There has been increasing interests of condition monitoring and diagnosis for electric equipment, which lead to the development of this system domestic and abroad. In the past, operators' interest was how to quickly repair and restore the electric equipments after failure. But, due to the North American Blackout in 2003 and the aging of equipments, users have paid attention to the condition based monitoring of electric equipment to prevent a fault like outrage. GIS-PDS("GIS Preventive and Diagnosis System") requiresa large amount of measurement data with timeliness for monitoring and analysis of real-time state of GIS(Gas Insulated Switchgear). We developed the timeliness-guaranteed communication device for GIS-PDS.
과거 2003년 북미 대 정전 이후 전력기기의 사고 발생 후 얼마나 빨리 사고를 제거하고 피해가 적도록 신속하게 복구하는 개념에서 사고이전에 사고를 미연에 방지하는 예방개념으로 관심이 높아지고 있다. 전력기기를 사고로부터 보호하는 보호기기도 중요하지만 사고이전의 상태를 감시하여 미연에 사고를 방지할 수 있도록 하는 예방진단시스템의 중요성도 높아지고 있다. 이렇듯 관심이 높아짐에 따라 각종 진단알고리즘의 개발이 신속히 이루어지고 있다. 보호기기처럼 어떤 설정된 정정 값 이상의 값이 입력되면 보호동작을 수행하는 단순 동작과는 달리 예방진단 시스템은 입력되는 신호의 패턴을 인식하여 열화/노화 등의 진행상황 및 정비조치에 대한 정보를 만들므로 인공지능적인 요소가 많이 적용되고 있다. 따라서 각종 Fuzzy, Neural Network, Expert 등 각종 판단 알고리즘과 패턴을 인식하는 확률통계, 프랙탈 기하학 등이 적용되고 있다. 모두가 틀리다는 것은 아니지만 보다 정확한 예방진단을 위해 각종 알고리즘이 추가 및 수정이 자주이루어지고 있는 실정이다. 그러나 새로운 알고리즘을 적용하기 위해서 기 개발되어 운영 중이거나 설치된 예방진단시스템을 멈추고 전반적으로 수정을 수행하는 것은 감시진단시스템의 본래 모습을 무시하는 행동이라고 할 수 있다. 본 연구에서는 이런 문제를 해결하기 위하여 온라인 상태에서 장비를 감시하는 예방진단 시스템의 알고리즘 변형 시 시스템의 운영이 문제되지 않도록하는 다이나믹 인터페이스를 개발하였다.
Park, Chung-Ryul;Lee, Jong-Hwa;Park, Sig;Du, Ho-Ik;Lim, Sung-Hun;Choi, Hyo-Sang;Han, Byoung-Sung
Proceedings of the KIEE Conference
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2005.07b
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pp.960-962
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2005
In this paper, we investigated the quench characteristics of high-Tc superconducting(HTSC) elements in the integrated three-phase flux-lock type superconducting fault current limiter(SFCL) according to fault types such as the single-line-to-ground fault, the double-line-to-ground fault, the line-to-line fault and the triple-line-to-ground fault. The integrated three-phase flux-lock type SFCL is an upgrade version of single-phase flux-lock type SFCL. The structure of the integrated three-phase flux-lock type SFCL consisted of a three-phase flux-lock reactor wound on an iron core with the ratio of the same turn between coil 1 and coil 2 in each phase. When the SFCL is under the normal condition, the flux generated in the iron core is zero because the flux generated between two coils of each single phase is canceled out. Therefore, the SFCL's impedance is zero, and the SFCL has negligible influence on the power system. However, if a fault occurs in any single one of three phases, the flux generated in the iron core is not zero any more. The flux makes HTSC elements of all phases to quench irrespective of the fault type, which reduces the current in fault phase as well as the current of sound phase. It was obtained that the fault current limiting characteristics of the suggested SFCL were dependent on the quench characteristics of HTSC elements in all three phases.
