of TiN films can be controlled by change in target current density. The Ti-Cu-N film will show apparent hardness improvement and mechanical properties enhancement, when doping element is added onto TiN thin films. Film structure, chemical composition, mechanical properties were investigated by means of X-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM), transmission electron microscopy (TEM), energy dispersive spectroscopy(EDS), wear resistance tester and nanohardness tester.
A 30-kV plasma immersion ion implantation setup (P $I^3$) has been equipped with a self-developed 6'-magnetron to perform hard coatings with enhanced adhesion by P $I^3$D(P $I^3$ assisted deposition) process. Using ICP source with immersed Ti antenna and reactive magnetron sputtering of Ti target in $N_2$/Ar ambient gas mixture, the TiN films were prepared on Si substrates at different pulse bias and ion-to-atom arrival ratio ( $J_{i}$$J_{Me}$ ). Prior to TiN film formation the nitrogen implantation was performed followed by deposition of Ti buffer layer under A $r^{+}$ irradiation. Films grown at $J_{i}$$J_{Me}$ =0.003 and $V_{pulse}$=-20kV showed columnar grain morphology and (200) preferred orientation while those prepared at $J_{i}$$J_{Me}$ =0.08 and $V_{pulse}$=-5 kV had dense and eqiaxed structure with (111) and (220) main peaks. X-ray diffraction patterns revealed some amount of $Ti_{x}$$N_{y}$ in the films. The maximum microhardness of $H_{v}$ =35 GN/ $M^2$ was at the pulse bias of -5 kV. The P $I^3$D technique was applied to enhance wear properties of commercial tools of HSS (SKH51) and WC-Co alloy (P30). The specimens were 25-kV PII nitrogen implanted to the dose 4.10$^{17}$ c $m^{-2}$ and then coated with 4-$\mu\textrm{m}$ TiN film on $Ti_{x}$$N_{y}$ buffer layer. Wear resistance was compared by measuring weight loss under sliding test (6-mm $Al_2$$O_3$ counter ball, 500-gf applied load). After 30000 cycles at 500 rpm the untreated P30 specimen lost 3.10$^{-4}$ g, and HSS specimens lost 9.10$^{-4}$ g after 40000 cycles while quite zero losses were demonstrated by TiN coated specimens.s.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.36
no.6
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pp.582-587
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2023
The effects of the annealing temperature on the structural, morphological, and luminescent properties of SrWO4:Sm3+ thin films grown on quartz substrates by radio-frequency magnetron sputtering were investigated. The thin films were annealed at various annealing temperatures for 20 min in a rapid thermal annealer after growing the thin films. The experimental results showed that the annealing temperature has a significant effect on the properties of the SrWO4:Sm3+ thin films. The crystal structure of the as-grown SrWO4:Sm3+ thin films was transformed from amorphous to crystalline after annealing at 800℃. The preferred orientation along (112) plane and a significant increase in average grain size by 820 nm were observed with increasing the annealing temperature. The average optical transmittance in the wavelength range of 500~1,100 nm was decreased from 72.0% at 800℃ to 44.2% at an annealing temperature of 1,000℃, where the highest value in the photoluminescence intensity was obtained. In addition to the red-shift of absorption edge, a higher annealing temperature caused the optical band gap energy of the SrWO4:Sm3+ thin films to fall rapidly. These results suggest that the structural, morphological, and luminescent properties of SrWO4:Sm3+ thin films can be controlled by varying annealing temperature.
