CAS계 유리에 $CaCO_3-Al_2O_3$ 혼합물 및 화합물을 10, 30 wt% 첨가하여 저온 소걸 및 마이크로파 유전 특성을 고찰하였다. CAS계 유리의 연화온도는 $841^{\circ}C$ 이며, CAS계 유리에 $CaCO_3$ 와 30 wt%의 $CaCO_3-Al_2O_3$ 혼합물을 melting되며, 10 wt%의 $CaCO_3$, $Al_2O_3$, $1CaCO_3-1Al_2O_3$ 혼합물 및 $CaAl_2O_4$ 화합물를 10 wt% 첨가하였을 때 $900^{\circ}C$ 이하에서 소걸이 가능하였다. 복합체의 XRD 상 분석 결과, CaCO3를 첨가하였을 때에는 모든 조성이 비정질을 나타내었고, $Al_2O_3$와 $1CaCO_3-1Al_2O_3$ 혼합물은 $Al_2O_3$ 결정상이 생성되었고, $CaAl_2O_4$ 화합물은 $CaAl_2Si_2O_8$의 hexagonal와 anorthite 결정상이 생성되었다. 따라서 CAS-10 (A, C-A, CA) 복합체는 $900^{\circ}C$에서 각각 유전율 ($\varepsilon_r$) 6.4, 6.9, 5.15 와 품질계수 ($Q^*f$) 2,400, 1,500, 3,000의 마이크로파 유전 특성을 나타내어 LTCC 기판 재료로 사용이 가능하며, 특히 $CaAl_2O_4$ 화합물을 사용하였을 때 가장 우수한 유전 특성을 나타내는 것을 확인하였다.
연속적으로 연결된 방향성 결합기를 사용한 트랜스버설 필터 설계 방법을 제안하였다. 그 결합기형 트랜스버설 필터는 연속적으로 변화하는 불균일 결합선로로 간주될 수 있다. 이 설계 방법은 결합도 주파수 특성 패턴이 갖는 극점을 제어함으로써 원하는 결합도의 최적값을 도출하는데 기반을 두며, 이 최적화 과정에서 Woodward-Lawson 샘플링법을 개선 및 적용시키므로서 트랜스버설 필터가 갖는 분포된 지연요소와 가중치 요소를 쉽게 합성할 수 있도록 하였다. 응용을 위해 스펙트럴 영역법을 사용하여 마이크로스트립 트랜스버설 필터를 제작하고 결합기의 모드 위상속도 보상을 위해 최적한 유전체 덮개층을 적용시켰다. 실험결과로부터 제안한 방법의 타당성을 검증하였다.
본 논문에서는 1.8 GHz 대역의 배열 안테나를 연구하였다. 선로 방식으로는 마이크로 스트립 방식을 채택하였고 특성 평가를 위해 안테나 제작 및 특성을 측정하였다. 각 선로방식의 안테나에 대한 주파수와 반사손실에 관한 파라미터 특성을 HFSS(High Frequency Structure Simulator)를 통해 분석하고 이것을 이용하여 안테나를 설계하였다. 시뮬레이션 결과를 바탕으로 1.8GHz LTE 대역에서 사용 가능한 $1{\times}2$ 배열 안테나를 설계하고, 설계된 안테나를 유전율 4.4, 두께 0.8mm인 FR4-epoxy 기판을 사용 하여 포토리소그래피 방법으로 안테나를 제작하였다. 제작된 안테나는 최종적으로 회로망 분석기(Network Analyzer)를 통해 안테나 특성을 분석하였다. 측정된 안테나의 주파수 특성은 시뮬레이션 결과와 잘 일치하여 본 연구의 타당성을 확인 할 수 있었다. 제작된 $1{\times}2$ 배열 안테나는 중심주파수 1.82 GHz, 입력반사손실 -30.5 dB, 임피던스 $49.6{\Omega}$의 결과 값을 보였다.
