• 한국광학회지
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• 제13권3호
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• pp.215-222
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• 2002

광기록매체용 Ge-Sb-Te다층박막 성장과정을 in-situ 타원계를 사용하여 실시간으로 모니터하여 각 층의 두께를 제어하고 성장된 Ge-Sb-Te 다층박막을 ex-site 분광타원법으로 확인하였다. 보호층인 ZnS-SiO$_2$와 기록층인 Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$을 단결정실리콘 기층 위에 스퍼터링 방법으로 각각 성장시키면서 구한 타원상수 성장곡선을 분석하여 성장에 따르는 보호층의 균일성 및 기록 층의 밀도변화를 파악하고 이를 기초로 하여 Ge-Sb-Te광기록 다층박막의 두께를 정밀하게 제어하였다. Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$ 단층박막 시료의 복소굴절율은 eX-Situ 분광타원분석을 통하여 구하였다. 제작된 다층구조는 설정된 다층구조인 ZnS-SiO$_2$(1400$\AA$)$\mid$ GST(200 $\AA$)$\mid$ZnS-SiO$_2$(200$\AA$)와 각 층의 두께 및 전체 두께에서 1.5% 이내에서 일치하는 정확도를 보여주었다.주었다.

• 한국광학회지
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• 제25권1호
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• pp.29-37
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• 2014

두 개의 회전하는 사분파장판으로 구성된 타원편광분석기의 체계적인 오차를 보정하는 방법을 연구하고 이를 실증하였다. 두개의 사분파장판으로 구성된 타원편광분석기의 5가지 오차(두 개의 회전 사분파장판들의 회전 시작 각도 오차 및 상 지연 값의 오차, 그리고 편광 분석기의 정렬 각도 오차)를 근사 과정 없이 계산하기 위하여 시료가 없이 타원편광신호를 얻고 이로부터 25개의 퓨리에 성분을 추출하였다. 25개의 퓨리에 계수에서 관련된 11개의 성분만 이용하여 상호 비선형적으로 얽혀 있는 5개의 값을 비선형 최적화 방법으로 구할 수 있었다. 오차 보정 결과 회전광소자들의 정렬 각도 오차(${\epsilon}_3$, ${\epsilon}_4$, ${\epsilon}_5$)가 위상지연 오차(${\epsilon}_1$, ${\epsilon}_2$)보다 더 중요하며, 모든 오차에서 0.05 rad 이하의 정밀도를 지니면 충분히 그 오차를 보정할 수 있다는 것을 확인할 수 있었다. 최종적으로는 이렇게 구한 광학계의 초기 정렬 오차 값을 미지의 광학 부품에 적용하여 미지의 광학부품의 위상 지연의 양과 빠른 축을 알 수 있었다. 오차 보정 검증을 위하여 미지의 샘플로 반파장판을 이용하였으며, 반파장판의 위상 지연 양과 빠른 축을 찾을 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1997년도 제13회 학술발표회 논문개요집
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• pp.152-153
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• 1997

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 하계학술발표회
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• pp.46-47
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• 2001

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 하계학술발표회
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• pp.174-175
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• 2001

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 한국전기화학회 1999년도 제2회 총회 및 춘계학술발표회
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• pp.9-9
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• 1999

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1997년도 Advance Program of 14th optics andquantum Electronics conference, 1997제14 회 광학 및 양자전자 학술 발표회 논문 요약집
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• pp.13-13
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• 1997

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2002년도 제13회 정기총회 및 2002년도 동계학술발표회
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• pp.194-195
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• 2002

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.63-66
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• 2004

Transparent MgO thin films were deposited on glass substrates by electron beam evaporation of MgO (99.99%) under $O_2$ atmosphere at 150-250 $^{\circ}C$. These films were characterized for their useful properties such as thickness, transmission, and refractive index using ultraviolet / visible (UV/VIS) spectrophotometer, scanning electron microscopy (SEM), and Spectroscopic Ellipsometry. The thickness of MgO films were measured by alpha step instrument and found to be 600 nm to 1000 nm and are meeting the stoichiometry. The transmission spectrum of these films shows transmittance values ${\sim}$92%..

• 한국진공학회지
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• 제8권3B호
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• pp.327-332
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• 1999

High speed real-time spectroscopic ellipsometry was employed in order to characterize the growth of chromium thin film. This instrument can collect 512 points of {$\Delta$(hv), $\Psi$(hv)} spectra from 1.3 to 4.5 eV with acquisition and repetition rates of 20 msec or less. When this instrument was integrated into the chromium thin film growth, we could obtain not only the information on film properties but also the details of the processes. We deduced the growth rates and the evolution of the optical properties of chromium thin films under several preparation conditions. We also demonstrated the contamination process of chromium thin films caused by air exposure.