• 대한한의학회지
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• 제44권3호
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• pp.102-116
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• 2023

Objectives: To provide a case report of effective use of Korean herbal medicine treatment to reduce the development and progression of normal-tension glaucoma(NTG). Methods: This case involved a 52-year-old patient who had a history of excimer laser surgery at the age of 25 and was using prescriptions such as Cosopts2 and Xalatan for eye drops. We treated this patient with Korean herbal medicine treatment for 2 years and assessed the progression of NTG based on the optical coherence tomography test results that he recevied at the ophthalmology clinic every 6 months. Results: During the two years of treatment with Korean herbal medicine, it was observed that the progression of NTG was halted. However, after discontinuing the Korean herbal treatment, the progression resumed. Conclusion: Korean herbal medicine treatment was found to be effective in treating normal tension glaucoma, and a minimum treatment period of two years is necessary for an accurate evaluation of NTG.

• 한국공작기계학회논문집
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• 제14권2호
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• pp.33-41
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• 2005

ZnO epilayer was synthesized by the pulsed laser deposition(PLD) process on Al$_2$O$_3$ subsorte after irradiating the surface of ZnO sintered pellet by ArF(193nm) excimer laser. The epilayers of ZnO were achieved on sapphire(A1203) substrate at the 境mperature of 400$^{circ}$C. The crystalline structure of epilayer was investigated by the Photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD). The carrier density and mobility of ZnO epilayer measure with Hall effect by van der Pauw mothod are $8.27\times$1016cm$^{-3}$ and 299 cm$^{2}$/V$\cdot$s at 293 K respectively, The temperature dependence of the energy band gap of the ZnO obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, E$_g$(T)= 3.3973 eV - ($2.69\times$ 10$^{-4}$ eV/K)T$^{2}$/(T + 463K). After the as-grown ZnO epilayer was annealed in Zn atmospheres, oxygen and vaccum the origin of point defects of ZnO atmospheres has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10K. The native defects of V$_{Zn}$, V$_{O}$, Zn$_{int}$, and O$_{int}$ obtained by PL measurements were classified as a donor or acceptor type. In addition we concluded that the heat-treatment in the oxygen atmosphere converted ZnO thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that vacuum in ZnO/Al$_2$O$_3$ did not firm the native defects because vacuum in ZnO thin films existed in the form of stable bonds.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.323-324
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• 2011

현재 많은 blue LED소자의 제작 공정과 소자 표면에 texturing하는 과정이 보고되어 있다. 그 중n층이 위로 올라오는 수직형 LED 구조로 인해 표면 texturing 기술은 빛의 발광 효율을 증가 시킬 수 있는 중요한 기술 중 하나가 되었다. 1 이 연구에서, 우리는 InGaN을 바탕으로 한 LED 소자의 표면 roughening을 건식과 습식 공정을 모두 거치는 과정을 통하여 소자의 발광 효율을 높이는 시도를 하였다. 최근 전도성 물질 기판 위에 증착 되어 있는 수직형 LED 소자 2,3,4는 과거의 사파이어 기판 위에 증착 되어 있는 형태의 LED 소자에 비해 우수한 소자 특성을 보인다. 이는 과거 사파이어 기판을 사용함으로써 낮은 열적 특성과 더불어 전기 정도성에 몇 가지 제약을 초래하게 되었기 때문이다. 반면, 전도성 기판은 LED 구조의 back side ohmic contact을 가능하게 하였고, 더 나은 확산 특성을 보여 주었고 작동 전압 또한 감소 하였다. N층이 위에 있는 수직형 LED 소자는 KrF pulsed excimer laser로 인해 실현 되었다. 이 laser 빛이 투명한 사파이어 기판을 통해 얇은 GaN층에 입사되면, 기판과 GaN가 분리된다. 이 레이저 기술은 laser lift-off(LLO)로 성장된 기판으로부터 LED 구조를 분리하는데 성공하게 하였다. 우리는 건식 식각 공정을 이용하여 n 층이 위에 올라와 있는 구조인 수직형 LED 소자에 roughening을 주고 다시 이 표면에 습식 식각 공정을 적용하여 거친 부분의 거칠기를 또 한번 증가시켰다. 그리고 이 거칠어진 표면은 이 공정이 진행 되기 전의 소자에 비해 빛의 발광 효율이 증가 되었다. 이 두 공정을 포함한 식각 공정은 두 가지 장점이 생겼는데, 한가지는 GaN에서 외부로 방출할 수 있는 표면 지역이 증가되었고, 다른 한가지는 가파른 거칠기 특성으로 인해 critical angle을 증가시킨 것이다.

