The effect of SiC additive on the densification behavior and microstructural change of $TiB_2$ ceramics was investigated. The infiltration and direct mixing with polycarbosilane (PCS), which was converted to SiC by pyrolysis during sintering, were used for the addition of SiC. The addition of Fe enhanced the densification of $TiB_2$, but which resulted in exaggerated grain growth. However, the addition of PCS enhanced the densification and suppressed the exaggerated grain growth of $TiB_2$. Moreover, the addition of PCS using direct mixing was more effective for suppress of grain growth as compare to the addition of PCS using infiltration.
The growth process of solid grains in a liquid matrix is usually explained in tem1S of Ostwald ripening. The variation of growth (dissolution) rate as a function of grain size during Ostwald ripening predicted that the dissolution rate becomes very large as grain size decreases but the growth rate of a large grain is rather limited. Therefore. a rather uniform size distribution of grain size is maintained once after the quasi-equilibrium state is reached. Quite frequently, however, the exaggerated grain growth (EGG) is observed to occur: only a limited number of grains grow exceptionally. From the observation that the EGG occurs only for the faceted grains with apparently straight solid-liquid interfaces, the EGG is suggested to be the consequence of growth process controlled by 2-dimensional nucleation. In this study, the result by computer calculation on the grain growth process controlled by various mechanisms will be given.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.957-960
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2008
The influences of silicon and MgO seed particle on the reconstruction characteristics of MgO protective layer were investigated to clarify the mechanism of reconstruction and exaggerated grain growth (EGG) in AC-PDP. The reconstruction and EGG are closely correlated with the driving force for nucleation and growth, interface energy and initial size distribution of MgO protective layer in plasma space during discharge in AC-PDP.
NiCuZn 페라이트에 $V_2O_{5}$를 0~0.5 wt% 첨가하여 페라이트 페이스트를 준비한 후,스크린 인쇄법으로 내부전극이 4.5회 회전된 임의의 크기(7.7$\times$4.5$\times$l.4 mm)의 칩인덕터를 제조하여, $V_2O_{5}$ 첨가량에 따른 미세구조 및 자기적 특성 변화를 분석하였다. $V_2O_{5}$첨가량이 증가할수록 액상소결이 발달하여 페라이트 입계에 내부전극 Ag의 확산과 Cu 석출 현상이 촉진되고, 이로 인하여 과대입자성장이 발달되었다. 이러한 현상은 칩인덕터의 자기적 특성에 큰 영향을 미쳐,900 $^{\circ}C$에서 소결된 $V_2O_{5}$ wt% 첨가시편의 주파수 10 MHz에서의 인덕턴스 값이 3.7$\mu$H로 0.3 wt% 첨가 시편의 4.2 $\mu$H보다 작게 나타났는데, 이는 Ag와 Cu의 석출량이 많아짐에 따라 잔류응력 발생이 심화되기 때문으로 생각된다 또한 $V_2O_{5}$ 0.5 wt% 첨가한 시편의 경우 소결온도가 증가함에 따라 품질계수 값이 감소하였는데, 이 결과도 페라이트 입계에서의 Ag나 Cu의 금속성분의 석출량 증가 및 과대입자성장에 의한 입자크기 증대로 인하여 전체 전기비저항이 감소되기 때문인 것으로 생각된다. 결론적으로 자기적 특성을 고려할 때 0.3 wt%가 적정 첨가량으로 나타났다.
초음파 분무 열분해 알루미나 분체로부터 $1600^{\circ}$~$1700^{\circ}C$ 범위의 소정 온도에서 소결한 다공질 시편의 상대밀도는 80~92%이다. 소결 온도 및 유지 시간이 길어지면 과대 입성장을 일으킨다. 소결 중의 미세 구조 발달을 이미지 분석하였다. 초음파 분무 열분해 알루미나 분체의 소성시 결정립 성장 동력학에 대한 연구로부터 정상 입성장 결정립 성장 활성화 에너지는 386.77 kJ/mol이다.