This experiment was conducted to investigate the direction or orientation of clay particle movement in argillic horizons (Bt) for clarifying the soil classification of soils. Soil samples were collected from 22 soil series containing Bt horizons. Physical and chemical characteristics and mineral and chemical compositions of clay in the soils were analyzed. Micoromorphological characteristics of the Bt horizons were also investigated with thin sections of the natural undisturbed and oriented soil samples. Average clay content in the Bt horizons was 28% and 1.33 times higher comparing to that in the surface layer. Soil pH was higher, but cation exchange capacity (CEC) and organic matter content were lower in Bt horizon than those in the surface layer. There was an evidence of clay accumulation in Bt horizons of all soil series examined except Bangog series. Although there was an increase of clay content in the horizons in Bangog series, the clay was not originated from illuviation process. The translocation of clay was in the order of an 2:1 expandable clay minerals > 2:1 non-expandable clay minerals > 1:1 clay minerals. The illuvial substances in argillic horizon were composed with clay, amorphous iron and opaque mineral. The micoromorphological features of Bt horizon were void coating, channel infilling and grain coating. There was an apparent boundary between clay coating and the groundmass in residuum and colluvium, but Bt horizon of alluvium was composed of a skew plane amputated by the physical operation.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.38
no.5
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pp.313-322
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2001
The effects of Zr/Ti concentration ratio in PLZT (10/y/z) thin films prepared by sol-gel method are investigated for the NVFRAM application. Rosette and pyrochlore phase are observed in PLZT (10/40/60) thin film and the (100) orientation, the grain size, and the surface roughness of PLZT thin films increase due to the increase of Ti amount in Zr/Ti concentration ratio. As Ti amount of Zr/Ti concentration ratio increases, the dielectric constants at 10KHz decrease from 600 to 400, while the loss tangents increase from 0.028 to 0.053 and the leakage current densities at 170 kY/cm decrease from 1.64$\times$10$^{-6}$ to 1.26$\times$10$^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$. In the results of hysteresis loops measured at $\pm$ 170 ㎸/cm, the remanent polarization and the coercive field increase from 6.62 to 12.86 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and from 32.15 to 56.45 ㎸/cm, respectively, according to the change from 40/60 to 0/100 in Zr/Ti concentration ratio. Fatigue and retention properties also improve much as the Zr/Ti concentration ratio change from 40/60 to 0/100. After applying 10$^{9}$ square pulses with $\pm$5V, the remanent polarization of the PLZT (10/40/60) thin film decreases 50% from the initial state while that of the PLZT (10/0/100) thin film decreases 30%. In the results of retention measurements of 10$^{5}$ s, the remanent polarization of the PLZT (10/0/100) thin film decreases only 11% from the initial state, while that of the PLZT (10/40/60) thin film decreases 40%.
Park, Sang-Uk;Choe, Jeong-Dong;Gwak, Jun-Seop;Ji, Eung-Jun;Baek, Hong-Gu
Korean Journal of Materials Research
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v.4
no.1
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pp.9-23
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1994
Epitaxial $CoSi_2$ layer has been grown on NaCl(100) substrate at low deposition temperature($200^{\circ}C$) by multitarget bias cosputter deposition(MBCD). The phase sequence and crystallinity of deposited silicide as a function of deposition temperature and substrate bias voltage were studied by X-ray diffraction(XRD) and transmission electron microscopy(TEM) analysis. Crystalline Si was grown at $200^{\circ}C$ by metal induced crystallization(M1C) and self bias effect. In addition to, the MIC was analyzed both theoretically and experimentally. The observed phase sequence was $Co_2Si \to CoSi \to Cosi_2$ and was in good agreement with that predicted by effective heat of formation rule. The phase sequence, the CoSi(l11) preferred orientation, and the crystallinity had stronger dependence on the substrate bias voltage than the deposition temperature due to the collisional cascade mixing, the in-situ cleaning, and the increase in the number of nucleation sites by ion bombardment of growing surface. Grain growth induced by ion bombardment was observed with increasing substrate bias voltage at $200^{\circ}C$ and was interpreted with ion bombardment dissociation model. The parameters of $E_{Ar}\;and \alpha(V_s)$ were chosen to properly quantify the ion bombardment effect on the variation in crystallinty at $200^{\circ}C$ with increasing substrate bias voltage using Langmuir probe.