$CH_3O(CO)Cl,\;CH_3S(CO)Cl\;및\;CH_3S(CS)Cl$/TEX>의 가메탄올 분해반응속도를 메탄올-아세토니트릴 혼합용매하에서 결정하였다. 반응속도는 주로 벌크한 용매성질에 의해서만 아니라 일부 친전자적 특수용매화에 의해서도 영향을 받는다는 것이 실험결과로 알려졌다. 용매의 극성은 반응속도에 영향을 미치는 중요인자는 아니지만, $S_N1$형의 천이상태 안정화에 기여함을 알았다. $CH_3S(CS)Cl$/TEX>의 가메탄올 분해반응은 메탄올에 의한 이탈기의 특수 용매효과 및 큰 유전상수를 가진 용매에 의한 천이상태 안정화가 중요한 $S_N1$형으로 진행됨을 알았다. $CH_3O(CO)Cl$의 가메탄올 분해반응은 위의 경우와는 반대로 $S_N2$형으로 진행됨을 알았다.
에틸렌디아민, 프로필렌디아민 및 디에틸렌트리아민의 구리(II), 카드뮴(II) 및 아연(II)착이온의 桓元에 대하여 압력에 따른 폴라로그래피적 파라미터의 依存性을 조사하였다. 水銀滴下電極, 고인수은전극 및 나선형 백금선을 각각 作業電極, 基準電極 및 補助電極으로 사용하였다. 압력이 1기압에서 1,500기압으로 증가함에 따라 금속착이온의 還元半波電位는 陰電位 쪽으로 이동하였으며, 擴散電流는 상당히 커졌다. 이러한 현상은 전해질용액의 물리적 성질 곧 密度, 粘性度, 誘電常數, 電氣傳導度 등이 압력이 증가함에 따라 커지기 때문이다. 압력을 증가시키면 log plot의 기울기 값이 커지므로 환원반응의 可逆性은 나빠지고 있다. 25$^{\circ}$C ~ 35$^{\circ}$C의 온도범위에서 측정한 확산전류의 溫度係數가 압력을 증가시켜도 2%정도이므로 高壓下에서 폴라로그래피적 환원반응은 擴散支配的이다. 또 실험압력 범위내에서 금속착이온의 확산전류와 농도 사이에는 線形關係가 성립하였다.
본 논문에서는 커넥터의 특성임피던스 추출, 분석 방법 및 설계 변경 방법을 제안하고 임피던스를 정합하여 신호 전달 특성을 개선한다. 3차원 FEM(Finite Element Method) 전자기장(Electro-Magnetic Field) 시뮬레이터를 이용하여 커넥터의 S-파라미터를 계산하고 반사손실 및 삽입손실을 추출한다. 커넥터의 신호 전달 특성은 반사손실이 0.9 GHz 이후부터 -20 dB 이상의 값으로 높게 나타났다. 신호 전달 특성이 낮은 원인을 파악하기 위해서 회로 해석 시뮬레이터를 이용하여 커넥터의 등가 회로 모델을 추출하고 특성임피던스를 계산하였다. 커넥터의 특성임피던스는 $90.3{\Omega}$으로 임피던스 부정합이 발생하여 신호 전달 특성이 저하되었다. 따라서 신호 전달 특성을 개선할 목적으로 임피던스를 정합하기 위해서 커넥터의 커패시턴스를 증가시켰다. 이러한 설계 방안으로 커넥터 신호선의 유효 면적을 확장하고, 커넥터의 몸체 소재로 고유전체를 사용하였다. 설계 변경된 커넥터의 특성임피던스는 $58.6{\Omega}$으로 임피던스 정합에 보다 근접하여 커넥터의 반사손실이 대략 10 dB 향상되었다. 신호선의 유효 면적 증가에 의한 반사손실 개선과 고유전체의 적용으로 전자기파의 신호선 주변 집중에 의해서 삽입손실 또한 개선되었다.
