This study was to add crushed frit with different grain sizes to 3Y-TZP so that it could determine the mechanical properties depending on sintering temperature. In this study, 3 types specimens were prepared in powder with respective additions of 20wt.% frit, which was sized through 24-, 48- and 72-hour ball milling with zirconia. Then, sintered pellets were tested in experiments under the temperature variations for different compositions. As a result, this study came to the following findings: 1. It was found that the higher sintering temperature and the longer ball milling time of frit led to the higher sintered density. 2. Bending strength tended to increase with higher sintering temperature and longer ball milling time of frit. 3. Hardness tended to increase with higher sintering temperature and longer ball milling time of frit. 4. However, it was found that fracture toughness didn't vary significantly depending on sintering temperature. From these findings, it was concluded that the smaller frit grain size and the narrower particle size distribution of frit lead to the better mechanical properties.
$SiO_2$, $B_2O_3$, $Al_2O_3$, CaO, MgO, $Na_2O$, $ZrO_2$, $Bi_2O_3$를 이용하여 성질이 다른 두 종류의 무연계 프릿트를 제조하여 특성을 표준화 하였고, 이들 무연계 프릿트를 이용하여 Ag계 도체 및 $RuO_2$계 저항페이스트롤 제조하여 특성에 미치는 프릿트 조성의 영향을 연구하였다. $B_2O_3$를 첨가하여 퍼짐특성이 큰 프릿트의 경우 더 우수한 페이스트 특성을 나타내었다.
Abstract: The effect of lead free glass frit compositions on the properties of thick film conductor and resistor pastes were investigated. Two types lead free frits, HBF-A(without $Bi_2O_3$) and HBF-B(with $Bi_2O_3$) were made from $SiO_2$, $B_2O_3$, $Al_2O_3$, CaO, MgO, $Na_2O$, $K_2O$, ZnO, MnO, $ZrO_2$, $Bi_2O_3$. And Ag based conductor pastes and $RuO_2$ based resistor paste were prepared by mixed with these frits and functional phase(Ag and $RuO_2$), and organic vehicle. The properties of thick film conductor and resistor sintered at $850^{\circ}C$ were studied after printing on $Al_2O_3$ substrate. The morphology of the sintered films surface were SEM and EDS were carried out to analysis the chemical composition on resistor surface and state of Ru atom in frit matrix.
Devitrifing solder glasses in a specific group of glass ceramic materials are extensively used in hermetically sealing alumina electronics packages. Preferred frit glass compositions of this study consist of 37~40wt% PbO, 35~40wt% ZnO, 18~20wt% B2O3, 1~3wt% SiO2, 0~6wt% TiO2. The coated frit glasses crystallize during firing and form a strong hermetic seal. DTA and X-ray diffraction were used to characterize crystallization of the glass frit. Frit seal containing 2wt% TiO2 has crystallization temperature of 550~57$0^{\circ}C$ with surface nucleation. Frit seal containing 6wt% TiO2 has crystallization temperature of 515~5$25^{\circ}C$ with bulk nucleation, and the main crystalline phase was perovskite lead titanate having minus expansion coefficient. The average activation energy for the crystallization calculated from Ozawa equation was 65$\pm$10kcal/mol.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.373-376
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2008
New glass compositions for lead free, low temperature sealing glass frit was examined in $ZnO-V_2O_5-P_2O_5$ glass system which can be used sealing material for PDP to be made of soda lime glass substrates. Among many glass compositions, KFS-C glass showed low glass transition point (Tg) and good fluidity and adhesion characteristics when it was tested by flow button method at low temperature of $420^{\circ}C$. Its Tg was $317^{\circ}C$ and thermal expansion coefficient (CTE) was $70{\times}10^{-7}/K$. The glass frit was mixed with an organic vehicle to make a paste and it was dispensed and sealed with soda lime glass substrates at $420^{\circ}C$ for 10min. Sealed glass panels also showed good adhesion strength even sealed at low temperature of $420^{\circ}C$.