Kim, Y.;Song, W.;Lee, S.Y.;Jung, W.;Kim, M.K.;Jeon, C.;Park, C.Y.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.80-80
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2010
Graphene has attracted tremendous attention for the last a few years due to it fascinating electrical, mechanical, and chemical properties. Up to now, several methods have been developed exclusively to prepare graphene, which include micromechanical cleavage, polycrystalline Ni employing chemical vapor deposition technique, solvent thermal reaction, thermal desorption of Si from SiC substrates, chemical routes via graphite intercalation compounds or graphite oxide. In particular, polycrystalline Ni foil and conventional chemical vapor deposition system have been widely used for synthesis of large-area graphene. [1-3] In this study, synthesis of mono-layer graphene on a Ni foil, the mixing ratio of hydrocarbon ($CH_4$) gas to hydrogen gas, microwave power, and growth time were systemically optimized. It is possible to synthesize a graphene at relatively lower temperature ($500^{\circ}C$) than those (${\sim}1000^{\circ}C$) of previous results. Also, we could control the number of graphene according to the growth conditions. The structural features such as surface morphology, crystallinity and number of layer were investigated by scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM), transmission electron microscopy (TEM) and resonant Raman spectroscopy with 514 nm excitation wavelength. We believe that our approach for the synthesis of mono-layer graphene may be potentially useful for the development of many electronic devices.
Penkov, O.V.;Plaksin, V. Yu.;Joa, S.B.;Kim, J.H.;LEE, H.J.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.480-480
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2010
In the present work, we studied effect of the deposition parameters on the structure and properties of ZnO films deposited by DC arc plasmatron. The varied parameters were gas flow rates, precursor composition, substrate temperature and post-deposition annealing temperature. Vapor of Zinc acetylacetone was used as source materials, oxygen was used as working gas and argon was used as the cathode protective gas and a transport gas for the vapor. The plasmatron power was varied in the range of 700-1,500 watts. Flow rate of the gases and substrate temperature rate were varied in the wide range to optimize the properties of the deposited coatings. After deposition films were annealed in the hydrogen atmosphere in the wide range of temperatures. Structure of coatings was investigated using XRD and SEM. Chemical composition was analyzed using x-ray photo-electron spectroscopy. Sheet conductivity was measured by 4-point probe method. Optical properties of the transparent ZnO-based coatings were studied by the spectroscopy. It was shown that deposition by a DC Arc plasmatron can be used for low-cost production of zinc oxide films with good optical and electrical properties. Sheet resistance of 4 Ohms cm was achieved after the deposition and 30 min annealing in the hydrogen at $350^{\circ}C$. Elevation of the substrate temperature during the deposition process up to $350^{\circ}C$ leads to decreasing of the film's resistance due to rearrangement of the crystalline structure.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.244.1-244.1
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2013
The p-type GaN which act as a hole injection layer in GaN-based LEDs has fundamental problems. The first one arises from the difficulty in growing a highly doped p-GaN (with a carrier concentration exceeding ~1018 $cm^{-3}$). And the second one is the absence of appropriate metals or conducting oxides having a work function that is larger than that of p-type GaN (7.5 eV). Moreover, the LED efficiency is decreases gradually as the injection current increases (the so-called 'efficiency droop' phenomenon). The efficiency droop phenomenon in InGaN quantum wells (QWs) has been a large obstacle that has hindered high-efficiency operation at high current density. In this study, we introduce the new approaches to improve the light-output power of LEDs by using graphene oxide sheets. Graphene oxide has many functional groups such as the oxygen epoxide, the hydroxyl, and the carboxyl groups. Due to nature of such functional groups, graphene oxide possess a lot of hole carriers. If graphene oxide combine with LED top surface, graphene oxide may supply hole carriers to p-type GaN layer which has relatively low free carrier concentration less than electron concentration in n-type GaN layer. To prove the enhancement factor of graphene oxide coated LEDs, we have investigated electrical and optical properties by using ultra-violet photo-excited spectroscopy, confocal scanning electroluminescence microscopy.
