Phosphorus is known to pile-up at the silicon surface when it is thermally oxidized. A thin layer, about 40nm thick from the silicon surface, is created containing more phosphorus than the bulk of the emitter. This layer has a gaussian profile with the peak at the surface of the silicon. In this study the pile-up effect was studied if this layer can act as a front surface field for solar cells. The effect was also tested if its high dose of phosphorus at the silicon surface can lower the contact resistance with the front metal contact. P-type wafers were first doped with phosphorus to create an n-type emitter. The doping was done using either a furnace or ion implantation. The wafers were then oxidized using dry thermal oxidation. The effect of the pile-up as a front surface field was checked by measuring the minority carrier lifetime using a QSSPC. The contact resistance of the wafers were also measured to see if the pile-up effect can lower the series resistance.
탄소나노튜브는 우수한 전기적 특성과 전계를 집중시킬 수 있는 높은 종횡비 그리고 뛰어난 열적 안정성 때문에, 높은 전류밀도와 낮은 구동전압 그리고 긴 수명시간과 같은 우수한 전계 방출 특성을 구현할 수 있는 재료이다. 탄소나노튜브를 이용하여 전계방출원을 제작하기 위해서는 금속전극에 탄소나노튜브를 고정시켜야 한다. 이때 금속과 탄소나노튜브 사이의 접촉문제가 필수적인데, 본 실험에서는 그래핀을 계면으로 사용함으로써 본 문제를 해결하였다. 이러한 시도는 금속과 탄소나노튜브 사이에 우수한 전기적 열적 계면을 형성함으로써 기존 전계방출원보다 뛰어난 전계방출 성능을 얻을 수 있게 하였다. 본 연구를 통해 탄소나노튜브 전계방출원을 전자 추진원으로의 응용이 기대된다.
The effect of titanium (Ti) coating over the surface of carbon nanotubes (CNTs) on field emission characteristics was investigated. Since the work function of CNTs emitter is about 5.0 eV, field emission would be observed at lower voltage if this work function gets lower. Work function of Ti is approximately 4.09eV. Field emission characteristics of as-grown and Ti-coated CNTs were measured in a diode-type configuration. The resultant emission characteristics revealed that thin($50{\AA}$-thick) Ti-coated CNTs could be a better electron emitter with lower emission voltage and higher emission efficiency.
한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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pp.60-63
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2004
Recently, carbon nanotubes(CNTs) have been demonstrated to possess remarkable mechanical and electronic properties, in particular, for field emission applications. Its high aspect ratio and extremely small diameter, hollowness, together with high mechanical strength and high chemical stability, are advantages for use in field emitter. In this paper, we demonstrate electrical discharge properties from carbon nanotube cathode electrodes to use as an emitter electrode of vacuum gauges. Vertically aligned $2{\times}2mm^2$ CNT arrays on the silicon substrate were synthesized by the thermal CVD method on Fe catalytic metal, and a glass patterning by the sand blast method and the silicon/glass anodic bonding processes were applied to make samples with 2 electrodes. The field emission was examined under the vacuum range of $10^{-3}$ Torr.
The characteristic of single wall carbon nanotube (SW-CNT) and herringbone nano fiber (HB-CNF) emitters was described. SW-CNT synthesized by arc discharge and HB-CNF prepared by thermal CVD were mixed with binders and conductive materials, and then were formed by screen-printing process. In order to obtain efficient field emissions, the surface treatment of rubbing & peel-off was applied to the printed CNT and CNF emitters. The basic structure of FED was of a diode type through fully vacuum packaging. Also, we proposed a new triode type of field emitter using a mesh gate plate having tapered holes and could achieve the ideal triode properties with no gate leakage currents.
There have been several methods to fabricate carbon nanotube (CNT) emitters, which include as-grown, spraying, screen-printing, electrophoresis and bonding methods. Unfortunately, these techniques generally suffer from two main problems. One is a weak mechanical adhesion between CNTs and the cathode. The as-grown, spraying and electrophoresis methods show a weak mechanical adhesion between CNTs and the cathodes, which induces CNT emitters pulled out under a high electric field. The other is a severe degradation of the CNT tip due to organic binders used in the fabrication process. The screen-printing method which is widely used to fabricate CNT emitters generally shows a critical degradation of CNT emitters caused by the organic binder. Such kinds of problems induce a short lifetime of the CNT field emitters which may limit their practical applications. Therefore, a robust CNT emitter which has the strong mechanical adhesion and no degradation is still a great challenge. Here, we introduce a simple and effective technique for fabrication of CNT field emitter, namely filtration-taping-transfer method. The CNT emitters fabricated by the filtration-taping-transfer method show the low turn-on electric fields, the high emission current, good uniformity and good stability. The enhanced emission performance of the CNT emitters is mainly attributed to high emission sites on the emitter area, and to good ohmic contact and strong mechanical adhesion between the emitters and cathodes. The CNT emitters using a simple and effective fabrication method can be applied for various field emission applications such as field emission displays, lamps, e-beam sources, and x-ray sources. The detail fabrication process will be covered at the poster.