ZnO varistor ceramics were fabricated with variation of addition of glass-frit amount and the sintering temperature was $1100^{\circ}C$. The average grain sizes were showed increased from $8.6{\mu}m\;to\;10{\mu}m$, and varistor voltages were decreased from 506V to 460V by added amount of glass-frit. Nonlinear coefficient $\alpha$, of all were with increasing the amount of glass-frit more than 70, in case of added on $0.03wt\%$ glass-frit was 83. And leakage current were less than $1{\mu}A$ with applied at $82\%$ of varistor voltage. The clamping voltage ratio of the specimens added $0.03wt\%$ glass-frit was 1.41 at applied 25A $[8/20\;{\mu}s]$. In the specimen added $0.03wt\%$ glass-frit, endurance of surge current and deviation of varistor voltage were $6200A/cm^2,\;\Delta-1.67\%$, respectively and clamping voltage ratio was 2.33. In the Specimen added $0.03wt\%$ glass-frit were superior to any other compositions on High Temperature Load Test(HTLT) for 1000 hr at $85^{\circ}C$, and deviation of the varistor voltage were $\Delta-1.29\%$.
Effective glass frit compositions enabled to absorb laser energy, and to seal a commercial dye-sensitized solar-cell-panel substrate were developed by using $V_2O_5$-based glasses with various amounts of $TeO_2$ substitution. The latter was intended to increase the lifetime of the solar cells. Substitution of $V_2O_5$ by $TeO_2$ provided a strong network structure for the glasses via the formation of tetrahedral pyramids in the glass, and changed the various glass properties, such as glass transition temperature ($T_g$), dilatometric softening point ($T_d$), crystallization temperature, coefficient of thermal expansion (CTE), and glass flowage without any detrimental effect on the laser absorption property of the glasses. The thermal expansion mismatch (${\Delta}{\alpha}$) between the glass frit and the substrate could be controlled within less than ${\pm}5%$ by addition of 10 wt% of ${\beta}$-eucryptite. An 810 nm diode laser was used for the sealing test. The laser sealing test revealed that the VZBT20 glass frit with 10 wt% ${\beta}$-eucryptite was successfully sealed the substrates without interfacial cracks and pores. The optimum sealing conditions were provided by a beam size of 3 mm, laser power of 40 watt, scan speed of 300 mm/s, and 200 irradiation cycles.
Effects of chemical compositions on the sintering behavior of the lead borosilicate glass developed for barrier ribs of plasma display panels were investigated in this study. Formation of pores during sintering of the glass was noted and their formation mechanism was investigated using XPS, TG/DTA, and XRD. The results indicated that pores are formed by the oxygen released from Pb-oxides during sintering.
PbO 77-80wt%, ZnO 4.5-6wt%, $B_2O_3$ 7.5-8.5wt%, $TiO_2$ 3-7wt%, $P_2O_5$ 0.5-2wt%의 조성을 갖는 IC Package봉착용 저융점($400-460^{\circ}C$) 결정화유리 frit를 제조하였다. DTA-TMA, X-선 회절분석, SEM 등을 이용하여 봉착용 유리의 결정화 특성을 연구하였다. $TiO_2$ 함량이 3wt% 함유시료는 $420-440^{\circ}C$에서 $2PbO{\cdot}ZnO{\cdot}B_2O_3$의 결정이 균일성장하였다. $TiO_2$ 함량이 4wt% 첨가된 시료는 $420-440^{\circ}C$에서 $2PbO{\cdot}ZnO{\cdot}B_2O_3와\;PbTiO_3$ 결정이 섞여서 혼합결정을 이루고 있었다. 또한 $TiO_2$ 5wt% 첨가된 시료는 $440-460^{\circ}C$에서 perovskite $PbTiO_3$ 결정만 석출되었다.
We designed new compositions for lead free and low temperature sealing glass frit of $ZnO-V_2O_5-P_2O_5$ system, which can be used for PDP (Plasma Display Panel) or other electronic devices. The $ZnO-V_2O_5-P_2O_5$ system can be used as a sealing material at temperatures even lower than 430$^{\circ}C$. This system, however, showed lower bonding strength with glass substrate compared to commercialized Pb based sealing materials. So, we added $TiO_2$ as a promoter for bonding strength. We examined the effect of $TiO_2$ addition on sealing behaviors of $ZnO-V_2O_5-P_2O_5$ glasses with the data for flow button, wetting angle, temporary & permanent residual stress of glass substrate, EPMA analysis of interface between sealing materials and glass substrate, and bonding strength. As a result, sealing characteristics of $ZnO-V_2O_5-P_2O_5$ system glasses were improved with $TiO_2$ addition, but showed a maximum value at 5 mol% $TiO_2$ addition. The reason for improved bonding characteristics was considered to be the chemical interaction between glass substrate and sealing glass, and structural densification of sealing glass itself.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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