• 센서학회지
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• 제31권1호
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• pp.36-40
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• 2022

High-power devices, such as LEDs and radars, inevitably generate a large amount of heat, which is the main cause of shortening lifespan, deterioration in performance, and failure of electronic devices. The embedded IC process can be a solution; however, when applied to large-area substrates (larger than 8 in), there is a limit owing to the difficulty in the process after wafer thinning. In this study, an 8-in wafer-level high-power electronic package based on the embedded IC process was implemented with temporary bonding and debonding technology using double-sided thermal release tape. Good heat-dissipation characteristics were demonstrated both theoretically and experimentally. These findings will advance the commercialization of high-power electronic packaging.

• 한국광학회지
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• 제15권1호
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• pp.12-16
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• 2004

편광에 관계없이 매우 짧은 결합 길이를 가지는 Double-Sided Deep-Ridge (DSDR) 도파관 구조를 가지는 수직 방향성 결합기의 두 코어 굴절율에 약간의 비대칭성을 줌으로써 편광에 관계없이 소멸비가 크게 향상됨을 보였다. 내부 클래딩의 두께와 두 코어의 두께가 감소할수록 두 코어는 강하게 결합되기 때문에 최대 소멸비를 보이는 두 코어 사이의 굴절율의 비대칭값과 30 ㏈ 이상의 소멸비를 보이는 코어 굴절율의 공차는 증가한다. 또한 내부 클래딩의 두께와 두 코어의 두께가 감소할수록 두 코어사이의 결합이 강하게 되어 결합기 길이와 30 ㏈ 이상의 소멸비를 가지는 결합길이의 공차는 감소한다. 편광에 관계없이 100 $\mu\textrm{m}$ 이하의 매우 짧은 소자길이를 가지며 30 ㏈ 이상의 매우 높은 소멸비를 가지는 DSDR수직 방향성 결합기를 구현할 수 있음을 보였다.