Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.186.1-189
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2001
Ferroelectric $Bi_{4-x}$La$_{x}$Ti$_3$O$_{12}$ (BLT)thin films with various compositions(x=0.65, 0.70, 0.75) were prepared on Pt//Ti/SiO$_2$/Si(100) substrate by metal-organic deposition. The electrical and structural characteristics of BLT thin films were investigated to develop ferroelectric thin films for capacitor layers of FRAM. After spin coating, thin films were annealed at $650^{\circ}C$ for 1hour in oxygen atomosphere. Scanning electron micrographs showed uniform surfaces composed of rod-like grains. The $Bi_{4-x}$La$_{x}$Ti$_3$O$_{12}$ (x=0.70) thin film capacitors with a Pt top electrode showed better ferroelectric properties than other films. At the applied voltage of 5V, the dielectric constant($\varepsilon$$_{r}$), dissipation factor(tan$\delta$),remanent polarization(2Pr), and coercive field(2Ec) of the $Bi_{4-x}$La$_{x}$Ti$_3$O$_{12}$ (x=0.70)thin films were about 272.54, 0.059, 32.4 $\mu$C/cm$^2$, 2Ec=119.9kV/cm. Also the capacitor did not show any significant fatigue up to 4.8$\times$10$^{10}$ read/write switching cycles.hing cycles.s.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07b
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pp.861-864
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2002
Ferroelectric $Bi_{4-x}Nd_xTi_3O_{12}$(BNdT) thin films with the composition(x=0.75) were prepared on pt/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrate by metal-organic deposition. The electrical and structural characteristics of BNdT thin films were investigated to develop ferroelectric thin films for capacitor layers of FRAM. After spin coating, thin films were annealed at $650^{\circ}C$ for 1hour in oxygen atmosphere. Scanning electron micrographs showed uniform surfaces composed of rod-like grains. The $Bi_{4-x}Nd_xTi_3O_{12}$(X=0.75) thin film capacitors with a Pt top electrode showed better ferroelectric properties. At the applied voltage of 5V, the dielectric constant$(\varepsilon_r)$, dissipation factor$(tan{\delta})$, remanent polarization(2Pr) and nonvolatile swiching charge of the $Bi_{4-x}Nd_xTi_3O_{12}$(x=0.75)thin films were about 346.7, 0.095, $56{\mu}C/cm^2$ and $38{\mu}C/cm^2$ respectively. Also the capacitor did not show any significant fatigue up to $8{\times}10^{10}$ read/write switching cycles at a frequency of 1MHz.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.9
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pp.731-735
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2001
S $r_{0.89}$B $i_{2.4}$T $a_2$$O_{9}$ (SBT) thin films are deposited on Pt-coated electrode(Pt/Ti $O_2$/ $SiO_2$/Si) using RF magnetron sputtering method. In the XRD pattern, the SBT thin films had (105) orientation. As annealing temperature was increased from $600^{\circ}C$ to 85$0^{\circ}C$, the intensities of peak were increased. In the SEM images, Bi-layered perovskite phase was crystallized above $650^{\circ}C$ and rod-like grains grew above 75$0^{\circ}C$. The maximum remanent polarization and the coercive electric field at annealing temperature of 75$0^{\circ}C$ are 11.60$\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and 48kV/cm respectively. The dielectric constant and leakage current density at annealing temperature of 75$0^{\circ}C$ are 213 and 1.01x10$^{-8}$ A/$\textrm{cm}^2$, respectively. The fatigue characteristics of SBT thin filmsdid not change up to 10$^{10}$ switching cycles.s.s.
Kim, W.J.;Kim, H.J.;Cho, J.W.;HwangBo, S.;Kim, S.H.
Progress in Superconductivity and Cryogenics
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v.14
no.4
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pp.32-35
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2012
A high-$T_c$ superconducting (HTS) DC application has advantages such as the ultimately lower loss, more compact dimensions, and large capacity compared to AC application. In order to optimize the insulation design of a HTS DC machines, it is important to understand the high voltage insulation and materials at cryogenic temperature. Polypropylene laminated paper (PPLP) has been widely used as an insulating material for HTS AC machines. However, the fundamental data under DC voltage have not been revealed satisfactorily until now. In this paper, we will discuss mainly on the breakdown and dielectric characteristics of PPLP in liquid nitrogen ($LN_2$). The polarity effects of DC and impulse voltage were studied by using the semi-rod to cylindrical electrode. The volume resistivity of PPLP in $LN_2$ was studied. Also, the space charge distribution at room temperature was studied. However, it is necessary to study this topic at cryogenic temperature in the near future.