서로 다른 크기의 SiC 원료분말을 첨가한 A1$_2$O$_3$-SiC 복합재료의 미세조직과 그에 따른 기계적 물성의 변화를 관찰하였다. 0.15 $mu extrm{m}$의 SiC가 첨가된 복합재료의 경우 기지상의 입성장이 효과적으로 억제되었다 그러나, 소수의 비정상입자가 생성된 이후에는 이들 입자의 급격한 성장으로 불규칙한 형상의 커다란 입자로 구성된 미세조직을 보이며, 파괴강도값은 급격히 감소하였다. 3 $\mu\textrm{m}$의 SiC가 첨가된 경우에는 기지상의 입성장이 일어났으나, 소수의 비정상입자가 생성된 이후에는 과도한 입성장은 억제되고 일정한 크기의 비정상입자가 시편 전체에 균일하게 형성된 미세조직을 보였다. 한편, 0.15 $\mu\textrm{m}$와 3 $\mu\textrm{m}$의 SiC 입자를 동시에 첨가한 시편은 균일한 크기의 비정상입성장의 미세조직을 보였으나, 비정상입성장이 일어났음에도 불구하고 기계적 물성은 우수하게 유지되었다 즉, 비정상입성장에 의해 미세조직에는 큰 변화가 일어났으나, 파괴강도값에는 변화가 없었다.
Y-Si oxide 및 oxynitride를 소결 조제로 첨가하여 질소를 함유하는 액상이 알루미나의 소결에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. $1400^{\circ}C$에서 하소된 소결 조제의 주 결정상은 $Y_2$$O_3$와 $SiO_2$의 반응에 의하여 생성된 $\alpha$-$Y_2$$Y_2$$O_7$이며, N의 함량이 높은 Si-40N은 $\alpha$-$Y_2$$O_3$와 함께 Y-N apatite가 생성된다 소결과정에서 소결 조제로 알루미나의 일부와 반응하여 액상을 형성하며, 알루미나는 액상에 의하여 소결이 촉진된다. SEM으로 미세구조를 관찰한 결과 산화물 소결조제(Si-0N)를 첨가한 알루미나는 균일한 입자성장을 보이지만 oxynitride 소결소재(Si-20N 및 Si-40N)를 첨가한 알루미나는 비정상 입자성장을 일으켜 bimodal 구조를 나타내었으며, N의 함량이 높을수록 비정상 입자성장은 심하게 나타났다. 질소의 함량이 높은 Si-40N 조성의 소결 조제를 첨가한 알루미나는 bloating이 나타나며, 이것은 액상에 녹지 않는 과잉의 질소가 방출되기 때문이다.
Al2O3/ZrO2 composites were prepared by precipitation method using Al2(SO4)3.18H2O, ZrOCl2.8H2O and YCl3.6H2O as starting materials and NH4OH as a precipitation agent. Al2O3/ZrO2 composites(series A) were prepared by mixing Al2O3 powder obtained by single precipitation method with ZrO2(+3m/o Y2O3) powder obtained by co-predipitation method. Al2O3/ZrO2 composites (series B) were prepared by co-precipitation method using the three starting materials. In all cases, the composition was controlled as Al2O3-15v/o ZrO2(+3m/o Y2O3). The composites of series A showed higher final relative densities than those of series B and tetagonal ZrO2 in all cases was retained to about 95% at room temperature. ZrO2 particles were coalesced more rapidly in grain boundary of Al2O3 than within Al2O3 grain. ZrO2 particles were located at 3-and 4-grain junction of Al2O3 and limited the grain growth of Al2O3. It was observed that MgO contributed to densification of Al2O3 but limited grain growth of Al2O3 by MgO was not remarkable. In all Al2O3/ZrO2 composites, exaggerated grain growth of Al2O3 was not observed and Al2O3/ZrO2 composites were found to have homogeneous microstructures.
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.224-227
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2007
The reconstruction characteristics of MgO (111) textured protective layer by over-frequency accelerated discharge in AC-PDP were investigated and correlated to the variations of electronic structures. The reconstruction process and exaggerated grain growth (EGG) were explained by defect-assisted 2-D nucleation and growth mechanism combined with charged cluster model.
$Si_3N_4$에 2wt% $Al_2O_3$와 6wt% $Y_2O_3$을 첨가한 분말을 가스압 소결 방법으로 시편을 제조하였다. 이때 소결시 시간변화에 따른 공기 중에서 마모 특성을 비교하였다. 소결 시간에 따른 마모 특성의 변화는 기계적 성질, 즉, 파괴인성 등이 영향을 주는 것으로 나타났다. 소결 시간이 길어지면 큰 elongated 입자의 과잉성장에 따라 곡강도 및 파괴인성이 낮아져 이 결과 마모가 증가되었다. 이때 나타난 결과에 의하면 공기 중에서 질화규소의 마모특성에 영향을 주는 인자는 여러 가지 기계적 특성 중에서 파괴인성 및 곡강도가 미치는 영향이 크게 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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