본 논문에서는 밀리미터파 대역에서 다양한 매질들에 대한 유전적 특성의 측정을 통해 유전율 결과를 제시하였다. 밀리미터파는 짧은 파장과 넓은 대역폭을 가지고 있어 부품의 소형화, 경량화가 가능하고, 정보의 대량 전송이 가능하다는 장점을 가지고 있기 때문에 그 연구의 필요성이 높아지고 있다. 이 대역의 전파는 직진성이 뛰어나고 회절성이 작으며 여러 물질들에서 전파가 흡수되어 불필요한 간섭이 잘 발생하지 않는 특징을 가지고 있다. 그렇기 때문에 밀리미터파 대역의 전파가 진행하는 과정에서 반사 투과하는 다양한 매질들의 전기적인 특성에 대한 분석이 중요할 것이다. 따라서 본 논문에서는 밀리미터파 대역에서 Free Space 방식을 이용하여 물질의 반사 투과 특성을 측정하였다. 이를 활용하여 Nicolson-Ross Weir 유전율 계산법을 이용해 다양한 매질들의 유전율을 도출하였다.
본 연구는 $BaO-B_{2}O_3-ZnO$계에서 저온소성이 가능한 조성을 탐색하고, 여기에 $Al_{2}O_3$를 filler로 첨가하여 복합체를 제조할 경우의 소결거동과 물성에 미치는 영향을 조사하였다. 이때 첨가하는 알루미나 분체는 입자크기가 서로 다른 두 종류를 이용함으로서 알루미나 입자 크기의 효과도 동시에 조사하였다. 알루미나 첨가량이 증가하는 경우 복합체의 치밀화정도, 유전상수, 열팽창계수, 그리고 경도 값이 감소하였다. 또한 첨가되는 알루미나 입자의 크기가 미세할 경우 그 감소율은 증가되었다. 한편 파괴인성값은 알루비나 첨가량이 많을수록, 알루미나 입자 크기가 작을수록 오히려 증가하였는데 이는 기공과 filler의 crack전파 억제 효과에 의한 것으로 해석하였다.
We have studied the atomic and electronic structure of graphene nanoribbons (GNRs) on a hexagonal boron nitride (h-BN) sheet with intercalated atoms using first-principles calculations. The h-BN sheet is an insulator with the band gap about 6 eV and then it may a good candidate as a supporting dielectric substrate for graphene-based nanodevices. Especially, the h-BN sheet has the similar bond structure as graphene with a slightly longer lattice constant. For the computation, we use the Vienna ab initio simulation package (VASP). The generalized gradient approximation (GGA) in the form of the PBE-type parameterization is employed. The ions are described via the projector augmented wave potentials, and the cutoff energy for the plane-wave basis is set to 400 eV. To include weak van der Waals (vdW) interactions, we adopt the Grimme's DFT-D2 vdW correction based on a semi-empirical GGA-type theory. Our calculations reveal that the localized states appear at the zigzag edge of the GNR on the h-BN sheet due to the flat band of the zigzag edge at the Fermi level and the localized states rapidly decay into the bulk. The open-edged graphene with a large corrugation allows some space between graphene and h-BN sheet. Therefore, atoms or molecules can be intercalated between them. We have considered various types of atoms for intercalation. The atoms are initially placed at the edge of the GNR or inserted in between GNR and h-BN sheet to find the effect of intercalated atoms on the atomic and electronic structure of graphene. We find that the impurity atoms at the edge of GNR are more stable than in between GNR and h-BN sheet for all cases considered. The nickel atom has the lowest energy difference of ~0.2 eV, which means that it is relatively easy to intercalate the Ni atom in this structure. Finally, the magnetic properties of intercalated atoms between GNR and h-BN sheet are investigated.
Bridgman 방법으로 성장된 $TlGa_xIn_{1-x}Se_2$ 단결정의 격자상수와 energy gap의 성분의존성을 조사하였다. $TlGa_xIn_{1-x}Se_2$ solid solution의 불연속 특성이 tetragonal과 monoclinic 구조를 가진 0.25$0.0{\leq}X{\leq}0.25$)로부터 monoclinic 구조($0.65{\leq}X{\leq}1.0$)로 변하는 구조적 상전이가 이 성분영역에서 관측되었다. $TlGaSe_2$ 단결정의 energy gap과 유전상수의 온도의존성으로부터 각각 1차 및 2차 상전이에 상당하는 107 K와 120 K에서 변칙특성을 발견하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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