Ga-doped polycrystalline ZnO films on glass substrates were prepared by sputtering the targets, which had been prepared by sintering discs consisting of ZnO powder and various amounts of G$a_2O_3$, to investigate the effects of gallium doping and sputtering conditions on electrical properties. Optimizing the RF power density, argon gas pressure and gallium content, transparent Ga-doped ZnO films with resistivity less than 1$0^{-3}$ohm-cm are obtained. Electron concentration of undoped and Ga-doped ZnO films are order of $10^{18}$, $10^{21}$/c$m^2$respectively. After heat treatment in air and $N_2atmosphere, $ the resistivity of Ga-doped ZnO films increases by about two orders of magnitude. The optical transmission is above 80% in the visible range and the optical band widens as the Ga content increases.
Piezoelectric ZnO thin films were deposited on 7059 glass substrate by rf magnetron sputtering. The effects of deposition parameter, such as rf power, gas pressure and $O_{2}$/Ar gas ratio, on the crystallinity and electrical properties of the deposited ZnO thin films were studied. It was found that the deposition rate was higher than the previously reported values. ZnO films were suitable for SAW filter since a standard deviation of XRD (002) peak rocking curve was less than $6^{\circ}$. ZnO thin films, which were deposited at $O_{2}$/Ar ratio larger than 25%, showed high resistance. SAW filter was fabricated using ZnO film, of which thickness was 0.25 of the wavelength of the propatating surface acoustic wave. The measured frequency response was consistent with the calculated one. The SAW filter had center frequency 39.08 MHz, phase velocity 2501 m/sec and insertion loss 29 dB.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.21
no.5
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pp.615-627
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1997
An experiment was performed to local heat transfer coefficient and Nusselt number in the circular duct of 180.deg. bend for Re=6*10$^{4}$, 8*10$^{4}$ and 1*10$^{5}$ at swirling flow and non-swirling flow conditions. The test tube with circular section was made by stainless which has curvature ratio 9.4. The wall of test tube was heated directly by electrical power to 3.51 kw and swirling motion of air was produced by a tangential inlet to the pipe axis at the 180 degree. Measurements of local wall temperatures and bulk mean temperature of air are made at four circumferential positions in the 16 stations. The wall temperatures show particularly reduced distribution curve at bend for non-swirling flow but this effect does not appear for swirling flow. Nusselt number distributions for swirling flow which was calculated from the measured wall and bulk temperatures were higher than that of non-swirling flow. Average Nusselt number of swirling flow increased about 90 ~ 100% than that of non-swirling flow whole through the test tube. The Nu/N $u_{DB}$ values at the station of 90.deg. for non-swirling flow and swirling flow are respectively about 2.5 and 4.8 at Re=6*10$^{4}$. Also that is good agreement with Said's result for non-swirling flow. flow.
Mehmood, Amjad;Nouman, Muhammad;Umar, Muhammad Muneer;Song, Houbing
KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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v.10
no.10
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pp.4883-4901
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2016
Energy efficiency in Wireless Sensor Networks (WSNs) is very appealing research area due to serious constrains on resources like storage, processing, and communication power of the sensor nodes. Due to limited capabilities of sensing nodes, such networks are composed of a large number of nodes. The higher number of nodes increases the overall performance in data collection from environment and transmission of packets among nodes. In such networks the nodes sense data and ultimately forward the information to a Base Station (BS). The main issues in WSNs revolve around energy consumption and delay in relaying of data. A lot of research work has been published in this area of achieving energy efficiency in the network. Various techniques have been proposed to divide such networks; like grid division of network, group based division, clustering, making logical layers of network, variable size clusters or groups and so on. In this paper a new technique of group based WSNs is proposed by using some features from recent published protocols i.e. "Energy-Efficient Multi-level and Distance Aware Clustering (EEMDC)" and "Energy-Efficient Multi-level and Distance Aware Clustering (EEUC)". The proposed work is not only energy-efficient but also minimizes the delay in relaying of data from the sensor nodes to BS. Simulation results show, that it outperforms LEACH protocol by 38%, EEMDC by 10% and EEUC by 13%.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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