• 한국자기학회지
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• 제15권1호
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• pp.21-24
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• 2005

강자성, 초거대자기저항체인 $La_{0.67}Sr_{0.33}MnO_{3}$ 타겟을 이용하여 248nm의 파장을 갖는 KrF 엑시머 레이저를 사용한 PLD법으로 박막으 제작하고, 강유전체 물질인 $PbZr_{0.52}Ti_{0.48}O_{3}$ 물질을 spin coating 방법으로 제조하였다. Pt 기관(111)위에 125 mtorr의 산소분압으로 증착한 rhombohedral 구조를 갖는 LSMO 박막을 증착하고 그 위에 PZT 물질을 증착한 결과 LSMO, PZT en 물질 모두 단일상으로 [111]방향으로서의 성장하였음을 알 수 있었다. AFM(atomic force micrscope) data 및 SEM(scanning electron microscope) data를 바탕으로 매우 균질한 박막을 얻었음을 알 수 있었으며, 이때의 자기적 성질 및 전기적 성질은 각각 강자성적인 성질 및 강유전체적인 성향을 나타내었다. 이러한 결과를 가지고 박막증착에 있어서 서로간의 결정구조가 미치는 영향과 다른 경향에 대한 조절이 가능함을 알 수 있었다.

• 센서학회지
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• 제7권1호
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• pp.67-72
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• 1998

Plused ArF excimer laser ablation과 열증착법에 의해 p형 Si 기판위에 PbTe/CuPc 박막을 증착하였다. 성장된 박막의 구조적, 전기적 특성은 XRD, 전류-전압 곡선등의 분석으로 행하였다. XRD 분석으로부터 PbTe박막과 CuPc 박막은 a 축의 배향성을 지닌 박막으로 성장하였음을 알 수 있었다. PbTe/CuPc/Si 박막의 광전특공을 조사하기 위하여 빛을 조사했을 때와 빛을 조사하지 않았을 때의 수직방향의 전류-전압 (I-V) 특성을 CuPc/Si, PbTe/Si 단층막의 특성과 비교 관찰하였다. PbTe/CuPc/Si 박막에서 단축 광전류 ($J_{sc}$)가 $25.46\;mA/cm^{2}$, 개회로 광전압 ($V_{oc}$)이 170 mV인 커다란 광기전력 특성을 나타내었다. 또한 양자효율 (QE)은 15 %, 광전변환효율 (${\eta}$)은 $3.46{\times}10^{-2}$로 측정되었다. QE와 ${\eta}$를 기초로 한 PbTe/CuPc/Si 접합과 광전류 과정은 CuPc 층에서의 광캐리어 생성, PbTe/CuPc 계면에 의 광캐리어 분리 그리고 PbTe층에서의 광캐리어 운송 역할이 효율적으로 수행된 결과임을 알 수 있었다.

• 대한화학회지
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• 제37권3호
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• pp.271-278
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• 1993

유기용매인 2-propanol, 2-pentanol 또는 benzene에 triethylamine을 혼합시켜 phenanthrenequinone을 포화시킨 용액에 Excimer laser(XeCl)를 쪼인 광환원반응에서 생성된 음이온 라디칼의 초미세 분리상수 전자스핀 공명분광법과 시간분애 전자스핀 공명분광법을 이용하여 얻었다. 그 결과 초미세분리상수 A$_{H1}$과 A$_{H2}$는 2-propanol에서 1.662, 0.378, 2-pentanol에서 1.602, 0.361 G이었고, benzene에서는 A$_{H1}$은 1.518이었다. 이와같이 혼합용매의 극성이 감소함에 따라 초미세 분리상수는 감소하였고, 비극성인 벤젠 혼합용매하에서는 자기적 등가양성자에 의한 작은 초미세분리(A$_{H2}$)는 측정할 수 없었다. 특히 2-pentanol과 triethylamine과의 3:1 혼합용매하에서 trietylamine radical(TEA${\cdot}$)이 0.15~0.30${\mu}s$ 시간범위의 시간분해 전자스핀공명 스펙트럼에서 phenanthrenequinone 음이온 라디칼과 함께 측정되었다. 이와같은 용매효과의 시간분해 전자스핀공명 스펙트럼의 측정 결과로부터 불안정한 짧은 수명의 반응중간체인 스핀편극된 phenanthrenequinone 음이온 라디칼(*PQ${\cdot}^-$)의 존재를 알 수 있었고, 각 혼합용매에서 초미세분리상수를 얻었다