[ $Ba(Zr_{0.08}Ti_{0.92})O_3$ ] polycrystal was grown by floating zone technique with two ellipsoidal mirrors using the $8\%$of Zr-modified BZT ceramics as both a feed rod and a seed crystal. In order to study the annealing effect, a part of the grown crystal was sliced and annealed in the oxygen atmosphere at $1,200^{\circ}C$ for 10 h. The dielectric constant and loss at 10 kHz, 100 kHz, and 1 MHz were measured in the temperature range between $-100^{\circ}C$ and $150^{\circ}C$ to investigate the dielectric properties of the grown polycrystal. The electric-field dependence of the dielectric constant at 10 kHz and 100 kHz was studied by measuring the dielectric constants as a function of the biased-electric fields which ran from -15 kV/cm to 15 kV/cm. Due to the effect of annealing in the oxygen atmosphere, the electric-field tunability of dielectric constants increased from $47.5\%$ to 5 to and the figure of merit for this material from 39.6 to 46.4. Since the figure of merit can be increased to more than 46.4 by increasing the maximum value of the biased-electric fields to more than 15 V/cm, this material nay have a possibility for applications in microwave tuning devices at room temperature.
In measuring the microwave surface resistance of high-Tc superconductor (HTS) films using the dielectric-loaded cavity resonator method, one of the most important factors that limit the measurement sensitivity is the measurement error in the loss tangent ($tan\delta$) of the dielectric rod placed inside the cavity. We have measured the effective surface resistance ( $R_{S}$$^{eff}$) of$ YBa_2$$_Cu3$$_{7-{\delta}}$ (YBCO) films and the $tan\delta$ of rutile ($TiO_2$) using the 'two-tone'method suggested by Kobayashi et at. [IEEE, MTT-S Digest, 495, (2001)], which enables simultaneous measurements of both the $R_{S}$$^{eff}$ fof HTS films and the $tan\delta$ of the rutile with high sensitivity. A rutile-loaded cavity resonator with the $TE_{012}$ and $TE_{021}$ resonant frequencies at 13.67 - 14.01 GHz is used for this purpose. At temperatures where the two modes do not couple with other modes, the $R_{S}$$^{eff}$ of YBCO films and $tan\delta$ of rutile measured by the two-tone method appear to match well with the corresponding values measured using the reported $tan\delta$ values of sapphire within 10 %. Usefulness of the 'two-tone' method for microwave characterization of HTS films and dielectrics is discussed.d.ielectrics is discussed.ussed.
Maxwell displacement current (MDC) measurement has been employed to study the dielectric property of Langmuir-films. MDC flowing across monolayers is analyzed using a rod-like molecular model. LB layers of Arachidic acid deposited by LB method were deposited onto slide glass as Y-type film. The structure of manufactured device is Au/Arachidic acid/Al, the number of accumulated layers are $3{\sim}9$. Also, we then examined of the MIM device by means of I-V. The I-V characteristic of the device is measured from -3 to +3[V].
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.30A
no.4
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pp.11-19
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1993
The complex permittivity and the linewidth of microwave ferrites are measured using the well known cavity perturbation method. The cavity perturbation method has been widely used for the measurement of complex permittivity and conductivity of low loss magnetic and dielectric materials at microwave frequencies. TT1-2000, TT73-2200, and G-113 samples ordered from Trans-Tech Inc, are tested. TE$_{103}$ and TE$_{106}$ rectangular waveguide cavities are fabricated and the ferrite sample of cylidrical rod and sphere shapes are prepared. The error between the measurement values and the supplier's data is less than 1 percent in case of $\varepsilon$’ and about 10 percent in case of linewidth ($\Delta$H). Worst case error analysis shows that our measured results are well within the error bound calculated from the accuracy specification of the measuring instruments.
In this paper, the capacitive sensor which can detect the continuous position of liquid is proposed. The proposed sensor make up copper rod's defect which are oxidized in liquid and float switch's defect which are tired of continuous movements. This sensor make use of what capacitance is varying due to quantity and kind of dielectric in the plane gap. The operating principle of the sensor and the amplifying methode of detecting signal and the methode of apply in computer control system are presented in this paper.
This paper describes underwater discharge phenomena which are less studied than gas, solid and dielectric liquid. Since discharge phenomena were affected by various factors, we investigated the effect of water resistivity in point-plane gap by impulse voltage. In discharge photograph, it is hard to discover the streamer development in positive polarity at high reisistivity. On the other hand, the streamer originated at the tip of rod and developed toward the plane with increasing voltage. It is found that the breakdown voltage of both polarities in lower resistivity are lower than that of high resistivity. High current flowing in lower resistivity before the breakdown induce more streamer and enhance the probability of breakdown.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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