Boron nitride (BN) and carbon nitride (CN) films, which have relatively low work functions and commonly exhibit negative electron affinity behaviors, were coated on carbon nanotubes (CNTs) by magnetron sputtering. The CNTs were directly grown on metal-tip (tungsten, approximately 500nm in diameter at the summit part) substrates by inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD). The variations in the morphology and microstructure of CNTs due to coating of the BN and CN films were analyzed by field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM). The energy dispersive x-ray (EDX) spectroscopy and Raman spectroscopy were used to identify the existence of the coated layers (CN and BN) on CNTs. The electron-emission properties of the BN-coated and CN-coated CNT-emitters were characterized using a high-vacuum field emission measurement system, in terms of their maximum emission currents ($I_{max}$) at 1kV and turn-on voltage ($V_{on}$) for approaching $1{\mu}A$. The results showed that the $I_{max}$ current was significantly increased and the $V_{on}$ voltage were remarkably reduced by the coating of CN or BN films. The measured values of $I_{max}-V_{on}$ were as follows; $176{\mu}A$-500V for the 5nm CN-coated emitter and $289{\mu}A$-540V for the 2nm BN-coated emitter, respectively, while the $I_{max}-V_{on}$ of the as-grown (i.e., uncoated) emitter was $134{\mu}A$-620V. In addition, the CNT emitters coated with thin CN or BN films also showed much better long-term (up to 25h) stability behaviors in electron emission, as compared with the conventional CNT emitter.
Photosensitive carbon nanotube (CNT) pastes are explored to develop a CNT field emitter for field emission display (FED) application. We formulated a photosensitive paste including multi-walled CNTs (MWNTs) for screen printing. The photosensitive CNT paste was synthesized by mixing of MWNTs, inorganic fillers (nano metal), organic vehicle, monomers and photo initiator. The CNT paste films were patterned by using backside exposure technique. The CNTs were strongly fixed on a cathode by formation of carbon residue during firing process. For the CNT emitters, current-voltage(I-V) characteristics and images of field emission were evaluated. The emission properties of CNT emitters are dependent on the paste composition. A turn-on electric field for the CNT field emitters is measured to be 1 V/$\mu$m. Additionally, the effect of heat treatment parameter on field emission properties was discussed. The newly formulated photosensitive CNT paste can be potentially applicable to highly reliable CNT field emitters.
The influence of ambient gases on field emission performance of Mo-field emitter array(FEA) in the frit-sealing step of field emission display(FED) packaging process was investigated. Mo-tip FEA was mounted on the glass substrate having a surrounded frit(Ferro FX11-137) and fired at $415^{\circ}C$ in the ambient gases of air, $N_2$ and Ar. The Ar gas was proved to be most proper ambient among the used gases through evaluating the turn-on voltage and field emission current of the fired Mo-tip FEA devices. It was confirmed that the Mo surface fired in Ar ambient was less oxidized when compared with another ones annealed in air and Ar ambient by the AFM, XPS, AES and SIMS analysis. Finally, the 3.5 inch-sized Mo-tip FED, which was packaged using frit-sealing process in the Ar ambient, was proposed.
Kim, Ki-Seo;Ryu, Je-Hwang;Lee, Chang-Seok;Manivannan, S.;Moon, Jong-Hyun;Ahn, Jung-Sun;Jang, Jin;Park, Kyu-Chang
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.782-785
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2007
We studied the effect of current-aging on field emission from carbon nanotubes field emitter arrays (CNT-FEAs) selectively patterned by the resist-assistan tpatterning(RAP) process. After sustaining the electric field when starting emission current density $(J_s)$ is $0.1\;mA/cm^2$ during 40 hrs, it was observed that the field emission property and uniformity were remarkably improved due to the elimination of oxygen atom and thus the reconstruction of carbon bonding at the tip of CNTs during field emission.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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