We have studied general orientational characteristics of microcracks distributed in Tertiary crystalline tuff from the northeastern part of the Gyeongsang Basin. 108 sets of microcracks on horizontal surfaces of 6 rock samples from Heunghae-eup and Cheongha-myeon, Pohang-si areas were distinguished by image processing. Those microcrack sets show a distinct linear array in 38 images. Whole domain of the directional angle(${\theta}$)-frequency(N) chart for crystalline tuff can be divided into 20 domains in terms of the phases of the distribution of microcracks. From the related chart, microcrack sets show preferred orientation which are coincident with the direction of vertical common joints. Consequently, the potential for macroscopic vertical joints in a rock body can be inferred from the directional angle showing high frequency in each domain of the related chart. This joint pattern is nearly the same in Mesozoic granites from Seokmo-do, Gwanghwa-gun. From the rose diagram for orientations of microcrack in crystalline tuff, orientations of dominant sets of microcracks in terms of frequency orders reflect representative orientations of maximum principal stress acted on crystalline tuff. Meanwhile, orientations of microcracks in crystalline tuff were compared with those of open microcracks in Bulgugsa granites from the southwestern part of the Gyeongsang Basin, and vertical rift/grain planes from Mesozoic granite quarries in Korea. In regional distribution chart, the agreement of distribution pattern between above two types of microcrack sets and vertical planes suggests that microcrack systems developed in crystalline tuff probably occur regionally in Mesozoic granites in Korea.
A sand shoal (1300 m long and 400 m wide) with an orientation of north-south is formed on the lower tidal flat of Gomso Bay, southwestern coast of Korea. Surface bedforms, sedimentary structures, sedimentation rate, grain size distribution and can-corer sediments have been measured and analysed along the sand shoal proper zone B and its offshore zone A and onshore zone C during the period of 14 months. These three zones can be differentiated based on sedimentological characteristics: A zone - fine sand (3${\varphi}$ mean), linguoid-type ripples, 70 mm/month in sedimentation rate and no bioturbation, B zone - medium sand (2.5${\varphi}$ mean), dunes (4${\sim}$5 m in wavelength), 30 mm/month in sedimentation rate and no bioturbation, and C zone - coarse silt (5${\varphi}$ mean), sinuous-type ripples, 10 mm/month in sedimentation rate and well-developed bioturbation. These characteristics indicate that the zone C represents a relatively low-energy regime environment whereas the zone A corresponds to a relatively high-energy environment. The zone B would play an important role for a barrier to dissipate the approaching wave energy, resulting in maintaining of low-energy conditions in the inner part of Gomso-Bay intertidal flat behind.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.44
no.5
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pp.1-7
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2007
AZO thin films have been fabricated on quartz substrate with various Al doping concentrations and annealing temperatures by sol-gel method. The bset condition of (002) orientation and smooth surface (rms = 1.082 nm) is obtained for the AZO thin film doped with 1 mol % Al and annealed at 550 $^{\circ}C$. The optical transmittance of AZO thin films is higher than 80 % in the visible region. We observe that the energy band gap extends with increasing the Al doping concentration. This phenomenon is due to the Burstein-Moss effect. Through the measurement of Hall effect, it is observed that the AZO thin film has larger carrier concentration and smaller electrical resistivity than the pure ZnO thin film. However, the AZO thin film shows the decrease of carrier concentration and the increase of resistivity with the increase of Al concentration, that is due to the segregation of Al at grain boundaries. The maximum carrier concentration of $1.80{\times}10^{19}\;cm^{-3}$ and the minimum resistivity of 0.84 ${\Omega}cm$ are obtained for the AZO thin film doped with 1 mol % Al and annealed at 550 $^{\circ}C$.
We fabricated $YBa_2Cu_33O_{7-x}$(YBCO) films on(00l) $LaAlO_3$ substrates prepared by metal organic deposition(MOD) method using trifluoroacetate(TFA) solution and evaluated the effects of the humidity on the microstructure, phase purity, and critical properties. The films calcined at $430^{\circ}C$ were fired at $775^{\circ}C$ at 0%, 4.2%, 12.1%, and 20.0% humidified As gas mixed with 0.1% $O_2$. We observed that the amount of $BaF_2$ phase was effectively reduced and that a sharp and strong biaxial texture formed under a humidified atmosphere, leading to increased critical properties. For the films fired at 0% humidity, the $T_c\;and\;I_c$ were undetectably small. When the humidity was increased to 4.2%, the corresponding $T_c$(onset) and $I_c$ were increased to 90.5 K and 8 A/cm-width, respectively. For the films at the humidity range of 12.1-20.0%, the $I_c$ was found to be 35 A/cm-width. According to the results of the XRD, pole-figure, and SEM, these improved critical properties are probably attributed to the formation of a purer YBCO phase, larger grain size, and stronger c-axis orientation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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