• 한국광학회지
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• 제24권5호
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• pp.224-230
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• 2013

레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off: LLO)는 수직형 LED 제조를 위하여 GaN 또는 AlN 박막을 사파이어 웨어퍼로부터 레이저를 이용하여 제거하는 공정으로 광원, 레이저의 출력 파워를 조절해주는 감쇠기, 빔의 형태를 잡아주는 빔 성형 광학계, 원하는 빔 사이즈를 만들어 주고 빔을 균일하게 섞어주는 빔 균일 광학계, 기판에 투사 이전에 빔을 한번 잘라주는 조리개 부분과 마스크 단에서 잘린 빔을 기판에 투사해주는 투사렌즈 부분으로 구성되어 있다. 본 논문에서는 LLO 시스템을 구성하고 있는 광학계 중 감쇠기와 투사렌즈 부분의 설계 및 분석을 진행하였다. 투사렌즈의 $7{\times}7mm^2$ 빔 사이즈 구현을 위하여 광학 설계 프로그램인 지맥스를 통해 설계 및 초점심도를 분석하였으며, 조명 설계 프로그램인 라이트 툴을 사용하여 빔 사이즈 및 균일도를 분석하였다. 성능 분석 결과 사각형 빔의 크기 $6.97{\times}6.96mm^2$, 균일도 91.8%, 초점심도 ${\pm}30{\mu}m$를 확인하였다. 또한 고출력의 엑시머레이저의 빔 강도를 감쇠시키기 위한 장치인 감쇠기의 투과율을 높이기 위하여 에센설 맥클라우드 코팅 프로그램을 사용하여 유전체 코팅을 실시한 결과 총 23층의 박막과 s 편광의 입사각도 $45{\sim}60^{\circ}$에서 10-95%의 투과율을 확인 할 수 있었다.

• 공업화학
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• 제17권2호
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• pp.158-162
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• 2006

새로운 극자외선 리소그래피용 화학증폭형 레지스트의 매트릭스 수지로 poly[4-hydroxystyrene-co-2-(4-methoxybutyl)-2-adamantyl methacrylate]를 합성하고 평가하였다. 이 중합체로 제조된 레지스트로 KrF 엑시머 레이저 노광장비를 사용하여 선폭 120 nm (피치 240 nm)를 구현할 수 있었다. 극자외선 리소그래피 장비를 이용하여 평가한 결과 선폭 50 nm (피치 180 nm)의 포지형 패턴을 얻었다. $CF_{4}$ 플라즈마를 이용한 건식에칭내성 평가 결과 기존 원자외선 레지스트용 매트릭스 수지인 poly(4-hydroxystyrene)보다 약 10% 향상되었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.860-865
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• 2004

Field emission display(FED) using carbon nanotubes (CNT) as field emitters is expected to large-area panels with high luminance and low power consumption. In order to perform the uniform luminance with low driving voltage, we introduced a new electrode to apply higher electric potential over the CNT cathode in 2003.[1] In the study, we described the luminance uniformity of the panel and the improvement of emission uniformity by increasing the emission-site density. The luminance uniformity of the several ideal dots which were selected over the display area in the panel was 2.8%. [2] The CNT cathode was irradiated by excimer-laser, which was effective to improve emission uniformity and lower driving voltage. A prototype of CNT-FED character display was performed for middle size message displays. The prototype panel had 48 x 480-dots and the resolution was 1-mm. The panel realized high luminance at low power consumption. It will be important characteristics for legible and ubiquitous displays. [3]

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.95-97
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• 2004

We studied a low temperature ion doping process for poly-Si Thin Film Transistor (TFT) on plastic substrates. The ion doping process was performed using an ion shower system, and subsequently, excimer laser annealing (ELA) was done for the activation. We have studied the crystallinity of Si surface at each step using UV-reflectance spectroscopy and the sheet resistance using 4-point probe. We found that the temperature has increased during ion shower doping for a-Si film and the activation has not been fulfilled stably because of the thermal damage against the plastic substrate. By trying newly a pulsed ion shower doping, the ion was efficiently incorporated into the a-Si film on plastic substrate. The sheet resistance decreased with the increase of the pulsed doping time, which was corresponded to the incorporated dose. Also we confirmed a relationship between the crystallinity and the sheet resistance. A sheet resistance of 300 ${\Omega}$/sq for the Si film of 50nm thickness was obtained with a good reproducibility. The ion shower technique is a promising doping technique for ultra low temperature poly-Si TFTs on plastic substrates as well as those on glass substrates.